近日，愛(ài)芯元智M57系列芯片榮獲金球獎(jiǎng)“年度量產(chǎn)首創(chuàng)獎(jiǎng)”。該獎(jiǎng)項(xiàng)基于技術(shù)/產(chǎn)品方案的 “首創(chuàng)性” 與 “量產(chǎn)可行性” ，聚焦攻克量產(chǎn)落地的核心難題，并轉(zhuǎn)化為用戶(hù)可感知的實(shí)際價(jià)值。量產(chǎn)首創(chuàng)，更是為產(chǎn)業(yè)樹(shù)立技術(shù)量產(chǎn)新標(biāo)桿，推動(dòng)普及并重新定義細(xì)分市場(chǎng)的新賽道。
2025-12-23 16:51:52
211 在醫(yī)療電子系統(tǒng)中，線(xiàn)束與電纜組件通常被視為基礎(chǔ)部件，但在工程實(shí)踐中，它們往往直接影響整機(jī)的安全性、穩(wěn)定性以及合規(guī)可行性。從生命體征監(jiān)護(hù)、醫(yī)學(xué)影像診斷，到治療與康復(fù)類(lèi)設(shè)備，電源與信號(hào)連接的可靠程度，決定了系統(tǒng)在長(zhǎng)期運(yùn)行狀態(tài)下的風(fēng)險(xiǎn)邊界。
2025-12-23 16:37:32118 
、PKX014A0X43-SRZ 等）的對(duì)比及替代可行性分析。MSN12AD20-MQ核心參數(shù)輸入電壓：4.5V~15V（部分資料顯示典型輸入為6V~15V，可通過(guò)電阻分壓調(diào)整至4.5V啟動(dòng)）。輸出電壓：0.6V
2025-12-18 10:14:24
本次測(cè)評(píng)基于瑞薩RA6E2地奇星開(kāi)發(fā)板，驗(yàn)證其內(nèi)部CodeFlash與DataFlash的讀寫(xiě)功能穩(wěn)定性與可靠性，測(cè)試Flash擦除、寫(xiě)入、讀取及數(shù)據(jù)驗(yàn)證的全流程可行性，為后續(xù)嵌入式項(xiàng)目存儲(chǔ)方案提供參考依據(jù)。
2025-12-16 08:08:45651 
在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04242 服務(wù)器電源保護(hù)方案的革新：以智能PTC替代傳統(tǒng)NTC的可行性與實(shí)踐
2025-12-10 08:20:47254 
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲(chǔ)組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲(chǔ)方案，但二者憑借成熟的設(shè)計(jì)與明確
2025-12-02 13:50:46868 輸出，3A 負(fù)載）95%（5V 輸入，3.3V 輸出）二、替代可行性分析LM2596的局限性頻率不匹配：SQ76825DABE 的 1.5MHz 開(kāi)關(guān)頻率可顯著減小電感體積，而 LM2596
2025-12-02 08:54:56
吸氣式高速飛行器作為航空航天領(lǐng)域的重要發(fā)展方向，憑借其高速度、高機(jī)動(dòng)性和遠(yuǎn)程打擊能力，日益成為世界主要軍事強(qiáng)國(guó)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。機(jī)體/發(fā)動(dòng)機(jī)一體化設(shè)計(jì)作為其關(guān)鍵技術(shù)，直接影響飛行器的整體性能和可行性。
2025-11-27 15:15:061185 
在各類(lèi)電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計(jì)的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來(lái)越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類(lèi)存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車(chē)電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發(fā)展起來(lái)的重要
2025-11-18 11:13:01242 在需要高速數(shù)據(jù)讀寫(xiě)與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)往往面臨寫(xiě)入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨(dú)特的磁阻存儲(chǔ)技術(shù)，為工業(yè)控制、汽車(chē)
