nand

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

NAND FLASH驅(qū)動(dòng)程序?qū)崿F(xiàn)的三個(gè)具體方面分析

隨著U盤、數(shù)碼相機(jī)、mp3音樂(lè)播放器等移動(dòng)設(shè)備的廣泛應(yīng)用，F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器已經(jīng)逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中主要數(shù)據(jù)和程序的載體。NAND...

2018-12-18 標(biāo)簽：NAND 嵌入式系統(tǒng) 3152 0

美光Crucial X8移動(dòng)固態(tài)硬盤詳細(xì)評(píng)測(cè)

近年來(lái)隨著NAND閃存技術(shù)的快速發(fā)展與普及，固態(tài)硬盤SSD已經(jīng)逐漸成為消費(fèi)者的首選。外置便攜存儲(chǔ)也全面改用速度更快的固態(tài)閃存，在轉(zhuǎn)存數(shù)據(jù)、備份文件等操作...

2020-10-29 標(biāo)簽：NAND 固態(tài)硬盤閃存技術(shù) 3128 0

ARM各種斷點(diǎn)到底有什么區(qū)別？什么類型的斷點(diǎn)會(huì)修改Flash？

最近在支持BLE KW客戶時(shí)就遇到一個(gè)很隱蔽的問(wèn)題，讓我對(duì)ARM斷點(diǎn)又有了顛覆性的認(rèn)識(shí)，此處聊作記錄，也為讀者分析問(wèn)題提供一個(gè)思路。

2023-08-28 標(biāo)簽：處理器 mcu arm 3073 0

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類型。

2023-11-30 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 3059 0

低功耗和緊湊型解決方案滿足嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存要求

2014 年，賽普拉斯推出了 HyperBus 接口，該接口利用并行和串行接口存儲(chǔ)器的傳統(tǒng)特性，提高了系統(tǒng)性能，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并顯著降低了成本。在支持 H...

2022-07-26 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 內(nèi)存 3054 0

SAP HANA如何使用非易失性內(nèi)存

由于HANA一體機(jī)的特點(diǎn)，使用最新的NVM內(nèi)存需要的是整個(gè)軟硬件業(yè)界的共同努力。目前SAP HANA數(shù)據(jù)庫(kù)（HANA2 SPS03）已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對(duì)NVM的...

2022-06-10 標(biāo)簽：處理器 DRAM NAND 3041 0

常用存儲(chǔ)器介紹

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能?；镜拇鎯?chǔ)器種類見(jiàn) 圖21_1。

2023-02-15 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 3004 0

SPI NAND驅(qū)動(dòng)性能測(cè)試分析與優(yōu)化

既然是追求性能,所以我們后面就都基于X4模式進(jìn)行了。

2023-06-21 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SPI 2975 0

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存...

2023-06-10 標(biāo)簽：閃存 NAND 2959 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)閃速存儲(chǔ)器

閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）簡(jiǎn)稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器...

2023-11-23 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 2951 0

非易失性存儲(chǔ)器主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)？

　　閃存幾乎無(wú)處不在，特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增加，閃存不斷地推動(dòng)著越來(lái)越多的平臺(tái)中硬盤驅(qū)動(dòng)...

2012-05-21 標(biāo)簽：閃存 NAND NOR 2928 0

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

2023-07-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 晶體管 2857 0

新型存儲(chǔ)技術(shù)：新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹

Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存，該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢，但是遠(yuǎn)快于NAND類介質(zhì)。本文對(duì)該類介質(zhì)的特性及使用方...

2023-01-15 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù) 2839 0

如何才能提高儲(chǔ)存器的良率控制

數(shù)據(jù)是人們生活中不可或缺的重要組成部分。受制于容量限制，人們往往需要定期地從設(shè)備上刪除“無(wú)用的”文件以釋放存儲(chǔ)空間。然而，許多人并沒(méi)有定期清理文件的習(xí)慣...

2020-01-27 標(biāo)簽：NAND Flash 儲(chǔ)存器 2835 0

基于NAND門的方波發(fā)生器電路

方波廣泛用于許多數(shù)字電路。許多組合邏輯電路都需要這種波來(lái)工作。以下是您可以使用NAND，逆變器和施密特觸發(fā)門生成簡(jiǎn)單方波的幾種方法。這些方波發(fā)生器非常適...

2023-06-18 標(biāo)簽：NAND 發(fā)生器電路方波發(fā)生器 2797 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片蝕刻技術(shù) 2715 0

如何根據(jù)NAND閃存特性選擇正確的閃存控制器

NAND閃存是一種大眾化的非易失性存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)樾⌒停凸那覉?jiān)固耐用。盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲(chǔ)，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時(shí)，需要考慮許多重要特...

2020-12-18 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ)技術(shù) 2671 0

各種MRAM家族成員的挑戰(zhàn)和前景

磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它依靠?jī)蓚€(gè)鐵磁層的（相對(duì)）磁化狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。多年來(lái)，出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲(chǔ)...

2022-07-26 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 MRAM 2646 0

Micrium全家桶之uC-FS: 0x02 NAND FTL算法原理詳解

uC-FS的NAND驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)基于一篇論文:《KAST: K-Associative Sector Translation for NAND Flash ...

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 算法 2605 0

pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...

2023-08-01 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 2595 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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