英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲(chǔ)器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng)，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25
2026-01-05 16:11:01
36 的 FM25V10 1 - Mbit 串行（SPI）F - RAM 芯片，看看它在眾多存儲(chǔ)器中脫穎而出的原因。 文件下載： FM25VN10-G.pdf 芯片概述 FM25V10 是一款采用先進(jìn)鐵電工
2026-01-04 17:25:09367 ——FM25L04B 4-Kbit串行F-RAM。 文件下載： FM25L04B-GTR.pdf 產(chǎn)品概述 FM25L04B是一款由Cypress（現(xiàn)屬英飛凌）開發(fā)的4-Kbit非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-12-31 16:05:1888 AT25SF2561C，AT25QF2561C 256MB NOR閃存.pdf 產(chǎn)品概述 AT25SF2561C和AT25QF2561C專為高容量工業(yè)、消費(fèi)和互聯(lián)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它們既可以存儲(chǔ)從閃存啟動(dòng)到嵌入式或外部RAM的
2025-12-26 17:45:12420 探索Atmel AT27C256R：高性能OTP EPROM的卓越之選 在電子工程師的設(shè)計(jì)工具箱中，尋找一款可靠、高效且性能卓越的存儲(chǔ)器至關(guān)重要。Atmel AT27C256R作為一款低功耗、高性能
2025-12-25 17:10:19315 片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主 FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
1、主 FLASH 存儲(chǔ)器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-12-23 08:28:04
SEMPER? Nano S25FS256T 內(nèi)存模塊快速上手與特性解析 在電子工程師們的日常工作中，選擇一款合適的內(nèi)存模塊至關(guān)重要。今天就來和大家分享一下英飛凌（Infineon）推出
2025-12-20 15:50:051025 在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04242 如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序升級(jí)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)？
2025-12-15 07:39:51
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
CW32的22 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器一般都怎么使用？
2025-12-02 06:39:44
的首選方案。無論是消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，都能見到它的身影。一產(chǎn)品概述24C02/24C04/24Cxx系列是基于IIC總線協(xié)議的串行電可擦除存儲(chǔ)器（E
2025-11-28 18:32:58317 
在各類存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 MR-16LED燈專用LED降壓型恒流驅(qū)動(dòng)器H5441B方案調(diào)光高輝度65536級(jí)
H5441B 為一款平均電流型 LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片，適配非隔離式 LED 驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，輸入電壓適用范圍為
2025-11-25 09:11:03
安森美 (onsemi) N24C256X 256Kb^I2C^CMOS串行電子擦除可編程只讀存儲(chǔ)器采用低功耗CMOS技術(shù)，內(nèi)部組織為32.768字，每字8位。此電子擦除可編程只讀存儲(chǔ)器支持標(biāo)準(zhǔn)
2025-11-22 17:31:201624 
在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的新型非易失存儲(chǔ)器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35248 在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 在需要高速數(shù)據(jù)讀寫與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨(dú)特的磁阻存儲(chǔ)技術(shù)，為工業(yè)控制、汽車
2025-11-13 11:23:46210 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 作為磁阻存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要分支，SOT-MRAM因其獨(dú)特的寫入機(jī)制與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點(diǎn)方向。該技術(shù)利用具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層，通過自旋軌道力矩驅(qū)動(dòng)磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)槠洳捎妙怱RAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 一次性可編程（OTP）非易失性存儲(chǔ)器問世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
在科技迅猛發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)已然成為驅(qū)動(dòng)各行業(yè)進(jìn)步的核心要素。從日常生活中的智能手機(jī)、電腦，到工業(yè)生產(chǎn)里的自動(dòng)化設(shè)備，再到前沿的人工智能與大數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，海量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與高效管理需求與日俱增。存儲(chǔ)器
2025-09-09 17:31:55867 
Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲(chǔ)器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲(chǔ)器示波器， S 系列示波器配備 2 GHz 存儲(chǔ)器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
P24C256H是I2C兼容的串行EEPROM（電可擦除可編程存儲(chǔ)器）設(shè)備。它包含一個(gè)256Kbits （32Kbytes）的內(nèi)存陣列，每頁64bytes。
2025-08-08 17:05:231815 
? ? I2C兼容串行電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（E2PROM）-P24C512H ? 產(chǎn)品介紹 ? ?產(chǎn)品概述： ? P24C512H是I2C兼容的串行E2PROM（電可擦除可編程存儲(chǔ)器）設(shè)備。它包含
