最近，收到客戶反饋，使用我們SD NAND過(guò)程中，使用SPI模式，對(duì)SD完成操作后，SD沒(méi)有進(jìn)入低功耗模式，未對(duì)SD進(jìn)行任何操作的情況下測(cè)得的功耗仍在20mA左右。經(jīng)過(guò)我們分析，發(fā)現(xiàn)SD進(jìn)入低功耗的原因是CMD24后 MISO電平高,這沒(méi)有把busy動(dòng)作做完所以沒(méi)在低功耗

上電初始化完成，沒(méi)有CMD下發(fā)是進(jìn)入低功耗的必要條件，其他也可能會(huì)有一些因素導(dǎo)致進(jìn)入低功耗失敗，如下圖，busy狀態(tài)需要持續(xù)下發(fā)clock(正常8個(gè)就行），直到一直讀到0xFF為止。

MK米客方德不斷鉆研技術(shù)創(chuàng)新，推動(dòng)工業(yè)進(jìn)步，致力于為客戶帶來(lái)更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品以及服務(wù)體驗(yàn)。