2025-11-13 11:23:46210 在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲(chǔ)單元，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455 PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴(lài)的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片，基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨(dú)有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建，這款串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 時(shí)序。讀數(shù)據(jù)時(shí)，輸入讀取地址后，于下一時(shí)鐘SRAM輸出該地址讀數(shù)據(jù)；寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，地址與數(shù)據(jù)同步輸入SRAM。
2.SHIFT_RAM模塊；
下圖為SHIFT_RAM原理圖，借鑒行緩存器的原理，填滿(mǎn)后
2025-10-29 07:10:56
對(duì)于新能源場(chǎng)站來(lái)說(shuō)，一種可實(shí)現(xiàn)風(fēng)光一體化無(wú)人機(jī)巡檢方式，在運(yùn)維管理工作中能發(fā)揮出很大的作用。這種巡檢方式，從技術(shù)、效率與成本、系統(tǒng)集成與協(xié)同作業(yè)以及全生命周期管理等方面來(lái)說(shuō)具有高度的可行性，在風(fēng)電
2025-10-28 18:04:36627 
在存儲(chǔ)解決方案中，外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越，但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸：不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 在需要高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹(shù)立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫(xiě)特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無(wú)限次擦寫(xiě)、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 作為磁阻存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要分支，SOT-MRAM因其獨(dú)特的寫(xiě)入機(jī)制與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點(diǎn)方向。該技術(shù)利用具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料層，通過(guò)自旋軌道力矩驅(qū)動(dòng)磁性隧道結(jié)中納米磁體的確定性翻轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫(xiě)入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫(xiě)測(cè)試。SRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有高速讀取和寫(xiě)入的特點(diǎn)。在FPGA中實(shí)現(xiàn)SRAM讀寫(xiě)測(cè)試，包括設(shè)計(jì)SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
串口DMA發(fā)送有緩存嗎， 我是從ringbuffer取出來(lái)，放到申請(qǐng)的緩存里，啟動(dòng)串口DMA發(fā)送，然后就釋放了。暫時(shí)沒(méi)發(fā)現(xiàn)什么問(wèn)題。
用的drv_usart.c是這個(gè)版本
2025-10-10 06:14:05
(ECC)邏輯，可確保高可靠性。Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM提供256 x 8位組織，具有用于讀取和寫(xiě)入的字節(jié)、頁(yè)面和順序模式。SRAM具有無(wú)限讀取/寫(xiě)入周期和外部電池備份支持。這些器件不含鹵素，符合RoHS指令。
2025-10-09 11:16:59540 極細(xì)同軸線(xiàn)束確實(shí)能夠用于 USB3.1 的高速傳輸，但前提是做好完整的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證工作。若能避開(kāi)“線(xiàn)越細(xì)越好”這樣的誤區(qū)，合理平衡電氣性能、機(jī)械性能與工藝可行性，才能真正發(fā)揮極細(xì)同軸線(xiàn)束在小型化、高速化產(chǎn)品中的優(yōu)勢(shì)。
2025-09-26 14:28:461486 
