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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

NAND Flash非易失存儲器簡介

NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲等等，電腦...

2022-11-10 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲器 2434 0

基于K9K2G08存儲器實現(xiàn)微型心電記錄儀的設(shè)計

常規(guī)心電圖記錄儀是醫(yī)生診斷心臟疾病的主要手段之一，但它僅能記錄短暫心搏情況。由于在相當(dāng)多的情況下難以記錄到即刻發(fā)作時的心電圖改變，導(dǎo)致無法作出正確的診斷和治療。

2021-04-14 標(biāo)簽：電源 nand 存儲器 2420 0

漫談QLC其一：QLC定義及應(yīng)用

2023-11-23 標(biāo)簽：閃存 NAND qlc 2417 0

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為...

2023-05-25 標(biāo)簽：NAND MLC slc 2405 0

基于NAND FLASH控制器的自啟動方式實現(xiàn)SOC系統(tǒng)的設(shè)計

本文所討論的NAND FLASH控制器是針對一款基于ARM7TDMI的SoC芯片，該控制器在芯片中的位置如圖1所示，作為AMBA總線上的一個從設(shè)備集成于...

2020-05-20 標(biāo)簽：控制器 nand flash 2385 0

在M2M應(yīng)用中使用NOR和NAND閃存

　　物聯(lián)網(wǎng) （IoT）及其 M2M 產(chǎn)品將一些最令人興奮的電子技術(shù)進(jìn)步帶到了我們生活的最前沿。大多數(shù)新產(chǎn)品和豐富的 M2M 服務(wù)正在針對 3G 技術(shù)進(jìn)行擴(kuò)展。

2022-06-14 標(biāo)簽：NAND 物聯(lián)網(wǎng)調(diào)制解調(diào)器 2302 0

NAND Flash和NOR Flash哪個更好

在討論NAND Flash和NOR Flash哪個更好時，我們需要從多個維度進(jìn)行深入分析，包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢等。

2024-07-29 標(biāo)簽：驅(qū)動器 NAND FlaSh 2268 0

如何訪問NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)?

在開始處理一體FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)之前，我們應(yīng)該警告你，一體FLASH器件焊接的整個過程很復(fù)雜，需要良好的焊接技能和特殊設(shè)備。如果您之前從未嘗試過焊接一...

2023-10-09 標(biāo)簽：pcb NAND 存儲卡 2253 0

金士頓DataTraveler Max閃存盤評測

目前金士頓DataTraveler Max閃存盤由256GB、512GB、1TB三種容量組成，還有方便與手機(jī)連接的Type-C版本（長度要短一些，只有8...

2022-12-21 標(biāo)簽：NAND SSD 金士頓 2194 0

MCU用于NAND閃存保存引導(dǎo)代碼和固件的三種方法

請注意 USB OTG、以太網(wǎng)和 TFT 顯示接口等高端外圍設(shè)備。這些可能是代碼和數(shù)據(jù)密集型的。更高密度的 NAND 閃存的一個完美應(yīng)用是保存圖形頁面模...

2022-08-09 標(biāo)簽：微控制器 mcu SDRAM 2170 0

STM32的FSMC外設(shè)簡介

Flexible static memory controller(FSMC)靈活的靜態(tài)存儲控制器。FSMC可以連接異步或同步存儲器或16位PC存儲卡

2023-07-11 標(biāo)簽：Nand SRAM控制器 AHB總線 2162 0

nor flash的特點有哪些 nor flash和nand flash的區(qū)別

做電子產(chǎn)品，不免要跟存儲類產(chǎn)品打交道，也就是我們說的MEMORY。

2023-08-08 標(biāo)簽：Nand 存儲器 SPI接口 2153 0

NAND里的LDO設(shè)計

我們當(dāng)然希望LDO的輸出準(zhǔn)確、負(fù)載（電流）變化時能夠快速響應(yīng)。

2023-06-19 標(biāo)簽：NAND 比較器電源電壓 2146 0

NAND Flash和NOR Flash存儲器的區(qū)別

摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以...

2023-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND FlaSh 2142 0

Micrium全家桶之uC-FS: 0x02 NAND FTL算法原理詳解

uC-FS的NAND驅(qū)動實現(xiàn)基于一篇論文:《KAST: K-Associative Sector Translation for NAND Flash ...

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 算法 2041 0

存儲芯片將走向何方？存儲芯片的分類

應(yīng)用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn)，比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲空間，滿足了業(yè)界日益增長的存儲需求，因而成為主流。

2023-04-10 標(biāo)簽：NAND 存儲芯片 3d nand 2016 0

汽車電子系統(tǒng)中閃存文件系統(tǒng)的應(yīng)用設(shè)計與研究

事務(wù)文件系統(tǒng)可以通過處理設(shè)備中的事務(wù)日志來動態(tài)建立文件系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)。這種操作發(fā)生在系統(tǒng)啟動之時，應(yīng)設(shè)計成只有很少部分的數(shù)據(jù)需要讀取和CRC校驗。這樣一...

2021-04-06 標(biāo)簽：嵌入式 nand 汽車電子 1990 0

SSD和HDD的具體對比

SSD廠商早就預(yù)測NAND閃存的價格會隨著時間的推移而下降，讓SSD能夠在單價上與HDD競爭。事實上，NAND閃存的價格一直在下降。

2023-12-01 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 1987 0

SSD常用術(shù)語的簡單介紹

SSD主要由控制單元和存儲單元組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等，存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。NAND FLASH內(nèi)部存儲...

2024-01-02 標(biāo)簽：控制器 DRAM NAND 1959 0

關(guān)于半導(dǎo)體價值鏈分析（設(shè)計、制造和后制造）

半導(dǎo)體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 半導(dǎo)體制造 1932 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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