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標簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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DRAM正轉變?yōu)橘u方市場 是時候尋找低成本的DRAM替代方案了
DRAM正轉變?yōu)橘u方市場,也為DRAM廠商寫下利潤新高紀錄。就像石油危機一樣,在DRAM危機下,客戶必須為DRAM付出更多代價?,F(xiàn)在正是尋找低成本替代方...
初創(chuàng)公司發(fā)布可用于物聯(lián)網(wǎng)可穿戴設備為目標市場的的MRAM微控制器
法國格勒諾布爾的一家創(chuàng)業(yè)公司發(fā)布了為以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設備為目標市場的基于MRAM微控制器。
2018-01-10 標簽:微控制器物聯(lián)網(wǎng)mram 6.1k 0
芯片晶粒在未來搭載愈來愈多晶體管可望成為趨勢,讓芯片運算能力達到人腦水平也可望有朝一日達成,對于這類新技術的發(fā)展,在芯片上以及在多層堆疊芯片之間打造先進...
臺積電重返內(nèi)存市場 瞄準MRAM和RRAM | 老邢點評
晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭,現(xiàn)由邏輯芯片擴及內(nèi)存市場。 臺積電這次重返內(nèi)存市場,瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存,因傳輸速度...
在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會議(IEDM)上,來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊...
28nm嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存(MRAM)即將問世
在今年即將于美國加州舉行的國際電子組件會議(IEDM)上,來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊...
存儲產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取存儲(SRAM)的快速、快閃存儲的高密度以及如同唯讀存儲(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性存儲...
MRAM技術再突破 工研院啟動全新內(nèi)存戰(zhàn)局(下)
MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結構,在這當中最為關鍵的三層,上下兩層為磁性層(一為參考層,一為自由層),中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向...
MRAM技術再突破 工研院啟動全新內(nèi)存戰(zhàn)局(上)
在工研院即將進入歡慶40周年院慶之際,工研院電光所的研究團隊所開發(fā)出來的“垂直式自旋磁性內(nèi)存技術”榮獲杰出研究金牌獎,此技術乍看之下并不顯眼,但該內(nèi)存技...
北京時間8月3日早間消息,三星周二宣布,他們已收購MRAM(磁性隨機存儲器)芯片開發(fā)商Grandis。具體協(xié)議條款尚未披露。
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