創(chuàng)新相結(jié)合的模式，集中開(kāi)展核心計(jì)量檢測(cè)技術(shù)攻關(guān)，突破“卡脖子”技術(shù)瓶頸，為高水平科研活動(dòng)提供系統(tǒng)性支撐。 目
2025-09-23 11:13:46
零碳園區(qū)既是檢驗(yàn)綠色科技可行性、穩(wěn)定性的 “試驗(yàn)場(chǎng)”，也是展現(xiàn)綠色科技成果、吸引資源合作的 “展示窗”，為綠色科技提供了前所未有的創(chuàng)新舞臺(tái)。
2025-09-12 09:00:42494 生產(chǎn)階段造成嚴(yán)重問(wèn)題，導(dǎo)致設(shè)計(jì)報(bào)廢、生產(chǎn)延誤和成本增加。原型的成功并不意味著量產(chǎn)也能成功，因此 在設(shè)計(jì)早期階段就應(yīng)考慮生產(chǎn)可行性的重要性。 ? 本文總結(jié)了常見(jiàn)的與生產(chǎn)相關(guān)的設(shè)計(jì)缺陷并提供了解決方案。 缺乏關(guān)鍵信號(hào)測(cè)試點(diǎn) ? 問(wèn)題 : 這是最
2025-09-08 11:15:085336 
設(shè)備領(lǐng)域所使用的電源芯片大多依賴(lài)進(jìn)口，這不僅限制了我國(guó)醫(yī)療設(shè)備產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展，也使得醫(yī)療設(shè)備的成本居高不下。鑒于此，本研究旨在深入探討國(guó)產(chǎn)電源芯片在醫(yī)療成像設(shè)備系統(tǒng)中的替代可行性，特別是以國(guó)科安芯推出的ASP4644S電源芯片為例
2025-09-05 14:36:00527 在此前的文章《SRAM PUF：為每顆芯片注入“不可復(fù)制的物理指紋”，守護(hù)芯片安全》中，我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經(jīng)濟(jì)
2025-09-05 10:46:161152 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪(fǎng)問(wèn)速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計(jì)，支持-40℃~85℃工業(yè)級(jí)溫度范圍，適用于車(chē)載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場(chǎng)景。
2025-09-04 10:00:00533 
當(dāng)前，其在部分關(guān)鍵領(lǐng)域仍處于“低滲透、高潛力”階段，尚未形成產(chǎn)業(yè)化規(guī)模。本文旨在梳理這些尚未被充分挖掘的市場(chǎng)，分析其技術(shù)可行性、市場(chǎng)空間與發(fā)展障礙，并提出針對(duì)性建議，助力產(chǎn)業(yè)突破式成長(zhǎng)。
2025-09-01 14:08:18520 的四通道集成解決方案。本文通過(guò)對(duì)ASP4644芯片的全面測(cè)試報(bào)告進(jìn)行深入分析，結(jié)合射頻通信系統(tǒng)對(duì)電源模塊的特殊要求，從多個(gè)維度探討了ASP4644在射頻通信領(lǐng)域的應(yīng)用可行性。研究結(jié)果表明，ASP4644具備高效率、低紋波、快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)、完善的保護(hù)
2025-08-28 13:51:10429 在上一篇文章中，我們探討了最小可行性在數(shù)據(jù)保護(hù)和業(yè)務(wù)連續(xù)性中的重要性。企業(yè)面臨自然災(zāi)害、硬件故障及惡意網(wǎng)絡(luò)攻擊等多元威脅，業(yè)務(wù)中斷可能帶來(lái)巨大經(jīng)濟(jì)損失與聲譽(yù)損害，保障業(yè)務(wù)連續(xù)性至關(guān)重要，而最小可行性
2025-08-27 09:16:19728 用戶(hù)瘋狂查詢(xún)數(shù)據(jù)庫(kù)中不存在的數(shù)據(jù)，每次查詢(xún)都繞過(guò)緩存直接打到數(shù)據(jù)庫(kù)，導(dǎo)致數(shù)據(jù)庫(kù)壓力驟增。
2025-08-20 16:24:14627 正如您所意識(shí)到的，案例和材料種類(lèi)繁多，我們無(wú)法檢查所有案例和材料，也無(wú)法獲得有關(guān)它們的一些現(xiàn)成信息。 幾年前，我們停止接受客戶(hù)的樣品來(lái)檢查申請(qǐng)的可行性。每種材料都有自己的傳動(dòng)比、厚度、內(nèi)部結(jié)構(gòu)/配置
2025-08-19 09:12:04190 
在當(dāng)今復(fù)雜的商業(yè)環(huán)境中，企業(yè)面臨的威脅日益多元，從自然災(zāi)害、硬件故障到惡意網(wǎng)絡(luò)攻擊，各類(lèi)突發(fā)事件都可能中斷業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球數(shù)據(jù)泄露的平均成本已達(dá)488萬(wàn)美元，而勒索軟件攻擊后的平均恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)達(dá)24天。在此背景下，確保業(yè)務(wù)連續(xù)性成為企業(yè)生存與發(fā)展的核心課題。
