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標簽 > mram

mram

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。

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mram資訊

一種應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備中的并行接口MRAM-MR5A16A

Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡單異步靜態(tài)隨機存取存儲器標準JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計易于實現(xiàn),無需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支...

2020-05-29 標簽:存儲器醫(yī)療設(shè)備呼吸機 1.3k 0

?醫(yī)用呼吸機Everspin MRAM應(yīng)用筆記

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由于當前疫情的大流行,增加醫(yī)用呼吸機的供應(yīng)迫在眉睫。Everspin Technologies提供了一種獨特的MRAM存儲技術(shù),它將為這類設(shè)備的電子系統(tǒng)...

2020-05-28 標簽:醫(yī)療器械醫(yī)療設(shè)備呼吸機 1.2k 0

MRAM緩存可行性比SRAM更高

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隨著制程邁向5nm甚至3nm,半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進技術(shù)節(jié)點處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗,STT-MRAM存儲器已成為替...

2020-05-26 標簽:存儲器sramMRAM 1.7k 0

太空應(yīng)用中多功能性工業(yè)級Everspin 4Mbit MRAM

Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應(yīng)用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚,并基于Everspi...

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新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質(zhì)特性對比

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目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspi...

2020-04-25 標簽:NAND閃存MRAMeverspin 3.4k 0

Everspin MRAM小尺寸MR4A16B存儲器

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Everspin的MRAM技術(shù)具高可靠性、快速讀/寫、即時開啟、非揮發(fā)性、和無限次擦除等特性。Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選...

2020-04-25 標簽:BGAMRAMMR4A16B 1.4k 0

選擇MRAM的理由

MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起,同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端溫度...

2020-04-08 標簽:MRAM 1.2k 0

用于工業(yè)應(yīng)用的Everspin MRAM

Everspin在磁存儲器設(shè)計,制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)...

2020-04-09 標簽:MRAMeverspin 1.2k 0

MRAM的優(yōu)勢與劣勢

MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)(MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cS...

2020-04-09 標簽:sramRAMMRAM 7k 0

非易失性MRAM誕生過程

MRAM技術(shù)是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲存單元為基礎(chǔ),MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層,和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由...

2020-04-07 標簽:MRAMeverspin 784 0

Everspin MRAM解決方案的新應(yīng)用程序

Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商,在包括40nm,28nm及更高的技術(shù)節(jié)點在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙...

2020-04-07 標簽:MRAMeverspinstt_mram 1.1k 0

eMRAM究竟是融合還是替代?

eMRAM屬于新型存儲技術(shù),同目前占據(jù)市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...

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MRAM關(guān)鍵工藝步驟

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非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn),下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個方面. (1)底部電極的形成(參考圖1):...

2020-04-07 標簽:MRAM 2.1k 0

超低功耗ST-MRAM內(nèi)存架構(gòu)

ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲技術(shù),因為它是一種高性能存儲器(可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM),可擴展至10nm以下,并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋...

2020-04-03 標簽:MRAMeverspin 1.7k 0

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MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術(shù)。MRAM通常被稱為存儲器的圣杯,具有快速,高密度和非易失性的特點,可以在單個芯片中替代當今使用的所有類...

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為MRAM工藝打造的量測方案

在不久的將來,我們將看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出現(xiàn)在諸如物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、微控制器(MCU)、汽車、邊緣運算和人工智能(AI)等應(yīng)用中。...

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everspin生態(tài)系統(tǒng)和制造工藝創(chuàng)新

Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來,通過不斷改進,對其工廠進行微調(diào)優(yōu)化。能迅速積累并將這些經(jīng)驗傳授給Glo...

2020-03-23 標簽:MRAMeverspin 961 0

格芯表示要做MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者 以推動潛在的新計算架構(gòu)等新技術(shù)發(fā)展

2018年8月份AMD宣布將7nm CPU訂單全都交給臺積電,雙方的合作關(guān)系這兩年非常密切。與之相比,AMD的前女友GF公司現(xiàn)在與X86 CPU代工漸行...

2020-03-07 標簽:amdMRAM格芯 2.2k 0

Globalfoundries提供eMRAM 計劃在2020年實現(xiàn)多個流片

Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù),該公司正在與幾個客戶合作,計劃在2020年實現(xiàn)多個流片。

2020-03-03 標簽:mcuMRAM 2.7k 0

臺工研院MRAM技術(shù),比臺積電和三星更穩(wěn)定

臺工業(yè)技術(shù)研究院10日于美國舉辦的國際電子元件會議(IEDM)中發(fā)表鐵電存儲器(FRAM)、磁阻隨機存取存儲器(MRAM)等6篇技術(shù)論文。其中,從研究成...

2019-12-10 標簽:三星電子臺積電mram 3.1k 0

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      隨著Vivado 設(shè)計套件通用版本的發(fā)布,賽靈思還針對All Programmable 7系列 FPGA和Zynq?-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合(HLS)工具,繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級(ESL)設(shè)計領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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    wifi是當今使用最廣的一種無線網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù),實際上就是把有線網(wǎng)絡(luò)信號轉(zhuǎn)換成無線信號,供支持其技術(shù)的設(shè)備接收。
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    任正非是華為技術(shù)有限公司主要創(chuàng)始人、總裁。
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    受惠于中國政府醫(yī)療改革以及居民對健康保健的重視,未來3年,中國便攜醫(yī)療電子市場年復(fù)合增長率將超過30%!其市場規(guī)模從2006年的80億元迅速擴大到2011的280億元!

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