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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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第四季度DRAM和NAND全面漲價(jià),成本上漲約30%
從2024年第四季度開始,DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲,這已經(jīng)導(dǎo)致國內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%,而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。
野村APAC技術(shù)研究所主管David Wong也說,半導(dǎo)體業(yè)這波庫存調(diào)整周期從去年中開始,現(xiàn)在可能已經(jīng)進(jìn)入尾聲,晶片景氣循環(huán)可能轉(zhuǎn)為上行,時(shí)間點(diǎn)在明年初...
東京電子3D NAND蝕刻新技術(shù)或挑戰(zhàn)泛林市場領(lǐng)導(dǎo)地位
據(jù)悉,東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法,該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nan...
三星西安工廠將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備
三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一,在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下,在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣...
據(jù)韓國貿(mào)易部16日公布的資料顯示,韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%,但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3...
兆易創(chuàng)新“一種NAND閃存芯片的測試樣本”專利獲授權(quán)
根據(jù)專利摘要,本發(fā)明實(shí)際公開了nand閃存芯片的測試樣本,測試樣本由多個(gè)相同的樣本區(qū)域組成,每個(gè)樣本區(qū)域包含多個(gè)相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個(gè)數(shù)據(jù)塊會(huì)測試不...
2023-10-13 標(biāo)簽:NAND數(shù)據(jù)閃存芯片 1.2k 0
SDNAND焊盤脫落現(xiàn)象在使用SDNAND的過程,難免有個(gè)芯片會(huì)出現(xiàn)焊盤脫落,如下圖:從這個(gè)焊盤的放大圖可以明顯的看到焊盤有明顯的拉扯痕跡,可以看出焊盤...
這一逆轉(zhuǎn)是因?yàn)椋趦?nèi)存芯片價(jià)格跌至谷底并沒有像一些人預(yù)測的那樣快回升后,傳統(tǒng)上最大的盈利部門——芯片部門可能報(bào)告季度虧損 3 萬億至 4 萬億韓元。
NAND Flash四季度漲幅預(yù)計(jì)10%以上
三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低,計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格,漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
10月9日,韓國半導(dǎo)體業(yè)傳來好消息,美國將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國的工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備,而且無需其它許可;美方的這一決定即日起生效。 三...
三星再度調(diào)漲存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià) 最快本月生效
自2022年下半年以來,高通貨膨脹和世界經(jīng)濟(jì)前景惡化不斷打擊半導(dǎo)體需求,使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陷入前所未有的低迷期。今年第一季度,三星電子的dram半導(dǎo)體銷售額...
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬...
下圖是sd協(xié)議規(guī)定的上電規(guī)范,SDNAND的工作電壓范圍是2.7V-3.6V電源供電需要注意一下幾個(gè)方面:1、為了確保芯片能正常上電復(fù)位,電壓要在0.5...
根據(jù)知情人士的透露,美國計(jì)劃無限期延長三星和 SK 海力士豁免權(quán),允許芯片設(shè)備引進(jìn)中國。這一消息引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注,因?yàn)樗鼘θ虬雽?dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影...
CS SD NAND在STM32精英V2開發(fā)板的測試-是時(shí)候?qū)F卡換為SD NAND了
前言嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲(chǔ)擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAWNAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SDNAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢...
旺宏:市場消化庫存較預(yù)期久 明年上半年景氣恐不會(huì)變好
據(jù)財(cái)務(wù)報(bào)告,旺宏2023年第二季度收入74.3億臺(tái)幣(單位以下同一),營業(yè)成本53.26億元,總利率28.3%,研究開發(fā)費(fèi)用14.57億元,凈利潤710...
存儲(chǔ)芯片價(jià)格真要漲了?聽聽業(yè)內(nèi)怎么說!
據(jù)媒體報(bào)道,近期已有下游廠商接到存儲(chǔ)原廠通知,第四季度將調(diào)漲合約價(jià)格,其中NAND閃存第四季度合約價(jià)可能漲一至二成,DRAM合約價(jià)漲幅約一成。
雷龍CS SD NAND(貼片式TF卡)性能體驗(yàn)及應(yīng)用
前段時(shí)間有幸得到了雷龍出品的貼片式的TF卡的芯片及轉(zhuǎn)接板,從而對其產(chǎn)品進(jìn)行了相應(yīng)的了解和測評(píng)。從獲得的相關(guān)資料看,雷龍出品的貼片式芯片分為兩類,即BOW...
SD NAND關(guān)于3.3V和1.8V之間的轉(zhuǎn)換
SD NAND默認(rèn)是3.3V的,有些MCU只支持1.8V,為了適配1.8V,SD NAND需要內(nèi)部用命令把3.3V轉(zhuǎn)換成1.8V,下圖是SD協(xié)議規(guī)范
2023-09-21 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品NANDSD 4.8k 0
美光向NPE機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)讓半導(dǎo)體專利,引發(fā)投機(jī)性訴訟擔(dān)憂
美光公司轉(zhuǎn)讓給road star的專利是nand和存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體技術(shù)。美光公司自2020年以后還沒有交出過如此多的專利。此次與美光公司的交易也是lode...
2023-09-21 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器半導(dǎo)體技術(shù) 1.7k 0
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