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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

芯片行業(yè)正在努力在未來幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍，從 200 層增加到 800 層或更多，利用額外的容量將有助于滿足對(duì)各種類型內(nèi)存...

2024-12-19 標(biāo)簽：NAND 3D 堆疊 730 0

關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)

前言作為一名電子專業(yè)的學(xué)生，半導(dǎo)體存儲(chǔ)顯然是繞不過去的一個(gè)坎，今天聊一聊關(guān)于Nand Flash的一些小知識(shí)。這里十分感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主...

2024-12-17 標(biāo)簽：芯片 Nand 存儲(chǔ) 723 0

鎧俠計(jì)劃12月減產(chǎn)，或助NAND Flash價(jià)格反轉(zhuǎn)

存儲(chǔ)大廠鎧俠近日宣布，計(jì)劃在2024年12月實(shí)施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對(duì)當(dāng)前NAND Flash市場(chǎng)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，并有望促使價(jià)格止跌回升。

2024-12-03 標(biāo)簽：NAND FlaSh 鎧俠 784 0

三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

近日，據(jù)相關(guān)報(bào)道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存...

2024-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 光刻膠 616 0

江波龍自研SLC NAND Flash出貨量破億

江波龍?jiān)诖鎯?chǔ)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得了顯著成果，自研SLC NAND Flash累計(jì)出貨量已突破1億顆。公司充分發(fā)揮芯片設(shè)計(jì)能力，專注于SLC NAND Fla...

2024-11-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片 slc 786 0

MLC NAND產(chǎn)能或遭削減？三星否認(rèn)停產(chǎn)傳聞

近日，業(yè)界傳出消息，MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減，其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場(chǎng)傳言，三星計(jì)劃在2024年底現(xiàn)貨市場(chǎng)停止銷售...

2024-11-20 標(biāo)簽：閃存 NAND MLC 1066 0

美光科技推出新款存儲(chǔ)解決方案

隨著人工智能（AI）不斷改變行業(yè)并推動(dòng)創(chuàng)新，數(shù)據(jù)中心需要能夠跟上存儲(chǔ)解決方案的發(fā)展步伐。為滿足這一需求，我很高興地宣布推出新款存儲(chǔ)解決方案——美光955...

2024-11-18 標(biāo)簽：NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 585 0

SD NAND工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的新選擇

據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2024年一季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)24.2%，達(dá)到了151.78億美元。這一顯著的增長(zhǎng)表明，全球NAND...

2024-11-17 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ) 547 0

Solidigm發(fā)布全球最大容量QLC eSSD

全球NAND閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Solidigm，近日宣布了一項(xiàng)重大突破——成功推出全球首款超大容量的PCIe固態(tài)硬盤（SSD），即122TB的So...

2024-11-14 標(biāo)簽：NAND PCIe 固態(tài)硬盤 871 0

鎧俠預(yù)測(cè)2028年NAND Flash需求將激增2.7倍

存儲(chǔ)芯片大廠鎧俠近日發(fā)表了一項(xiàng)令人矚目的預(yù)測(cè)，稱在人工智能需求的強(qiáng)勁推動(dòng)下，到2028年，全球?qū)AND Flash的需求將增加2.7倍。這一預(yù)測(cè)不僅展...

2024-11-12 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片鎧俠 666 0

三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)重大舉措，計(jì)劃出售位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠的舊設(shè)備及產(chǎn)線。這一決定標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的一次重大調(diào)整，預(yù)計(jì)將對(duì)全球半導(dǎo)體市...

2024-11-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 1077 0

鎧俠投資360億日元研發(fā)CXL省電存儲(chǔ)器

近日，日本NAND Flash大廠鎧俠宣布，將在未來三年內(nèi)投資360億日元，用于研發(fā)AI用CXL(Compute Express Link)省電存儲(chǔ)器。...

2024-11-12 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)中心 770 0

鎧俠斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存，目標(biāo)2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化

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2024-11-11 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存鎧俠 656 0

TOSHIBA 74VHC00FT COMS 汽車、工業(yè)企業(yè)的選擇

74VHC00FT 是一種四路雙輸入 NAND 門，屬于 CMOS 系列數(shù)字集成電路。它采用東芝先進(jìn)的硅柵 C2MOS 技術(shù)設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)類似于雙極性肖...

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三星與鎧俠計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存

近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對(duì)NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn)，并預(yù)計(jì)根據(jù)市場(chǎng)狀況分階段實(shí)施。

2024-10-30 標(biāo)簽：NAND 三星電子鎧俠 628 0

存儲(chǔ)市場(chǎng)面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價(jià)格承壓

從需求端審視，通貨膨脹的壓力以及AI個(gè)人電腦應(yīng)用場(chǎng)景的匱乏，共同制約了大規(guī)模升級(jí)周期的到來。在供應(yīng)端，主要制造商在第三季度全面恢復(fù)了滿負(fù)荷生產(chǎn)，而其他供...

2024-10-28 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ) 2722 0

機(jī)構(gòu):SSD價(jià)格有望在年底前因產(chǎn)量增需求減而下降10%

根據(jù)TrendForce的最新研究報(bào)告，2024年第四季度，客戶端固態(tài)硬盤（SSD）的價(jià)格預(yù)計(jì)將下滑5%至10%。這一預(yù)測(cè)基于產(chǎn)量增長(zhǎng)與需求縮減的雙重因...

2024-10-18 標(biāo)簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤 954 0

NAND FLASH晶圓和主控的SDIO工作接口原理

今天和大家一起學(xué)習(xí)NAND Flash與主控HOST之間的SDIO接口工作原理、接口優(yōu)勢(shì)以及主控的作用，這是構(gòu)建高效、可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心要素。以下是...

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DRAM與NAND閃存價(jià)格大幅下跌

近期，DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊，導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，...

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鎧俠擱置10月IPO計(jì)劃

日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布，已決定將原定于10月在東京證券交易所的首次公開募股（IPO）計(jì)劃暫時(shí)擱置。這一決定背后，是鎧俠在競(jìng)爭(zhēng)激烈的...

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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