Diodes 公司推出一款符合汽車(chē)規(guī)格* 的新型線性 LED 驅(qū)動(dòng)器，讓用戶能獨(dú)立控制三個(gè)通道的亮度和色彩。
2024-03-12 14:38:31
640 【2024 年 03月 11日美國(guó)德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款符合汽車(chē)規(guī)格* 的新型線性 LED 驅(qū)動(dòng)器，讓使用者能獨(dú)立控制三個(gè)通道的亮度
2024-03-12 14:30:46195 
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
Diodes公司近日宣布推出三款符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的新型雙通道高側(cè)電源開(kāi)關(guān)，分別為ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS82180S14PQ。這些新品進(jìn)一步豐富了其IntelliFET自我保護(hù)型MOSFET產(chǎn)品組合，為汽車(chē)行業(yè)帶來(lái)了更強(qiáng)大的電源管理解決方案。
2024-02-03 11:03:25347 【 2024 年 1 月 31 日美國(guó)德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的雙通道高側(cè)電源開(kāi)關(guān) — ZXMS82090S14PQ
2024-02-01 18:01:201090 
漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡(jiǎn)稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別。 首先，讓我們一起了解一下MOSFET
2024-01-31 13:39:45300 真我Note50發(fā)布 搭載紫光展銳T612芯片組 日前真我手機(jī)首款Note系列機(jī)型真我Note 50正式發(fā)布，真我Note50售價(jià)是3599菲律賓比索，約合人民幣459元。值得我們肯定的是，真我
2024-01-25 17:31:49237 根據(jù)簽署的協(xié)議，國(guó)芯科技的一級(jí)總代文芯科技與代理經(jīng)銷(xiāo)商諾信微簽訂了共計(jì)50萬(wàn)顆芯片的銷(xiāo)售合同，其中包括CCFC3008PTT64B2和CCFC3008PTT64B4兩種IC芯片各25萬(wàn)顆。這批產(chǎn)品當(dāng)前正在由諾信微進(jìn)行采購(gòu)與銷(xiāo)售活動(dòng)。
2024-01-23 11:35:21329 請(qǐng)問(wèn)一下ADP1850/ADP1851 外部的DL/DH MOSFET為什么需要各擺2顆MOSFET,主要用途為何?為什么需要DL/DH需要各擺2顆?就以ADP1850的BSC0902NS
2024-01-09 07:33:10
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 將 AH371xQ 系列高電壓霍爾效應(yīng)鎖存器加入產(chǎn)品組合。
2024-01-05 13:52:22334 目前在使用上發(fā)現(xiàn)三例功率MOSFET（SIR442DP） Q5損壞且芯片EXTVCC管腳與GND短路
損壞后的MOSFET呈以下特性
：1、用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量：VDD-S 為無(wú)窮大，VDS-D
2024-01-05 07:30:21
研究人員首次在標(biāo)準(zhǔn)芯片上放置光子濾波器和調(diào)制器 來(lái)源：Spectrum IEEE 悉尼大學(xué)納米研究所的Alvaro Casas Bedoya（手持新型光子芯片）和Ben Eggleton。 悉尼大學(xué)
2023-12-28 16:11:03206 近日，“芯向亦莊”汽車(chē)芯片大賽在北京圓滿落幕，此次大賽吸引了來(lái)自全國(guó)各地的優(yōu)秀汽車(chē)芯片企業(yè)參加。經(jīng)過(guò)激烈的角逐，睿創(chuàng)微納憑借著卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)表現(xiàn)，最終榮膺“芯向亦莊·2023汽車(chē)芯片50強(qiáng)”。
2023-12-28 15:19:20323 在北京市舉辦的“芯向亦莊”汽車(chē)芯片大賽中，瑞芯微的RK3588M旗艦級(jí)車(chē)規(guī)芯片憑借其卓越的性能和高度的市場(chǎng)認(rèn)可度，榮獲了“2023汽車(chē)芯片50強(qiáng)”的榮譽(yù)。這無(wú)疑是對(duì)瑞芯微在汽車(chē)芯片領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)影響力的肯定。
2023-12-28 15:14:12392 SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì)，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開(kāi)關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)
2023-12-27 09:34:56466 
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 碳化硅MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開(kāi)關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03356 帝奧微DIA57100榮登“2023汽車(chē)芯片50強(qiáng)”榜單 日前由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局指導(dǎo)，北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)主辦，蓋世汽車(chē)承辦的“芯”向亦莊--2023汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)大會(huì)在北京圓滿
2023-12-17 17:28:481039 