2025-08-15 17:20:51935 ，需通過(guò)現(xiàn)有資源實(shí)現(xiàn)類(lèi)似功能。
技術(shù)可行性：利用FLASH的非易失性特性，通過(guò)軟件算法模擬EEPROM的字節(jié)級(jí)讀寫(xiě)能力。
核心差異與挑戰(zhàn)
物理限制：FLASH需按扇區(qū)/頁(yè)擦除且寫(xiě)入前必須全擦除為
2025-08-14 06:13:45
布局(Placement)是芯片后端設(shè)計(jì)中最需要全局視角的步驟，它前置約束所有后續(xù)環(huán)節(jié)，直接決定了PPAC(Performance、Power、Area、Congestion)各項(xiàng)指標(biāo)趨勢(shì)和設(shè)計(jì)目標(biāo)實(shí)現(xiàn)的可行性。
2025-08-13 14:11:463149 
實(shí)施智能物流倉(cāng)儲(chǔ)系統(tǒng)需從 “業(yè)務(wù)需求” 出發(fā)，平衡 “技術(shù)可行性” 與 “成本效益”，同時(shí)兼顧人員、場(chǎng)地、合規(guī)等現(xiàn)實(shí)條件，最終實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)與企業(yè)運(yùn)營(yíng)的深度融合，而非單純的 “技術(shù)堆砌”。
2025-08-12 14:20:11698 
文章將采用“總-分-總”的結(jié)構(gòu)對(duì)配置固定大小元素驅(qū)逐策略的 Caffeine 緩存進(jìn)行介紹，首先會(huì)講解它的實(shí)現(xiàn)原理，在大家對(duì)它有一個(gè)概念之后再深入具體源碼的細(xì)節(jié)之中，理解它的設(shè)計(jì)理念，從中能學(xué)習(xí)到
2025-08-05 14:49:12586 
我們?cè)敿?xì)介紹了 Caffeine 緩存添加元素和讀取元素的流程，并詳細(xì)解析了配置固定元素?cái)?shù)量驅(qū)逐策略的實(shí)現(xiàn)原理。在本文中我們將主要介紹 配置元素過(guò)期時(shí)間策略的實(shí)現(xiàn)原理 ，補(bǔ)全 Caffeine
2025-08-05 14:48:13525 
PID控制器具有更好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能,能有效抑制推力波動(dòng)而且對(duì)負(fù)載擾動(dòng)具有很強(qiáng)的魯棒性，其實(shí)驗(yàn)結(jié)果也證明了其可行性和有效性。
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2025-08-05 14:20:39
構(gòu)建電機(jī)端電壓的數(shù)學(xué)模型，論證上下互補(bǔ)的 PWM波驅(qū)動(dòng)方式能夠保證電機(jī)中點(diǎn)電位穩(wěn)定，設(shè)計(jì)基于低通濾波器的換向檢測(cè)電路，使得電調(diào)能夠判斷端電壓的差值直接換向。通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了上述方案的可行性。
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2025-07-29 16:19:43
客戶(hù)要求Flash driver不能存儲(chǔ)在Flash中，需要在升級(jí)的時(shí)候，由CAN FBL發(fā)送到SRAM中，再運(yùn)行SRAM中的Flash driver
我應(yīng)該如何實(shí)現(xiàn)這個(gè)要求？如何能把Flash driver分離成一個(gè)單獨(dú)的部分，再由CAN FBL加載到SRAM中?你們有相關(guān)的文檔和示例程序嗎？
2025-07-15 07:22:16
規(guī)模化設(shè)備發(fā)電成本已降低至0.195元/kwh，具備了商業(yè)化的技術(shù)可行性和經(jīng)濟(jì)可行性。負(fù)責(zé)人稱(chēng)，更大型化的設(shè)備正在研發(fā)中。隨著“中微子泵”發(fā)電技術(shù)的改進(jìn)及商業(yè)化，未來(lái)
2025-07-11 15:17:35902 
共模浪涌以前沒(méi)有特別關(guān)注過(guò)，最近看到幾個(gè)類(lèi)似的應(yīng)用，因此結(jié)合DeepSeek強(qiáng)大的功能與網(wǎng)上搜集到的經(jīng)驗(yàn)分享，稍作整理歸納，供被共模浪涌困擾的小伙伴簡(jiǎn)單參考。
2025-07-10 10:50:291283 
harmony-utils之CacheUtil，緩存工具類(lèi)