2025-08-07 10:06:531002 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 2025年6月26日，HIOKI日置正式發(fā)售存儲(chǔ)記錄儀MR8848。該設(shè)備堅(jiān)固耐用且性能卓越，適用于發(fā)電廠、變電站、鐵路等基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的維保工作。MR8848 配備堅(jiān)固的外殼與安全的絕緣輸入，具備
2025-06-30 13:50:511752 
單片機(jī)實(shí)例項(xiàng)目：AT24C02EEPROM存儲(chǔ)器，推薦下載！
2025-06-03 20:50:02
BL24C02A
BL24C04A
BL24C08A
BL24C16A
BL24C256A
BL24C32AA0
BL24C512A
BL25CM1A
BL25
2025-05-28 18:28:59
近期，芯片燒錄領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)推出其燒錄軟件的重大版本更新。在新版本發(fā)布之際，公司同步宣布新增多款兼容芯片型號(hào)，其中包括旺宏電子開發(fā)的MX25U51245G串行NOR閃存存儲(chǔ)器。該芯片已成功完成
2025-05-20 16:27:37619 
(SHA-256)的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能和512位用戶可編程EPROM。附加存儲(chǔ)器為SHA-256操作儲(chǔ)存密鑰。每款器件帶有唯一的64位ROM注冊(cè)碼(ROM ID)，由工廠刻入芯片。DS28E15所
2025-05-14 13:59:53902 
(SHA-256)的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能和4Kb用戶可編程EPROM。附加安全存儲(chǔ)器保存SHA-256操作密鑰。每款器件帶有唯一的64位ROM注冊(cè)碼(ROM ID)，由工廠刻入芯片。DS28E25所
2025-05-14 13:57:05724 
(SHA-256)的高度加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能。2Kb用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ)，附加的安全存儲(chǔ)器儲(chǔ)存用于SHA-256算法的讀保護(hù)密鑰以及用戶存儲(chǔ)器控制設(shè)置。每個(gè)器件都
2025-05-14 11:34:36747 
(SHA-256)的加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能以及小型信息摘要加密功能。3Kb用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ)，附加的保護(hù)存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)SHA-256操作的一組讀保護(hù)密鑰以及用戶存儲(chǔ)器
2025-05-14 11:28:35866 
? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09618 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試中，測(cè)試圖形（Test Pattern）是檢測(cè)故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測(cè)試序列長度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系，測(cè)試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371223 
CYPD3177-24LQXQT 是否實(shí)現(xiàn)內(nèi)部存儲(chǔ)器？（例如 內(nèi)存）？
BCR 數(shù)據(jù)表中似乎沒有提及這一點(diǎn)。
2025-05-07 07:23:10
多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
全志科技機(jī)器人專用芯片MR527是八核高性能機(jī)器人專用芯片； MR527系列芯片集成了8核Arm??Cortex?-A55 CPU、NPU、-GPU、MCU等多個(gè)高性能計(jì)算單元，具有強(qiáng)大的硬件編碼
2025-04-24 14:58:263233 
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲(chǔ)器映射 前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲(chǔ)設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問它們的時(shí)候，我們需要知道它們的存儲(chǔ)地址。 3.3.1 存儲(chǔ)器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091376 
替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C128電壓檢測(cè)儀應(yīng)用方案
2025-04-14 09:46:36719 
非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 單片機(jī)與存儲(chǔ)器的關(guān)系像什么？單片機(jī)里的存儲(chǔ)都是一樣的嗎？為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
便攜式醫(yī)療鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626 
人工智能與高性能計(jì)算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709 替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲(chǔ)器SF25C20
2025-03-28 10:31:41717 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-600D24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有BK25-600D24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，BK25-600D24H1N4真值表，BK25-600D24H1N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:41:59
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2025-03-24 18:41:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-500S24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有BK25-500S24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，BK25-500S24H1N4真值表，BK25-500S24H1N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:40:57
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16676 
特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
、三態(tài) DATA 驅(qū)動(dòng)器（用于接口）、地址鎖存器和微處理器兼容控制邏輯組成。 特征8 位分辨率片上 8×8 雙端口存儲(chǔ)器在整個(gè)溫度范圍內(nèi)無漏碼直接連接到
2025-03-17 10:39:29
鐵電存儲(chǔ)器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計(jì)算中應(yīng)用
2025-03-13 09:46:30774 
