MRAM的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)

MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。下面由宇芯電子介紹MRAM有哪些的優(yōu)劣勢(shì).
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MRAM優(yōu)勢(shì)分析
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MRAM的核心面積只有SRAM的1/2-1/4，也就是說(shuō)同面積下緩存容量是sram的2-4倍，可以大大降低成本。
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CPU的性能要想進(jìn)一步提高，緩存容量也必須跟著提高才能容納更多的數(shù)據(jù)和指令，而緩存占用的核心面積往往比核心更大（看看Intel Core處理器的架構(gòu)圖就知道了，NVIDIA也曾攻擊Intel說(shuō)他們的芯片其實(shí)在賣沒(méi)技術(shù)含量的緩存而已）。
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在這方面IBM和希捷在2009年的HPCA（高性能計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)國(guó)際研討會(huì)）上公布過(guò)有關(guān)L2緩存使用MRAM的研究成果，這里摘錄如下：
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首先設(shè)定一個(gè)模型，使用65nm COMS工藝制造SRAM和MRAM，同樣的面積下后者的容量可達(dá)前者四倍，如果轉(zhuǎn)換成存儲(chǔ)cell，那么MRAM的cell數(shù)大約是40，而SRAM則是146。
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MRAM的不足：寫(xiě)入性能下降
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MRAM技術(shù)也不是沒(méi)有死穴，寫(xiě)入性能下降就是一例。模擬結(jié)果表明，MRAM的寫(xiě)入速度下降了12-19%，整體的IPC指令性能下降了3-7.5%左右。

sram的延遲約為2.264ns，而MRAM則有11.024ns，是前者的5倍多。
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寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)功耗增加也是MRAM的不足之一，SRAM寫(xiě)入過(guò)程只消耗0.797nJ（納焦），而MRAM需要4.997nJ，是前者的6倍多。不過(guò)待機(jī)時(shí)就不一樣了，2MB SRAM需要2.089W功耗，而8MB MRAM只需要0.255W，壓倒性的勝利。
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MRAM具有可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車和工業(yè)，軍及太空應(yīng)用，這些對(duì)于MRAM開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)是重要的部分。

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sram(113777) sram(113777)
RAM(113632) RAM(113632)
MRAM(31550) MRAM(31550)

評(píng)論

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在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì) 在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)是一種能夠?qū)崟r(shí)收集、分析和歸檔數(shù)據(jù)的軟件系統(tǒng)，其優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)如下： 優(yōu)勢(shì)：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)：在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)能夠?qū)崟r(shí)收集數(shù)據(jù)，幫助管理員及時(shí)發(fā)現(xiàn)異常情況，進(jìn)行有效的預(yù)警和干預(yù)

2023-08-22 09:13:36

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FPGA和ASIC的優(yōu)劣勢(shì) FPGA和ASIC的應(yīng)用場(chǎng)景及前景

　　FPGA和ASIC是數(shù)字電路中常見(jiàn)的實(shí)現(xiàn)方式，因此人們經(jīng)常會(huì)想要了解哪種芯片在未來(lái)的發(fā)展中更具有前途。然而，這取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求。在本文中，我們將探討FPGA和ASIC的優(yōu)劣勢(shì)，并分析哪種芯片在特定的應(yīng)用場(chǎng)景中更具有優(yōu)勢(shì)。

2023-08-14 16:40:20

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蟲(chóng)情測(cè)報(bào)燈的功能優(yōu)勢(shì)

蟲(chóng)情測(cè)報(bào)燈的功能優(yōu)勢(shì)

2023-08-11 17:15:58

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HT8310音頻功放芯片的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)

這里針對(duì)HT8310音頻功放芯片的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)進(jìn)行詳細(xì)介紹的圖文報(bào)告。【HT8310音頻功放芯片的優(yōu)勢(shì)】高功率輸出：HT8310音頻功放芯片具有高達(dá)10瓦的功率輸出能力，能夠提供強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)力

2023-07-26 16:47:02

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螺桿支撐座兩端使用深溝球軸承的劣勢(shì)

螺桿支撐座兩端使用深溝球軸承的劣勢(shì)

2023-07-18 17:45:35

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扁線電機(jī)有什么優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)

