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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

深度剖析 STM32?搭配 SD卡、SD NAND（貼片式T卡）存儲(chǔ)于心電監(jiān)測(cè)設(shè)備的全方位評(píng)測(cè)

在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域，心電監(jiān)測(cè)設(shè)備的性能提升依賴于主芯片與存儲(chǔ)的協(xié)同工作，以及合理的 PCBA 設(shè)計(jì)。Nordic nRF52、TI MSP430、STM32...

2025-05-06 標(biāo)簽：mcu NAND 嵌入式硬件 290 0

3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。

2025-04-08 標(biāo)簽：NAND 制造工藝閃存芯片 590 0

拯救NAND/eMMC：延長閃存壽命

隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長使用壽命的實(shí)用方法。前言長...

2025-03-25 標(biāo)簽：閃存 NAND emmc 984 0

NAND Flash與SD NAND的存儲(chǔ)扇區(qū)架構(gòu)差異

NAND Flash?和?SD卡（SD NAND）的存儲(chǔ)扇區(qū)分配表都是用于管理存儲(chǔ)設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的，以及文...

2025-03-13 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND FlaSh 843 0

NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。

2025-03-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ)器 1098 0

【飛凌技術(shù)分享】從eMMC到NAND，嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的軟件優(yōu)化策略

存儲(chǔ)穩(wěn)定性直接關(guān)乎到最終產(chǎn)品的穩(wěn)定性，本文圍繞eMMC和NAND的特性做了對(duì)比介紹，目的是幫助研發(fā)工程師在實(shí)際開發(fā)產(chǎn)品過程中更簡單、更高效。

2025-02-21 標(biāo)簽：嵌入式 NAND emmc 1129 0

CS創(chuàng)世SD NAND【貼片式sd卡】的測(cè)試使用說明

今天收到了來自深圳市雷龍發(fā)展有限公司寄來的存儲(chǔ)卡，它是一款自帶壞塊管理的貼片式NAND Flash，適用于嵌入式系統(tǒng)。SD NAND尺寸小巧，支持SPI...

2025-02-17 標(biāo)簽：mcu NAND 存儲(chǔ)卡 300 0

一文帶你了解什么是SD NAND存儲(chǔ)芯片

前言：隨著國內(nèi)市場對(duì)芯片的需求日益增加，國產(chǎn)中高端芯片在不斷的占領(lǐng)國內(nèi)市場甚至在國際市場都有一部分，越來越多的企業(yè)開始研究自己的芯片，這個(gè)芯片的種類繁...

2024-11-13 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SD NAND 1677 0

一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲(chǔ)器的區(qū)別

存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用： 1 NANDNAND Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種...

2024-11-11 標(biāo)簽：NAND DDR emmc 9076 0

eMMC主控的定義和主要功能

eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒體存儲(chǔ)卡。eMMC采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的接口，把高容量NAND Flash...

2024-11-09 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 1315 0

3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過在垂直方向上堆疊存儲(chǔ)單元，大幅提升了存儲(chǔ)密度。本文將簡...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D 1856 0

瀚海微SD NAND之SD 協(xié)議（34）1.8V信號(hào)的時(shí)序

固定數(shù)據(jù)窗口插卡輸出時(shí)序如下圖所示，SDR12、SDR25、SDR50的輸出時(shí)序。

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瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（27）C_SIZE

該參數(shù)用于計(jì)算用戶的數(shù)據(jù)卡容量(不包括安全保護(hù)區(qū)域)，數(shù)據(jù)卡的內(nèi)存容量從C_SIZE、C_SIZE MULT和READ_BL_LEN表項(xiàng)計(jì)算。

2024-09-21 標(biāo)簽：電源 NAND 內(nèi)存 558 0

心率監(jiān)測(cè)儀使用的存儲(chǔ)產(chǎn)品

心率監(jiān)測(cè)儀可能會(huì)使用多種存儲(chǔ)產(chǎn)品來記錄和保存心率數(shù)據(jù)，具體取決于設(shè)備的設(shè)計(jì)、應(yīng)用場景和技術(shù)要求。

2024-09-21 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)卡 SD卡 513 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述（24）擦除超時(shí)計(jì)算

擦除單元速度類規(guī)范定義了一個(gè)新的管理單元AU(分配單元)。擦除超時(shí)計(jì)算被定義為AU的基礎(chǔ)。SD存儲(chǔ)卡支持塊擦除，但擦除塊需要更多的時(shí)間，這是AU(部分擦...

2024-09-07 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)卡 SD 812 0

SD NAND SPI模式：如何實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行

最近，收到客戶反饋，使用我們SD NAND過程中，使用SPI模式，對(duì)SD完成操作后，SD沒有進(jìn)入低功耗模式，未對(duì)SD進(jìn)行任何操作的情況下測(cè)得的功耗仍在2...

2024-09-02 標(biāo)簽：mcu NAND SPI 698 0

SD NAND參考設(shè)計(jì)提示

一、電路設(shè)計(jì)1、參考電路：R1~R5(10K-100kΩ)是上拉電阻，當(dāng)SDNAND處于高阻抗模式時(shí)，保護(hù)CMD和DAT線免受總線浮動(dòng)。即使主機(jī)使用SD...

2024-08-30 標(biāo)簽：上拉電阻 NAND 電路設(shè)計(jì) 500 0

JK觸發(fā)器的原理和功能

JK觸發(fā)器，也被稱為通用可編程觸發(fā)器，是數(shù)字電路中的一種重要且功能強(qiáng)大的基本存儲(chǔ)器件。其名稱源自其兩個(gè)輸入端口J（置位）和K（復(fù)位），以及一個(gè)關(guān)鍵的控制...

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瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述(15)命令類b

1)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不得跨越物理塊邊界，除非在CSD中設(shè)置了WRITE BLK MISALIGN。如果不支持寫部分塊，則塊長度-默認(rèn)塊長度(在CSD中給出)1...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SDIO接口 864 0

NAND Flash與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別

NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對(duì)NAND Flash優(yōu)...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 SSD硬盤 1135 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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