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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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目前MRAM市場以及專用MRAM設(shè)備測試重要性的分析
Everspin專注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚,其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。為云存儲,能源,工業(yè),汽車和...
MR4A16B是一個16,777,216位磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)設(shè)備,組織為1,048,576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35...
英特爾及三星推出了嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)
MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式隨機(jī)存取存儲),是一種非易失性存儲技術(shù),從 1990 年代開始發(fā)展。此技術(shù)...
MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力,能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度相結(jié)合,同時具有非易失性和節(jié)能性...
MRAM可能是非易失性存儲技術(shù)的下一個大事件。該技術(shù)利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關(guān)系。本質(zhì)上,當(dāng)兩個磁鐵靠近時,它們的電阻會發(fā)生變化,這取決于它...
2022-07-25 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)納米MRAM 1.4k 0
Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲器解決方案。該解決方案可以替代S...
MRAM技術(shù)再突破 工研院啟動全新內(nèi)存戰(zhàn)局(下)
MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結(jié)構(gòu),在這當(dāng)中最為關(guān)鍵的三層,上下兩層為磁性層(一為參考層,一為自由層),中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向...
切換(或場驅(qū)動)MRAM包括大部分的獨立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴(kuò)展到更高的密度,需要更低的...
MRAM與傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲器的區(qū)別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結(jié)(MTJ ),而后者則是電荷。 每一個磁性隧道結(jié)包含一個固定層和一個自由層。固定層的...
MRAM芯片MR4A16BMA35是一款適用于自動化控制器的存儲器芯片
Everspin了解客戶在工業(yè)市場中對長期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中非常重要。該技術(shù)的固有耐用性通過避免使用其他非易失性存儲器技...
MRAM是一種非易失性存儲技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?;贛RAM的設(shè)備可以為“...
MRAM技術(shù)再突破 工研院啟動全新內(nèi)存戰(zhàn)局(上)
在工研院即將進(jìn)入歡慶40周年院慶之際,工研院電光所的研究團(tuán)隊所開發(fā)出來的“垂直式自旋磁性內(nèi)存技術(shù)”榮獲杰出研究金牌獎,此技術(shù)乍看之下并不顯眼,但該內(nèi)存技...
一種應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備中的并行接口MRAM-MR5A16A
Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡單異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器標(biāo)準(zhǔn)JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計易于實現(xiàn),無需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支...
2020-05-29 標(biāo)簽:存儲器醫(yī)療設(shè)備呼吸機(jī) 1.3k 0
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)有著出色的可擴(kuò)展性和耐用性
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)它結(jié)合了非易失性,出色的可擴(kuò)展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。 自旋傳遞轉(zhuǎn)矩(STT)寫入是一種通過對齊...
MR10Q010是理想的存儲器解決方案,適用于必須使用少量引腳、低功耗和24引腳BGA或16引腳SOIC封裝快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。Quad S...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優(yōu)勢
Everspin是設(shè)計制造MRAM到市場和應(yīng)用的翹楚,在這些市場和應(yīng)用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性是至關(guān)重要。MR25H40VDF是一個419...
FRAM存儲器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相互兼容
新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點,又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...
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