扁線擁有許多傳統(tǒng)繞組不可比擬的優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)扁線電機(jī)也有部分劣勢(shì)，但總體而言瑕不掩瑜。隨著技術(shù)的發(fā)展和滲透率的逐漸提升，扁線電機(jī)應(yīng)用的障礙正在被逐個(gè)化解。

2023-07-17 16:36:26

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共封光學(xué)器件有何優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)

CPO市場(chǎng)產(chǎn)生的收入在 2022 年達(dá)到約 3800 萬(wàn)美元，預(yù)計(jì)到 2033 年將達(dá)26億美元，2022-2033 年復(fù)合年增長(zhǎng)率為 46%。對(duì)快速增長(zhǎng)的訓(xùn)練數(shù)據(jù)集大小的預(yù)測(cè)表明，數(shù)據(jù)將成為擴(kuò)展 ML 模型的主要瓶頸，因此我們可能會(huì)看到人工智能 (AI) 進(jìn)展放緩。

2023-07-17 10:54:17

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滾珠螺桿的使用優(yōu)勢(shì)

滾珠螺桿的使用優(yōu)勢(shì)

2023-07-15 17:42:39

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雷達(dá)的常見(jiàn)分類方法及發(fā)展趨勢(shì)

GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性，但也需要更多的測(cè)試和優(yōu)化，在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)： 優(yōu)勢(shì)： GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性，可以提高雷達(dá)的性能。

2023-07-10 11:25:11

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芯片制造商N(yùn)etsol推出STT-MRAM

Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來(lái)快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

2023-07-07 17:06:59

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激光焊接有哪些優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)

激光焊接是一種高精度的焊接技術(shù)，利用激光束將金屬材料加熱至熔化點(diǎn)以實(shí)現(xiàn)焊接。它在工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用，具有許多優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)。本文將介紹激光焊接的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)，并對(duì)其在各個(gè)領(lǐng)域中的應(yīng)用進(jìn)行探討。激光

2023-07-05 17:16:12

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PD快充的優(yōu)勢(shì)有哪些？

USB Power Delivery (USB PD) 快充技術(shù)具有以下優(yōu)勢(shì)。

2023-06-30 10:31:25

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快速了解固態(tài)光學(xué)氧傳感器優(yōu)劣勢(shì)

在當(dāng)前的科技發(fā)展中，傳感器技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域中起著至關(guān)重要的作用。其中，固態(tài)光學(xué)氧傳感器作為一種新興的傳感器技術(shù)，具有許多優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)。本文將對(duì)固態(tài)光學(xué)氧傳感器的優(yōu)劣勢(shì)進(jìn)行探討和分析。首先，固態(tài)光學(xué)

2023-06-27 10:11:59

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塑封貼片壓敏電阻的優(yōu)勢(shì)有哪些？5大優(yōu)勢(shì)分享！

塑封貼片壓敏電阻是一種非常流行的電子元件，它具有許多優(yōu)勢(shì)，被廣泛運(yùn)用于各種應(yīng)用當(dāng)中。今天弗瑞鑫小編將探討塑封貼片壓敏電阻的優(yōu)勢(shì)。

2023-06-25 16:13:50

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安全光幕優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

安全光幕的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

2023-06-25 13:50:39

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Linux OS聯(lián)網(wǎng)優(yōu)勢(shì)是什么？

近年來(lái)，物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)技術(shù)逐步成熟并擴(kuò)展至生活應(yīng)用，在整合云端運(yùn)算技術(shù)的發(fā)展下，其擁有快速反應(yīng)服務(wù)需求、信息更新等優(yōu)勢(shì)，導(dǎo)入云端服務(wù)更可節(jié)省服務(wù)器、帶寬等軟硬件大量建構(gòu)成本，有效地提升開(kāi)發(fā)效率。而物聯(lián)網(wǎng)

2023-06-25 06:55:30

數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用STT-MRAM芯片S3R1016

MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過(guò)程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫(xiě)入速度與高耐久性。

2023-06-20 17:06:22

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RC modeling的優(yōu)劣勢(shì)