優(yōu)化的架構(gòu)設(shè)計(jì)和成熟的制程技術(shù)，具備內(nèi)置的硬擦除器、錯(cuò)誤檢測(cè)和校正機(jī)制，為用戶提供了可靠的開發(fā)環(huán)境。用戶可利用最新的Radiant工具，直接實(shí)現(xiàn)MRAM的編程接口，支持多種存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)速率。利用這些FPGA器件，用戶可以受益于低功耗FPGA架構(gòu)和快速安全的位流配置/重新配置。 ? 為
2025-03-08 00:10:001803 架構(gòu)優(yōu)勢(shì)單電源工作全電壓范圍：讀寫操作電壓為 2.7V 至 3.6V存儲(chǔ)架構(gòu)統(tǒng)一的 64KB 扇區(qū)頂部或底部保護(hù)塊（兩個(gè) 64KB 扇區(qū)），每個(gè)可細(xì)分為 16 個(gè) 4KB 子扇區(qū)頁大小為 256
2025-03-07 13:58:21
本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM)，存儲(chǔ)容量為8192字節(jié)，分為256頁，每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù)，自定時(shí)編程周期，支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:09
3 DS2502為1K位只添加存儲(chǔ)器，用于識(shí)別并存儲(chǔ)產(chǎn)品的相關(guān)信息。產(chǎn)品批號(hào)或特殊的產(chǎn)品信息可以通過最少的接口訪問—例如，微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2502具有一個(gè)工廠光刻注冊(cè)碼，其中包括：48位唯一
2025-02-28 10:15:151111 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x）是堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲(chǔ)器和可選的計(jì)時(shí)功能為存儲(chǔ)和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器(?SF24C512)的5個(gè)理由
2025-02-20 09:42:03906 ? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），其特點(diǎn)是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲(chǔ)器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲(chǔ)器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169 特點(diǎn)FM24C256E提供262144位串行電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），由32768個(gè)8字組成每個(gè)位，具有128位UID和64字節(jié)安全性部門，大大提高了可靠性內(nèi)部ECC邏輯。該設(shè)備
2025-02-11 14:34:13
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲(chǔ)器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），專為高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理而設(shè)計(jì)。該器件具有快速的訪問時(shí)間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲(chǔ)器，具有 32Mb 的存儲(chǔ)容量，采用 SPI 接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
MX25U12832FMI02 產(chǎn)品概述MX25U12832FMI02 是由 Macronix 生產(chǎn)的一款高性能 NOR Flash 存儲(chǔ)器，專為需要大容量存儲(chǔ)和快速讀取的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該
2025-02-09 10:21:26
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
鐵電存儲(chǔ)器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢(shì)顯著
2025-02-07 09:29:33907 
在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）與只讀存儲(chǔ)器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）在擦除數(shù)據(jù)時(shí)，往往需要較長的時(shí)間，且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲(chǔ)器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中，Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間，用于存儲(chǔ)CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。為應(yīng)對(duì)這一不利局面，各大存儲(chǔ)器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施，旨在平衡市場(chǎng)供求關(guān)系，進(jìn)而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:551095 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
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2025-01-14 16:12:440 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
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2025-01-07 14:18:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-302：ADSP-BF53x Blackfin處理器與NAND FLASH存儲(chǔ)器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:03:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-132：使用VisualDSP將C代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲(chǔ)器中.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 13:55:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286：SDRAM存儲(chǔ)器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 15:47:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-213：Blackfin處理器通過異步存儲(chǔ)器接口進(jìn)行主機(jī)通信.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 10:09:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-349：ADSP-2146xDDR2存儲(chǔ)器電路板設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 09:21:410
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