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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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我們發(fā)現(xiàn)機架式電源對電信服務(wù)器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場中,他們只需要越來越高的效率,所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過 90%,這讓您進(jìn)入鈦...
新品 | 采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開關(guān)評估板
新品采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開關(guān)評估板EVAL-iSSI30R11H用于評估應(yīng)用電路中的英飛凌iSSI固態(tài)隔離器iSSI30R11的產(chǎn)品...
Vishay Siliconix采用P溝道TrenchFET Gen III技術(shù)的12V和30V MOSFET具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? ...
新型60V FemtoFET MOSFET減少您的元件占用面積
在中國深圳,我最近遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計師。你碰巧在你的設(shè)計中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎?我問。他說用過,并告訴我他的電路板包含了大約...
2017-04-18 標(biāo)簽:mosfet信息娛樂系統(tǒng) 1.2k 0
芯動能第100萬只車規(guī)級電驅(qū)雙面散熱塑封模塊成功下線
日前,常州芯動能半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“芯動能”)產(chǎn)線第100萬只車規(guī)級電驅(qū)雙面散熱塑封模塊成功下線!成為國內(nèi)第二家大批量生產(chǎn)車規(guī)級雙面散熱塑封模塊的...
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨,2022年7月6日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)...
引言 在現(xiàn)代電子設(shè)備中,功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作為一種高...
2024-10-29 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器 1.2k 0
近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計的1700V SiC MOSFET系列新品。此...
2025-01-23 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體SemiQ 1.2k 0
ROHM在以業(yè)界最快的trr(反向恢復(fù)時間)著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。
2023-02-22 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET自啟動 1.2k 0
Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過汽車電子元件標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:...
新品 | 英飛凌XHP? 2系列2300V CoolSiC? 碳化硅MOSFET
新品英飛凌XHP2系列2300VCoolSiC碳化硅MOSFET為順應(yīng)可再生能源領(lǐng)域中1500V直流母線應(yīng)用日益增長的趨勢,英飛凌推出XHP2系列230...
新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品
新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分...
新品 | Q-DPAK封裝的碳化硅CoolSiC? 750V MOSFET評估板
新品Q-DPAK封裝的碳化硅CoolSiC750VMOSFET評估板EVAL_QDPAK_FB_V2_1評估板旨在評估采用Q-DPAK封裝的CoolSi...
Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4...
瑞薩電子宣布為擴大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能重啟甲府工廠
近日,瑞薩電子宣布,考慮到EV(電動汽車)需求不斷增長,為擴大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能重啟甲府工廠(山梨縣甲斐市)。
ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET
ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 標(biāo)簽:MOSFET低導(dǎo)通電阻Rohm 1.2k 0
快捷擴大PowerTrench MOSFET系列產(chǎn)品陣容
提升功率密度和輕負(fù)載效率是伺服器、電訊和AC-DC電源設(shè)計人員的主要考量。此外,這些開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中的同步整流需要具有高成本效益的電源解決方案...
2012-08-17 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計 1.2k 0
采用高可信度的MOSFET模型進(jìn)行基于模型的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計
在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時,可以使用仿真模型在多個設(shè)計維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡易開關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真,帶來更多的工程洞見。然而,與制造商精細(xì)的器件...
2022-09-21 標(biāo)簽:MOSFET 1.2k 0
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