2025-07-04 16:36:34374 的可行性進(jìn)行全面驗(yàn)證，可為 PEM 電解槽的實(shí)際應(yīng)用提供理論和實(shí)踐依據(jù)。
一、EasyGo PEM 電解槽模型
質(zhì)子交換膜（Proton Exchange Membrane，簡(jiǎn)稱(chēng)PEM）是電解槽
2025-07-03 18:25:40
在多核高并發(fā)場(chǎng)景下， 緩存偽共享（False Sharing） 是導(dǎo)致性能驟降的“隱形殺手”。當(dāng)不同線(xiàn)程頻繁修改同一緩存行（Cache Line）中的獨(dú)立變量時(shí)，CPU緩存一致性協(xié)議會(huì)強(qiáng)制同步整個(gè)
2025-07-01 15:01:35578 
成為可能。理論分析及實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了該結(jié)構(gòu)的可行性及有效性。
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*附件：無(wú)刷直流電機(jī)非換相相電流采樣的逆變器結(jié)構(gòu).pdf
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2025-06-27 16:42:50
的 BDFM初值算法,給出IEEERTS系統(tǒng)中 BDFM參數(shù)計(jì)算結(jié)果,以驗(yàn)證所提 BDFM潮流算法的可行性和正確性。
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*附件：無(wú)刷雙饋異步電機(jī)潮流建模和收斂性
2025-06-25 13:12:07
問(wèn)題,分析了母線(xiàn)無(wú)電解電容的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的特性,提出了一種基于“平均電壓裕度”的網(wǎng)側(cè)高功率因數(shù)的dg軸電流分配策略。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了所提出的控制方法的正確性和可行性。
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2025-06-25 12:33:37
有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專(zhuān)用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
/FeRAM (阻變/鐵電) 等，目標(biāo)是結(jié)合DRAM的速度和Flash的非易失性（存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存），部分已在特定領(lǐng)域應(yīng)用（如MRAM做緩存），是未來(lái)重要方向。
CXL：一種新的高速互連協(xié)議，旨在更高效地連接
2025-06-24 09:09:39
無(wú)法確定如何在 C++ 中的 NPU 上使用模型緩存
2025-06-24 07:25:43
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，Marvell 美滿(mǎn)電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間 17 日宣布推出業(yè)界首款 2nm 定制 SRAM，可為 AI xPU 算力設(shè)備提供至高 6Gb（即 768MB）的高速片上緩存。Marvell
2025-06-21 00:57:007264 出線(xiàn)端串接電感的控制策略。根據(jù)低溫余熱發(fā)電系統(tǒng)要求,搭建PMSG矢量控制系統(tǒng),并進(jìn)行 Madab 仿真與實(shí)驗(yàn)分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了MC對(duì)PMSG矢量控制的可行性和穩(wěn)定性,同時(shí)證明了串接電感環(huán)節(jié)的有效性
2025-06-04 14:50:35
近期受晶圓廠(chǎng)委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測(cè)試后， 通過(guò)對(duì)SRAM芯片的深入研究，對(duì)測(cè)試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標(biāo)地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶(hù)直觀(guān)地看到失效點(diǎn)分布位置。 通過(guò)多個(gè)失效芯片圖像的疊加，客戶(hù)可以看到多個(gè)芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45861 