目前想設(shè)計(jì)一個(gè)關(guān)于MOSFET的DG極驅(qū)動(dòng)方案，存在問(wèn)題為MOSFET可以正常開(kāi)通，但無(wú)法關(guān)斷，帶負(fù)載時(shí)GS極始終存在4V電壓無(wú)法關(guān)斷MOSFET 。
電路圖如下：
空載時(shí)，GS極兩端電壓：
是可以
2023-12-17 11:22:00
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時(shí)間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內(nèi)。
2023-12-13 11:40:56890 
恩智浦的 電池管理芯片DNB1168 (應(yīng)用于新能源汽車(chē)BMS系統(tǒng)) 憑卓越的性能及高市場(chǎng)認(rèn)可度 榮獲 “芯向亦莊”2023汽車(chē)芯片50強(qiáng)! 2023“芯向亦莊”汽車(chē)芯片大賽，此次大賽有近百家企業(yè)入圍，約數(shù)十萬(wàn)行業(yè)人士關(guān)注，由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局
2023-12-11 15:06:54263 
在剛剛結(jié)束的“芯向亦莊”汽車(chē)芯片大賽上，Melexis憑借高性能線性行程磁位置傳感器芯片榮獲“2023汽車(chē)芯片50強(qiáng)”。
2023-12-08 13:59:13250 2023年11月28日，瞻芯電子在北京舉辦的“芯向亦莊”汽車(chē)芯片大賽中脫穎而出，憑借其車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品的卓越性能和創(chuàng)新特點(diǎn)，榮獲“汽車(chē)芯片50強(qiáng)”獎(jiǎng)項(xiàng)，展現(xiàn)了瞻芯電子在汽車(chē)芯片
2023-12-01 13:41:19241 
2023年11月28日，瞻芯電子在北京舉辦的“芯向亦莊”汽車(chē)
芯片大賽中脫穎而出，憑借其車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)
MOSFET產(chǎn)品的卓越性能和創(chuàng)新特點(diǎn)，榮獲“汽車(chē)
芯片50強(qiáng)”獎(jiǎng)項(xiàng)，展現(xiàn)了瞻芯電子在汽車(chē)
芯片領(lǐng)域的技術(shù)水平和發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2023-12-01 09:56:581018 加拿大蒙特利爾 - 11月27日 - 全球知名的電子元器件分銷(xiāo)商富昌電子最近榮獲 Diodes 公司頒發(fā)的2023年最佳全球分銷(xiāo)商獎(jiǎng)。 Diodes公司是全球領(lǐng)先的高品質(zhì)模擬、分立、邏輯和混合信號(hào)
2023-11-30 15:52:51131 
原文標(biāo)題：紫光同芯榮獲“2023汽車(chē)芯片50強(qiáng)”稱號(hào) 文章出處：【微信公眾號(hào)：紫光同芯】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-11-30 14:25:02217 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI D-PHY 1.2 協(xié)議的信號(hào) ReDriver。
2023-11-30 14:04:49370 NEWS獎(jiǎng)項(xiàng)：2023汽車(chē)芯片50強(qiáng)2023年11月28日，由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局指導(dǎo)，由北京經(jīng)開(kāi)區(qū)管委會(huì)主辦，蓋世汽車(chē)承辦，國(guó)家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng)新中心提供支持
2023-11-30 08:15:30558 
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 熱 烈 祝 賀 捷報(bào)頻傳 再獲佳績(jī) 揚(yáng)杰科技榮獲“2023汽車(chē)芯片50強(qiáng)” 捷報(bào)頻傳，再獲佳績(jī)！2023年11月28日，由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局指導(dǎo)，由北京經(jīng)開(kāi)區(qū)管委會(huì)主辦，蓋世
2023-11-29 16:20:01305 
2023年11月28日，“芯向亦莊”汽車(chē)芯片大賽頒獎(jiǎng)典禮在北京隆重舉行，國(guó)民技術(shù)N32A455車(chē)規(guī)MCU憑借其高性能、高集成、高可靠、硬件安全等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)以及出色的市場(chǎng)表現(xiàn)，成功入選“2023汽車(chē)芯片50強(qiáng)”。
2023-11-29 15:07:13524 Diodes的反激電源控制器芯片AP3302，AP3302是一款峰值電流控制，準(zhǔn)諧振(QR) PWM控制器，針對(duì)高性能，低待機(jī)功率和低成本的離線反激變換器進(jìn)行了優(yōu)化。在空載或輕載時(shí)，IC將進(jìn)入突發(fā)模式，以最大限度地降低待機(jī)功耗。設(shè)置最小開(kāi)關(guān)頻率(約22kHz)以避免可聽(tīng)噪聲。
2023-11-23 08:27:01205 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開(kāi)關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 管理應(yīng)用的 MRigidCSP? 封裝技術(shù)。AOS首顆應(yīng)用該新型封裝技術(shù)的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實(shí)現(xiàn)在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí)提高CSP產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度。這項(xiàng)新升級(jí)
2023-11-13 18:11:28219 
金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時(shí)電子指南將詳述這類晶體管的工作機(jī)制，并提供關(guān)于使用和選擇恰當(dāng)MOSFET類型的實(shí)用建議。
