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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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MCU的最佳存儲(chǔ)方案CS創(chuàng)世 SD NAND

?大家都知道MCU是一種"麻雀"雖小，卻"五臟俱全"的主控。它的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，小到手機(jī)手表，大到航空航天的設(shè)...

2022-07-15 標(biāo)簽：mcu NAND SPI 1.1k 0

新產(chǎn)品如何選型 NAND Flash？

歡迎光臨，如果看完文章之后還是有疑惑或不懂的地方，請(qǐng)聯(lián)系我們，自己去理解或猜答案是件很累的事，請(qǐng)把最麻煩的事情交給我們來處理，術(shù)業(yè)有專攻，聞道有先后，深...

2022-07-07 標(biāo)簽：NAND SD卡 776 0

sd nand與nand flash的區(qū)別？

大家知道目前主流的存儲(chǔ)芯片大致可以分為NORFlash和NANDFlash。容量需要大一點(diǎn)的話，就會(huì)用采用NANDFlash。但用NANDFlash會(huì)有...

2022-07-07 標(biāo)簽：NAND FlaSh 1.3k 0

什么是tSD/qSD？CS創(chuàng)世 SD NAND到底是什么？

tSD和qSD的架構(gòu)是控制器+TLC NAND Flash晶圓，當(dāng)初是為了用戶更快的享受到TLC NAND晶圓的價(jià)格紅利（8年前）。 tSD和qSD的...

2022-07-07 標(biāo)簽：NAND emmc 2.5k 0

SD NAND與eMMC優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

最近我們接觸到一些客戶，本來客戶計(jì)劃使用eMMC，但總覺得哪里不滿意。后來跟客戶做了深入溝通。你們真實(shí)的想要什么樣的eMMC呢？他們給出的答案有：尺寸最...

2022-06-17 標(biāo)簽：NAND SD卡 2.5k 0

CS創(chuàng)世SD NAND與TF卡的區(qū)別

什么是SDNAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SDNAND和TF卡稱呼上有些類似...

2022-06-17 標(biāo)簽：NAND SD卡 1.8k 0

存儲(chǔ)芯片行業(yè)開始出現(xiàn)反轉(zhuǎn)，下半年終端庫存有望恢復(fù)正常

第二季度公司的DRAM出貨量將環(huán)比增長(zhǎng)32%，ASP環(huán)比下降10%，NAND出貨量將環(huán)比增長(zhǎng)17%，ASP環(huán)比下滑8%。

2023-06-14 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 1.7k 0

SK海力士量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通...

2023-06-08 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 海力士 2.3k 0

Crucial英睿達(dá)T700第五代SSD，采用232層TLC NAND

Crucial 英睿達(dá) T700 第五代 SSD 采用 232 層 TLC NAND，順序讀取速度高達(dá) 12,400MB/s，速度幾乎是先前第四代高性能...

2023-06-01 標(biāo)簽：NAND SSD Crucial 870 0

如何看待3D DRAM技術(shù)？

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。

2023-05-31 標(biāo)簽：DRAM NAND 3d nand 977 0

SK海力士如何將NAND4技術(shù)應(yīng)用于未來的UFS

作為新一代突破性閃存1技術(shù)（Flash Memory），通用閃存存儲(chǔ)（UFS）擁有獨(dú)立的數(shù)據(jù)讀寫通道，可雙向同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)。UFS是適用于嵌入式系統(tǒng)（Em...

2023-05-17 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)設(shè)備 SK海力士 1.1k 0

汽車行業(yè)主要發(fā)展趨勢(shì)及其對(duì)內(nèi)存與存儲(chǔ)的影響

汽車是半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域之一。據(jù)預(yù)測(cè)，汽車領(lǐng)域內(nèi)存（DRAM）與存儲(chǔ)（NAND/ NOR）市場(chǎng)總值將從 2021 年的 40 億美元增長(zhǎng)到 202...

2023-05-17 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)內(nèi)存 1.2k 0

MEMS神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)：以零電路和低功耗同時(shí)執(zhí)行傳感和計(jì)算任務(wù)

提出了一種集成傳感和計(jì)算功能的MEMS神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)以同時(shí)執(zhí)行加速度傳感和分類任務(wù)，這種一體化結(jié)構(gòu)以零電路和低功耗運(yùn)行。

2023-05-15 標(biāo)簽：NAND mems 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 763 0

為什么芯片大廠都將接口IP作為打造安全SoC著力點(diǎn)呢？

當(dāng)前，我們正處于一個(gè)數(shù)據(jù)大爆炸的時(shí)代。IDC數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)量自2022至2026五年時(shí)間里將增長(zhǎng)一倍以上，僅中國的數(shù)據(jù)量就將達(dá)到56.16ZB，年復(fù)...

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8倍密度，像做3D NAND一樣做DRAM

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在存儲(chǔ)行業(yè)有些萎靡不振的當(dāng)下，大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫存，也有的廠商考慮從新的技術(shù)方向給存儲(chǔ)行業(yè)注入生機(jī)，比如最近發(fā)布...

2023-05-08 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ) 2.8k 0

先進(jìn)封裝推動(dòng)NAND和DRAM技術(shù)進(jìn)步

據(jù)知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole分析，先進(jìn)封裝極大地推動(dòng)了內(nèi)存封裝行業(yè)，推動(dòng)了增長(zhǎng)和創(chuàng)新。

2023-04-20 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 1.6k 0

Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存

傳統(tǒng)上，控制邏輯和單元邏輯是在一個(gè)晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC)，而 WD 和 Kiox...

2023-04-04 標(biāo)簽：閃存 NAND 3d nand 2.1k 0

Intel和SK Hynix提出閃存未來的兩項(xiàng)重要進(jìn)展

TLC是當(dāng)今使用最廣泛的閃存，盡管市場(chǎng)上有每單元4位的芯片。Lee表示，Hynix正在考慮增加層數(shù)和每個(gè)單元的位數(shù)。

2023-03-14 標(biāo)簽：閃存 NAND intel 653 0

美國或再度升級(jí)對(duì)華芯片制造設(shè)備出口限制

報(bào)道顯示，拜d政府?dāng)M將17類（臺(tái)）超百萬美元的設(shè)備制裁，擴(kuò)大到34類（擴(kuò)大一倍）。這一限制是在2022年10月出臺(tái)的對(duì)華半導(dǎo)體出口管制基礎(chǔ)上的進(jìn)一步升級(jí)...

2023-03-13 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 1.4k 0

國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的發(fā)展以及重要性

存儲(chǔ)芯片除了滿足基本的存儲(chǔ)功能，未來，帶有各種處理器內(nèi)核的SoC以及集成更多處理能力的FPGA產(chǎn)品將成為市場(chǎng)新需求。

2023-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲(chǔ)芯片 1.5k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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