的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，針對(duì)用戶(hù)使用中的痛點(diǎn)提出系統(tǒng)性解決方案，并通過(guò)案例驗(yàn)證其可行性。一、1、超薄化與空間適配雙品電子FFC排線(xiàn)厚度可低至0.12mm，由絕緣膠膜與扁平銅導(dǎo)體
2025-05-19 23:22:16675 
一、核心參數(shù)對(duì)比與替換可行性
輸入電壓范圍
SL3062：支持6V-60V寬輸入，覆蓋工業(yè)及車(chē)載高壓瞬態(tài)需求。
LMR16020：推測(cè)其輸入電壓上限為40V（參考同系列LMR14030的40V參數(shù)
2025-05-15 17:49:21
參考以下替換策略：
高電流需求?：選擇SL系列更高電流型號(hào)（如未提及的SL3088EESA等）。
兼容性優(yōu)化?：參考電源芯片代換案例（如調(diào)整反饋電阻或補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)）。
四、總結(jié)
替換可行性?：
適用
2025-05-15 16:36:25
、驗(yàn)證目標(biāo)搭建電路驗(yàn)證907電烙鐵測(cè)溫，發(fā)熱控制的可行性，調(diào)溫部分只做最簡(jiǎn)單的處理。達(dá)到快速驗(yàn)證可行性的目的，為之后優(yōu)化調(diào)溫排除障礙。二、材料清單RA-Eco-RA
2025-05-13 08:06:30951 
的另一優(yōu)勢(shì)在于：通過(guò)真實(shí)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的決策鏈，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)全流程的精準(zhǔn)控制，并評(píng)估每項(xiàng)決策的實(shí)際影響。
光學(xué)設(shè)計(jì)到制造可行性的整個(gè)過(guò)程是一個(gè)高度復(fù)雜的課題，其難點(diǎn)在于需統(tǒng)籌考量眾多因素，并且光學(xué)設(shè)計(jì)師往往難以
2025-05-09 08:49:35
從Flash或外部存儲(chǔ)器讀取的指令，減少CPU因等待指令加載而停滯，適用于實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)景（如中斷服務(wù)程序）。 D-Cache?：緩存從Flash、SRAM或外部存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)，加速變量與堆棧的讀寫(xiě)操作。 TCM（緊耦合內(nèi)存）?：部分MCU（如STM32H743）設(shè)置獨(dú)立TCM區(qū)域，存放需極低延
2025-05-07 15:29:47937 Nginx 是一個(gè)功能強(qiáng)大的 Web 服務(wù)器和反向代理服務(wù)器，它可以用于實(shí)現(xiàn)靜態(tài)內(nèi)容的緩存，緩存可以分為客戶(hù)端緩存和服務(wù)端緩存。
2025-05-07 14:03:021105 
計(jì)算結(jié)果，本章將針對(duì)仿真結(jié)果，把理論運(yùn)用于實(shí)踐，在地面實(shí)驗(yàn)中加載不同大小的電壓，考察縮比模型主動(dòng)變形的情況，作為模擬仿真的驗(yàn)證，證明仿真計(jì)算方法的可行性和可信性。同時(shí)在風(fēng)洞實(shí)驗(yàn)中探索MFC致動(dòng)器在風(fēng)力載荷情況下的驅(qū)動(dòng)性能。 測(cè)試
2025-04-25 11:59:24499 
數(shù)據(jù)緩存控制器主要實(shí)現(xiàn)了對(duì)大量突發(fā)數(shù)據(jù)的緩存、AXI4接口與AXI4-Stream接口之間的轉(zhuǎn)換和NVMe命令的生成等功能。這里主要介紹相關(guān)開(kāi)發(fā)流程。
2025-04-14 10:46:12678 
儲(chǔ)能和充電樁相結(jié)合， 不僅能實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排、削峰填谷的政治目標(biāo)， 還可以從峰谷價(jià)差中，取得不菲的經(jīng)濟(jì)效益。
2025-04-12 17:13:37418 強(qiáng)緩存直接告訴瀏覽器：在緩存過(guò)期前，無(wú)需與服務(wù)器通信，直接使用本地緩存。
2025-04-01 16:01:51798 入 200 N 的負(fù)載時(shí)，
比傳統(tǒng) PID 控制器具有更好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能，能有效抑制推力波動(dòng)而且 對(duì)負(fù)載擾動(dòng)具有很強(qiáng)的魯棒
性，其實(shí)驗(yàn)結(jié)果也證明了其
可行性和有效
性。
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2025-03-27 12:07:00
我在定制硬件中使用S32K312 IC （單核）。我已使用 RTD SDK 創(chuàng)建了該項(xiàng)目。