2023-10-26 10:36:16481 
Littelfuse宣布推出首款汽車(chē)級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 （BCM）下工作，以簡(jiǎn)化EMI/EMC設(shè)計(jì)和測(cè)試，以滿足最新的監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。AL1697具有內(nèi)置MOSFET解決方案，通過(guò)消除輔助繞組和外部高壓MOSFET的需要，降低了材料清單（BOM）成本。AL1697
2023-10-12 15:09:18
的隔離電源。
VPS8702內(nèi)部集成兩個(gè)N溝道功率MOSFET和兩個(gè)P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內(nèi)部集成振蕩器提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)，能有效確保兩路功率MOSFET驅(qū)動(dòng)的高度對(duì)稱性
2023-10-12 10:23:07
1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內(nèi)部集成兩個(gè)N溝道功率MOSFET和兩個(gè)P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內(nèi)部集成振蕩器提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)，能有效確保兩路功率MOSFET驅(qū)動(dòng)
2023-10-12 10:04:51
、輸出功率1~2W的隔離電源。
VPS6501芯片內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在工作過(guò)程發(fā)生偏磁。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有高精度的死區(qū)控制電路確保在各種工作條件下不出現(xiàn)共通現(xiàn)象。
2023-10-12 09:52:32
、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8505芯片內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在
2023-10-12 09:49:26
、輸出功率13W的隔離電源。
VPS8504C內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在工作
2023-10-12 09:43:02
輸出、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8504B內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在
2023-10-12 09:30:19
本帖最后由 hzeeng 于 2023-12-1 00:40 編輯
Si3262是一款高度集成的低功耗SOC芯片，其集成了基于RISC-V核的低功耗MCU和工作在13.56MHz的非接觸式
2023-10-08 16:01:27
BW3598-50B1 是一款高度集成的模塊，支持 2T2R 802.11 a/b/g/n/ac，帶有無(wú)線局域網(wǎng) (WLAN) SDIO3.0 接口控制器和藍(lán)牙 5.2 HS-UART 接口控制器
2023-09-28 10:26:05663 在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開(kāi)關(guān)速度,電源開(kāi)關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 11:35:37
0 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出一款適用于各種車(chē)用 LED 產(chǎn)品應(yīng)用的升壓/單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器 (SEPIC) 控制器。
2023-09-26 14:13:26586 這個(gè)50瓦音頻放大器電路電子項(xiàng)目使用TDA7850集成電路設(shè)計(jì)，這是一種非常簡(jiǎn)單的AB類功率放大器，采用MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)，僅使用很少的外部元件。
50 瓦音頻放大器電路通常必須由 14.4 伏
2023-09-08 17:05:37
MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大，則開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 
為何華為P50系列采用5G芯片卻是4G手機(jī)？? 隨著5G時(shí)代的到來(lái)，越來(lái)越多的手機(jī)在設(shè)計(jì)中采用了5G芯片，華為P50系列作為華為旗下的新品，也使用了5G芯片。但是，卻引起了許多人的疑惑，為何華為
2023-09-01 16:12:462543 功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開(kāi)始發(fā)展起來(lái)，至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和技術(shù)的應(yīng)用范圍，適應(yīng)更多終端產(chǎn)品的需求，MOSFET同樣衍生出GaN，SiC新型材料的產(chǎn)品去覆蓋更高功率密度、更高電壓、以及高開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-08-31 14:14:071044 
**華為p50搭載的是高通驍龍888 4G芯片，** 高通驍龍888 4G芯片基于三星5nm制程工藝，集成了一個(gè)2.84GHz的全新ARM Cortex-X1超大核，三個(gè)2.4GH在A78中核，四個(gè)1.8GHz A55小核。GPU是Adreno 660性能提升了35%。
2023-08-31 10:06:412252 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
