法國格勒諾布爾的一家半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)創(chuàng)業(yè)公司發(fā)布了為以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和可穿戴設(shè)備為目標市場的基于磁阻RAM（MRAM）的微控制器。

這家名為eVaderis的新創(chuàng)公司提供與CMOS兼容的基于非易失性存儲器的IP產(chǎn)品，例如存儲器模塊，邏輯單元以及存儲器和處理器子系統(tǒng)。該公司表示，該公司已成功展示了Beyond Semiconductor BA2x產(chǎn)品線中一款超低功耗MCU的全功能設(shè)計平臺，包括軟件，系統(tǒng)和存儲器IP。

eVaderis公司副總裁兼技術(shù)與市場部門負責(zé)人Virgile Javerliac在接受EETimes采訪時表示，這次流片式演示將展示eVaderis公司“在低功耗數(shù)字設(shè)備上的非易失性嵌入式IP設(shè)計和工藝流程的效益”。

“我們不是在開發(fā)MRAM技術(shù)本身，而是在開發(fā)基于MRAM技術(shù)的架構(gòu)，”他說。

而MRAM生態(tài)系統(tǒng)中的其他人則提供“基于MRAM的自定義或模擬宏”，而JaVaLiIs則表示，eVaderis采取了“提供IP和MRAM編譯器的數(shù)字方法”。該公司與GlobalFoundries建立了知識產(chǎn)權(quán)合作關(guān)系，計劃將半導(dǎo)體制造商的基礎(chǔ)知識產(chǎn)權(quán)授權(quán)給40納米以下的芯片。

Beyond半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官Matjaz Breskvar指出，該演示的目標是功耗，這對任何電池供電設(shè)備來說仍是一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)?！白栽摴境闪⒁詠?，我們一直與eVaderis合作，共同實現(xiàn)電池供電，永遠在線的設(shè)備，實現(xiàn)前所未有的節(jié)能效果?！?/p>

該公司表示，MCU采用了研發(fā)機構(gòu)IMEC的垂直自旋轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)，實現(xiàn)了高速讀/寫和低電壓的非易失性操作。該器件采用GlobalFoundries的40納米低功耗CMOS工藝進行設(shè)計。

該架構(gòu)提供3 Mbits的片上存儲器，完全分布在系統(tǒng)中，用于工作存儲器、配置、狀態(tài)保持、代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲等功能。根據(jù)eVaderis，初創(chuàng)公司的內(nèi)存IP架構(gòu)對編譯器友好，可幫助芯片制造商縮短上市時間。

由于MRAM使用磁性電荷來存儲數(shù)據(jù)，所以當電源關(guān)閉時，它將保留數(shù)據(jù)，并且只需要少量的電力即可存儲數(shù)據(jù)位。相比之下，SRAM和DRAM使用電荷來存儲數(shù)據(jù)。由于MRAM使用磁場而不是電路來寫入和存儲數(shù)據(jù)，因此MRAM還需要比其他存儲器存儲系統(tǒng)更少的功率。

eVaderis嵌入式MRAM技術(shù)因此允許MCU在系統(tǒng)和軟件級別實現(xiàn)功耗，性能和功能增益，包括節(jié)能，非易失性檢查點設(shè)置或常開/瞬時開啟操作，具有接近零延遲的啟動，根據(jù)公司。

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的工程師和法國的替代能源和原子能委員會CEA于2014年成立了eVaderis。去年加入GlobalFoundries FDXcelerator合作伙伴計劃，提供與GlobalFoundries的22FDX技術(shù)兼容的可擴展的先進存儲器IP。