我看到有以下 RAM（大分區(qū)）可供我們使用（根據(jù)生成的鏈接器文件）：
int_dtcm
int_sram
2025-03-27 07:16:12
電傳感器實(shí)現(xiàn)避障，并采用上位機(jī)對(duì)其進(jìn)行監(jiān)控。為達(dá)到 AGV 電機(jī)調(diào)速的穩(wěn)定性與實(shí)時(shí)性，采用分?jǐn)?shù)階 PID 算法進(jìn)行控制，通過(guò) Matlab軟件進(jìn)行建模與仿真，驗(yàn)證其可行性。最后，經(jīng)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合驗(yàn)證，AGV 小車(chē)具有抗干擾能力強(qiáng)，避障精度高，運(yùn)行穩(wěn)定安全等優(yōu)點(diǎn)。
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2025-03-25 15:10:23
在美國(guó)，遠(yuǎn)程控制的自助倒酒龍頭是一門(mén)大生意。iPourIt通過(guò)RaspberryPi技術(shù)升級(jí)，大大提升了其解決方案的長(zhǎng)期可行性。
2025-03-25 09:40:29405 
本文探討充電樁板載電能計(jì)量是否靠譜，能否通過(guò)3C認(rèn)證，以及獨(dú)立電能表相比板載計(jì)量的優(yōu)點(diǎn)。
2025-03-24 08:35:50729 
目前光伏-混合儲(chǔ)能微電網(wǎng)系統(tǒng)在馬爾代夫、毛里求斯、安哥拉以及我國(guó)海南等地區(qū)應(yīng)用需求巨大。目前我國(guó)在光伏、儲(chǔ)能、PCS等微電網(wǎng)系統(tǒng)方面技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，協(xié)調(diào)控制方案成熟，并且在國(guó)內(nèi)外有眾多成功實(shí)施案例，因此光伏-混合儲(chǔ)能微電網(wǎng)系統(tǒng)在技術(shù)和經(jīng)濟(jì)方面都具有明顯的可行性。
2025-03-19 14:00:34774 
封裝基板設(shè)計(jì)是集成電路封裝工程中的核心步驟之一，涉及將芯片與外部電路連接的基板（substrate）設(shè)計(jì)工作?；逶O(shè)計(jì)不僅決定了芯片與外部電路之間的電氣連接，還影響著封裝的可靠性、性能、成本及生產(chǎn)可行性。
2025-03-12 17:30:151852 不同材料的刻蝕速率比，達(dá)到?>5:1?甚至更高的選擇比標(biāo)準(zhǔn)?。 一、核心價(jià)值與定義 l?精準(zhǔn)材料去除? 高選擇性蝕刻通過(guò)調(diào)整反應(yīng)條件，使目標(biāo)材料（如多晶硅、氮化硅）的刻蝕速率遠(yuǎn)高于掩膜或底層材料（如氧化硅、光刻膠），實(shí)現(xiàn)
2025-03-12 17:02:49809 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，萊迪思宣布在FPGA設(shè)計(jì)上前瞻性的布局，使其能夠結(jié)合MRAM技術(shù)，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用
2025-03-08 00:10:001803 （Brushless Direct Current,BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)的液壓系統(tǒng)運(yùn)行情況，構(gòu)建了BLDC 電機(jī)轉(zhuǎn)速控制模型。通過(guò)采用變結(jié)構(gòu)比例積分的方式，提升了壓力控制的精度，并證實(shí)了該控制策略的可行性。
2025-03-07 14:52:23
本文選擇輪轂電機(jī)作為制動(dòng)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)力，為下層控制器建立電液制動(dòng)力分配機(jī)制，再利用 Simulink-AMES-im 仿真平臺(tái)完成控制策略可行性測(cè)試。
限時(shí)零積分免費(fèi)下載下方資料！
2025-03-06 12:34:12
轉(zhuǎn)矩為最終控制目標(biāo)選擇最優(yōu)電壓矢量實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)矩的直接控制，省去了傳統(tǒng)直接轉(zhuǎn)矩控制方法中的磁鏈環(huán)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了理論分析的正確性和轉(zhuǎn)矩控制方法的可行性。
轉(zhuǎn)載自南京航空航天大學(xué)航空電源航空科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室一篇分享哦，點(diǎn)擊下方資料下載~~~
2025-03-05 18:25:04