全志A40和A50的區(qū)別 全志是一家致力于開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售中小尺寸智能多媒體芯片的公司，其在市場(chǎng)上推出了眾多的芯片產(chǎn)品，其中包括全志A40和A50。這兩款處理器都是基于ARM Cortex-A7架構(gòu)
2023-08-16 11:16:191413 碳化硅（SiC）技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用。
2023-08-16 10:28:21656 50瓦Mosfet放大器的第一級(jí)是基于晶體管Q1和Q2的差分放大器。電容器 C8 是直流輸入去耦，C1 R1 限制輸入電流，并且電容器旁路不需要的高頻。第二級(jí)由導(dǎo)頻相晶體管Q3和Q4組成。輸出級(jí)是基于MOSFET IRF9530和IRF530的互補(bǔ)推挽級(jí)。
2023-08-11 17:44:50978 
隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49853 
對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問(wèn)題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 據(jù)供應(yīng)鏈消息，英偉達(dá)特供的A800和H800芯片已經(jīng)從原來(lái)的12萬(wàn)人民幣左右，漲至了25萬(wàn)甚至30萬(wàn)，甚至有高達(dá)50萬(wàn)一片。
2023-08-01 11:38:14893 碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的應(yīng)用。
2023-07-21 11:42:14623 MOSFET是電路中非常常見(jiàn)的元件，常用于信號(hào)開(kāi)關(guān)、功率開(kāi)關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多，應(yīng)用面廣，本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:44734 DMWSH120H28SM4Q 可在最高 1200VDS、+15/-4Vgs 的條件下運(yùn)作，且在 15Vgs 時(shí)具有較低的 20mΩ (典型值) RDS(ON)。此MOSFET 適用于其他 EV
2023-07-20 15:43:45374 7月5日，榮耀重磅發(fā)布了榮耀X50暨全場(chǎng)景新品，其中榮耀X50主屏幕搭載了集創(chuàng)北方OLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片ICNA3512。
2023-07-19 16:02:16834 京微齊力的新型加速芯片是將FPGA、CPU、AI等多種異構(gòu)計(jì)算單元集成在同一個(gè)芯片上，采用了領(lǐng)域自適應(yīng)與邏輯可重構(gòu)的計(jì)算模式，具有“軟件可編程、硬件可重構(gòu)”的特性。
2023-07-12 09:56:49442 シリコン NチャネルMOSFET シリーズ 電力スイッチング
2023-07-07 19:38:430 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月1日）宣布，其開(kāi)發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型
2023-06-09 11:20:09365 
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強(qiáng)型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 這篇文章解釋了一種高度穩(wěn)壓的 DIY 實(shí)驗(yàn)室級(jí)電源，具有雙 0-50 伏電壓。電壓和電流范圍分別在 0 至 50 V 和 0 至 5
安培之間獨(dú)立變化。
2023-05-26 17:11:56494 
MOSFET(MOS管)中的“開(kāi)關(guān)”時(shí)間可以改變電壓?jiǎn)幔?
2023-05-16 14:26:16
天線發(fā)出的電波向下傳輸?shù)降孛?，并被地面垂直反射回去，在向上傳播回天線的過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電壓。由該感應(yīng)電壓導(dǎo)致的感應(yīng)電流的相位和幅度取決于天線與反射面之間的高度。
天線中總的電流由兩個(gè)
2023-05-15 17:19:59
Diodes 公司（Diodes） （Nasdaq：DIOD） 宣布推出同步降壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品組合的新產(chǎn)品。AP62500和AP62800 的連續(xù)輸出電流額定值分別為5A 和8A，讓工程師在開(kāi)發(fā)針對(duì)效率或尺寸進(jìn)行優(yōu)化的負(fù)載點(diǎn)（POL） 解決方案時(shí)，更具彈性。
2023-05-15 16:11:29556 該 50 W Mosfet 放大器電路包括一個(gè)由 Q1 和 Q2 組成的差分放大器。用作去耦電容C8，以便不超過(guò)直流電壓。而C1和R1將去除不需要的高頻。
2023-05-13 17:31:391953 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動(dòng) MOSFET 來(lái)控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡(jiǎn)單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:023035 
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 近日，兆元光電在企查查披露了“一種可導(dǎo)熱的MiniLED芯片”的新型實(shí)用專利申請(qǐng)現(xiàn)狀。
2023-04-01 14:20:491381 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開(kāi)關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
為什么60hz的整流器比50hz的有時(shí)候在線圈匝數(shù)上要少呢？是什么原因呢？
2023-03-24 10:13:44
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