三星閃存每個(gè)季度都要漲價(jià)20％

在此之前，三星、sk海力士、美光、皮協(xié)因需求嚴(yán)重疲軟而采取了大規(guī)模減產(chǎn)措施，三星也在今年4月公布了閃存第一次減產(chǎn)計(jì)劃后延長(zhǎng)了減產(chǎn)計(jì)劃。

2023-11-03 標(biāo)簽：NAND閃存芯片三星 1.3k 0

三星西安廠計(jì)劃將NAND工藝升級(jí)為236層 明年初更換設(shè)備

據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計(jì)劃對(duì)中國(guó)西安nand閃存工廠進(jìn)行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段（v8）。三星決定從明...

2023-11-03 標(biāo)簽：閃存NAND三星電子 2.5k 0

阿里平頭哥發(fā)布首顆SSD主控芯片：鎮(zhèn)岳510

鎮(zhèn)岳510芯片使用pcie 5.0x4接口、nvme1.4b規(guī)格、zns接口協(xié)議、16個(gè)高速nand通道，支持大容量、高帶寬。支持1xxl/2xxl t...

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片NAND平頭哥 2k 0

三星電子和SK海力士計(jì)劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量

　SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級(jí)第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國(guó)投資證券分析師預(yù)計(jì)，由于DDR5需...

2023-10-24 標(biāo)簽：DRAMNAND服務(wù)器 954 0

消息稱三星西安半導(dǎo)體工廠開啟工藝升級(jí)，正采購(gòu)新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND

10 月 16 日消息，上周一，三星電子和 SK 海力士等韓國(guó)公司獲得美國(guó)政府無(wú)限期豁免，其中國(guó)工廠無(wú)需特別許可即可進(jìn)口美國(guó)芯片設(shè)備。 對(duì)于三星來說這無(wú)...

2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND三星 1k 0

NAND Flash合約價(jià)全面漲幅約8~13%

　據(jù)報(bào)告顯示，NAND Flash的第四季度合約價(jià)全面上漲，漲幅約為8~13%。這一漲幅超出了之前的預(yù)期。TrendForce在9月11日的報(bào)告中預(yù)計(jì)，...

2023-10-17 標(biāo)簽：NAND晶圓固態(tài)硬盤 2k 0

第四季度DRAM和NAND全面漲價(jià)，成本上漲約30%

從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購(gòu)成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購(gòu)成本上漲了約30%。

2023-10-17 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 2.4k 0

芯片庫(kù)存調(diào)整，接近尾聲

野村APAC技術(shù)研究所主管David Wong也說，半導(dǎo)體業(yè)這波庫(kù)存調(diào)整周期從去年中開始，現(xiàn)在可能已經(jīng)進(jìn)入尾聲，晶片景氣循環(huán)可能轉(zhuǎn)為上行，時(shí)間點(diǎn)在明年初...

2023-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 1.2k 0

東京電子3D NAND蝕刻新技術(shù)或挑戰(zhàn)泛林市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nan...

2023-10-16 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器東京電子 1.5k 0

三星西安工廠將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

　三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣...

2023-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存NAND 2.1k 0

韓國(guó)NAND閃存芯片出口額恢復(fù)增長(zhǎng)

據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部16日公布的資料顯示，韓國(guó)9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3...

2023-10-16 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1k 0

三星利潤(rùn)，預(yù)計(jì)下滑80%

這一逆轉(zhuǎn)是因?yàn)椋趦?nèi)存芯片價(jià)格跌至谷底并沒有像一些人預(yù)測(cè)的那樣快回升后，傳統(tǒng)上最大的盈利部門——芯片部門可能報(bào)告季度虧損 3 萬(wàn)億至 4 萬(wàn)億韓元。

2023-10-11 標(biāo)簽：DRAMNAND晶圓廠 1.3k 0

NAND Flash四季度漲幅預(yù)計(jì)10%以上

三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低，計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。

2023-10-10 標(biāo)簽：DRAMNand存儲(chǔ)芯片 2.1k 0

美國(guó)同意三星向其中國(guó)工廠提供設(shè)備

10月9日，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)傳來好消息，美國(guó)將無(wú)限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國(guó)的工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，而且無(wú)需其它許可；美方的這一決定即日起生效。 三...

2023-10-10 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 1.2k 0

三星再度調(diào)漲存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià) 最快本月生效

　自2022年下半年以來，高通貨膨脹和世界經(jīng)濟(jì)前景惡化不斷打擊半導(dǎo)體需求，使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陷入前所未有的低迷期。今年第一季度，三星電子的dram半導(dǎo)體銷售額...

2023-10-09 標(biāo)簽：高通半導(dǎo)體NAND 1.2k 0