歐洲地區(qū)對(duì)充電樁的標(biāo)準(zhǔn)與認(rèn)證執(zhí)行要求較高，本文從歐標(biāo)IEC不同的漏電流標(biāo)準(zhǔn)角度探討，如何滿(mǎn)足這些標(biāo)準(zhǔn)以降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本。通過(guò)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中機(jī)械耦合、電子耦合、漏電流檢測(cè)及控制電路的詳細(xì)解讀，本文提出了一種符合標(biāo)準(zhǔn)的可行性方案，我們歡迎各位讀者參與探討并提出寶貴的意見(jiàn)和建議。
2025-02-27 17:11:311607 
VMware vsan架構(gòu)采用2+1模式。每臺(tái)設(shè)備只有一個(gè)磁盤(pán)組（7+1），緩存盤(pán)的大小為240GB，容量盤(pán)的大小為1.2TB。
由于其中一臺(tái)主機(jī)（0號(hào)組設(shè)備）的緩存盤(pán)出現(xiàn)故障，導(dǎo)致VMware虛擬化環(huán)境中搭建的2臺(tái)虛擬機(jī)的磁盤(pán)文件（vmdk）丟失。
2025-02-23 17:05:54701 優(yōu)化是一個(gè)不斷持續(xù)的周期性的過(guò)程，您需要在應(yīng)用開(kāi)發(fā)過(guò)程中觀(guān)察應(yīng)用的運(yùn)行表現(xiàn)來(lái)識(shí)別性能瓶頸，通過(guò)運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)來(lái)定界定位性能問(wèn)題，定位根因后修復(fù)代碼并驗(yàn)證優(yōu)化措施的可行性，循環(huán)往復(fù)直到應(yīng)用滿(mǎn)足您的性能指標(biāo)
2025-02-19 15:28:10
當(dāng)今，便攜式和遠(yuǎn)程設(shè)備雖便利了生活，卻深受依賴(lài)電池之困，能量采集技術(shù)成破局關(guān)鍵，卻又面臨諸多阻礙。面對(duì)技術(shù)難題，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)以創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)，推出能量采集 PMIC，不僅攻克了技術(shù)的諸多難關(guān)，從根本上提高了能量采集的應(yīng)用可行性，更為行業(yè)發(fā)展注入了新的活力，引領(lǐng)行業(yè)朝著更高效、更環(huán)保的方向邁進(jìn)。
2025-02-18 17:33:591032 不知大家在平時(shí)的工作中是否遇到過(guò)類(lèi)似的問(wèn)題：在量產(chǎn)過(guò)程中，封裝遇到批次性異常，涉案數(shù)量較多，報(bào)廢成本太高；或者客戶(hù)急需這批貨來(lái)?yè)屨际袌?chǎng)。這時(shí)，如何進(jìn)行針對(duì)性驗(yàn)證，以判斷該異常是否對(duì)產(chǎn)品可靠性有影響
2025-02-10 12:29:22887 
使用25M的采樣頻率對(duì)1M的信號(hào)進(jìn)行采樣，ADS4129以12位cmos電平輸出，出來(lái)后的數(shù)據(jù)接緩存器SN74AVC16244，緩存器工作電壓是3.3V，在工作過(guò)程中緩存器很燙，芯片管腳沒(méi)有短路
2025-02-07 08:42:27
延遲、高可靠性和低噪音等優(yōu)點(diǎn)，逐漸取代了傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)，成為市場(chǎng)的主流選擇。而固態(tài)硬盤(pán)中的緩存技術(shù)，更是提升其性能的關(guān)鍵因素之一。本文將深入探討固態(tài)硬盤(pán)的定義、結(jié)構(gòu)、工作原理，以及帶緩存與不帶緩存的固態(tài)硬盤(pán)之間的區(qū)別，以期為相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員提供參考。
2025-02-06 16:35:364682 數(shù)據(jù)庫(kù)中的熱數(shù)據(jù)緩存在redis/本地緩存中，代碼如下： ? @Cacheable(value = { "per" }, key="#person.getId
2025-01-14 15:18:041250 
我司目前在評(píng)估HD SDI 輸入轉(zhuǎn)24bit RGB或HDMI輸出的項(xiàng)目可行性，從IC資料上看LMH03XX可以輸出YUV信號(hào)，但并不直接輸出RGB信號(hào)，是否有相關(guān)的產(chǎn)品方案？謝謝！
2025-01-14 07:34:52
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2025-01-13 15:17:30
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