FIGURE 6.5講了3種不同的Lumped RC modeling，書(shū)中說(shuō)明了這三種RC modeling的優(yōu)劣勢(shì)。

2023-06-19 16:42:20

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光耦有哪些優(yōu)勢(shì)？深度解說(shuō) 拿走不謝！

光耦是一種電子元器件，具有諸多優(yōu)勢(shì)，尤其是在高速傳輸領(lǐng)域中具有巨大的優(yōu)勢(shì)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和創(chuàng)新，光耦有望在更廣泛的領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。那么光耦有哪些優(yōu)勢(shì)呢?接下來(lái)弗瑞鑫小編來(lái)為大家一一介紹下。

2023-06-17 11:33:00

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1Mbit存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。

2023-05-31 17:23:08

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行業(yè)首創(chuàng)！恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電，推出汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)

2023-05-26 20:15:02

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適合用于多功能打印機(jī)存儲(chǔ)芯片S3A1604

MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫(xiě)速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。

2023-05-23 17:34:15

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Netsol并口STT-MRAM非易失存儲(chǔ)S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。

2023-05-12 16:31:39

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Netsol SPI MRAM芯片S3A1604

S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。

2023-04-27 17:33:44

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一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

2023-04-19 17:45:46

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如何使用SEMC將iMX RT1024連接到MRAM？

我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過(guò)比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊(cè)

2023-04-17 07:52:33

通常情況下雙面沉金PCB線路板有哪些優(yōu)勢(shì)？

通常情況下雙面沉金PCB線路板有哪些優(yōu)勢(shì)？

2023-04-14 15:20:40

云存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)

云存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì) 目前云存儲(chǔ)的主要分為公有云、私有云和混合云。公有云通常指第三方提供商為用戶提供的能夠使用的云，公有云一般可通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)使用。這種云有許多實(shí)例，比如百度云盤、360

2023-04-13 13:54:18

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什么是PCB單面板？PCB單層板有什么優(yōu)勢(shì)及缺點(diǎn)呢？

什么是PCB單面板？PCB單層板有什么優(yōu)勢(shì)及缺點(diǎn)呢？

2023-04-11 14:55:42

NETSOL串行MRAM產(chǎn)品介紹

STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。

2023-04-07 17:02:07

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MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣

2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢(shì)？

8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)與富士通FRAM相比，升級(jí)到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢(shì)：?更快的隨機(jī)訪問(wèn)操作時(shí)間?高可靠性和數(shù)

2023-04-07 16:26:28

家庭安裝儲(chǔ)能太陽(yáng)能板有哪些優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)？看完你就知道了

家用儲(chǔ)能太陽(yáng)能板是指將太陽(yáng)能電池板安裝在家庭住宅屋頂上，將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能并存儲(chǔ)起來(lái)，以供家庭使用。這種方式的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)如下： 優(yōu)勢(shì)： 1、環(huán)保節(jié)能：家用儲(chǔ)能太陽(yáng)能板使用太陽(yáng)能進(jìn)行發(fā)電，無(wú)污染無(wú)排放

2023-04-07 09:55:55

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MR25H10MDCR

IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN

2023-04-06 16:00:29

AD21487WBSWZ4B04

SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS

2023-04-06 11:21:52

LVDS振幅差分信號(hào)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)

LVDS (Low Voltage Differential Signaling）是一種小振幅差分信號(hào)技術(shù)，它使用非常低的幅度信號(hào) (250mV~450mv）通過(guò)一對(duì)平行的PCB走線或平衡電纜傳輸數(shù)據(jù)是一種專業(yè)的低電壓差分信號(hào)

2023-04-06 09:46:43

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數(shù)字電源與模擬電源的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

近幾年，使用微處理器控制開(kāi)關(guān)式電源不斷發(fā)展。數(shù)字電源與模擬電源兩大陣營(yíng)的在其優(yōu)劣勢(shì)方面存在許多的爭(zhēng)議，但實(shí)際上各方都有其自身獨(dú)到的優(yōu)勢(shì)和不足之處，在采取的對(duì)策的時(shí)候也需要我們根據(jù)自己的需求，選擇最合適的解決策略。

2023-03-31 10:14:12

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MRAM的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)

評(píng)論