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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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閃存單元由修改的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)組成,在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過(guò)施加高壓將電荷注入到浮柵上(或從浮柵上去除)。 ...
為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失???為什么燒錄成功了,一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來(lái)?了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)就都有答案了。
如何實(shí)現(xiàn)一種基于RT1021的最小系統(tǒng)板設(shè)計(jì)?
最小系統(tǒng)使用TYPEC接口供電,帶一塊1.3寸顯示屏,分辨率為:240*240。
2023-09-13 標(biāo)簽:二極管NAND過(guò)壓保護(hù)電路 1862 0
傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問(wèn)題,3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,通過(guò)在垂直方向上堆疊存儲(chǔ)單元,大幅提升了存儲(chǔ)密度。本文將簡(jiǎn)...
淺談智能座艙常見(jiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)(NAND 閃存 TF卡)
根據(jù)TF卡的存儲(chǔ)量來(lái)看,一般16G內(nèi)存的卡可以錄制100分鐘視頻存儲(chǔ),32G內(nèi)存的卡可以錄制200分鐘視頻存儲(chǔ),64G內(nèi)存的卡可以錄制400分鐘視頻存儲(chǔ)
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán),手機(jī)存儲(chǔ)等等,電腦...
沒(méi)有位NAND或NOR運(yùn)算符。NAND或NOR操作是分別反轉(zhuǎn)AND或OR操作的結(jié)果,如~(m&n)。需要括號(hào),以便先執(zhí)行AND運(yùn)算。
Linux SPI-NAND 驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)指南
Linux SPI-NAND 驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)指南 1 概述1.1 編寫(xiě)目的1.2 適用范圍1.3 相關(guān)人員3 流程設(shè)計(jì)3.1 體系結(jié)構(gòu)3.2 源碼結(jié)構(gòu)3.3 ...
2023-03-06 標(biāo)簽:NAND驅(qū)動(dòng)Linux 1801 0
Nand flash有非易失、存儲(chǔ)容量大、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn);同時(shí)具有存在壞塊、擦除次數(shù)有限、易出現(xiàn)error bit的缺點(diǎn);并且具有擦除以block(塊)為...
2023-09-08 標(biāo)簽:NANDFlaSh兆易創(chuàng)新 1794 0
基于NAND柵極的CMOS 4011的簡(jiǎn)單晶體振蕩器電路
許多需要精確控制時(shí)間的電子電路都使用晶體振蕩器。下圖所示的僅使用一個(gè)基于NAND柵極的CMOS 4011的簡(jiǎn)單晶體振蕩器。電阻R1將柵極偏置為線性區(qū)域,...
金士頓XS1000移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)評(píng)測(cè)
隨著NAND閃存的降價(jià),現(xiàn)在除了PC臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦廣泛使用內(nèi)置SSD外,用戶的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備也普遍從移動(dòng)機(jī)械硬盤(pán)升級(jí)為了移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)。而為了帶給用戶更...
近日長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)家族再添新成員Ti600.Ti600是致態(tài)推出的首款QLC SSD。SSDFans第一時(shí)間體驗(yàn)這款產(chǎn)品性能,并對(duì)Ti600(2T)...
NAND FLASH與NOR FLASH的技術(shù)對(duì)比
目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
米爾瑞薩RZ/G2L開(kāi)發(fā)板 TF卡讀寫(xiě)速度測(cè)試
米爾瑞薩RZ/G2L開(kāi)發(fā)板TF卡讀寫(xiě)測(cè)試
2023-05-22 標(biāo)簽:NAND瑞薩開(kāi)發(fā)板 1696 0
前言: 隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)芯片的需求日益增加,國(guó)產(chǎn)中高端芯片在不斷的占領(lǐng)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)甚至在國(guó)際市場(chǎng)都有一部分,越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始研究自己的芯片,這個(gè)芯片的種類繁...
3DNAND絕對(duì)是芯片制程的天花板,三星,海力士,英特爾,長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都有3DNAND的產(chǎn)線,代表了一個(gè)國(guó)家的芯片制造水平。今天,我們就來(lái)剖析一下3DNA...
芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試,其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試,前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性,如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。
致態(tài)Ti600 4TB SSD測(cè)評(píng)
前段時(shí)間長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)推出了首款QLC SSD,Ti600。Ti600之前已推出了500GB、1TB、2TB 3個(gè)容量配置,現(xiàn)在Ti600 又加推了...
長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)Ti600 2TB SSD評(píng)測(cè)分析
致態(tài)Ti600系列SSD采用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新一代NAND閃存顆粒,基于晶棧Xtacking 3.0架構(gòu), 再配合優(yōu)秀主控解決方案,可以達(dá)到7000M...
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