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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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Q4存儲芯片持續(xù)降價價格跌幅達 15%-20%

　　近日，TrendForce 集邦咨詢發(fā)布報告稱，稱NAND Flash目前供過于求。自今年下半年以來，買家一直專注于去庫存和大幅減少采購。銷售商為了...

2022-09-27 標(biāo)簽：芯片 NAND 2.6k 0

NAND閃存價格2023年上半年或?qū)⒊掷m(xù)下滑

NAND閃存芯片供應(yīng)商現(xiàn)在面臨四到五個月的庫存。今年下半年，芯片價格將迅速下降，季度價格降幅達到近20%。

2022-09-27 標(biāo)簽：NAND SSD 閃存芯片 1.2k 0

佰維推出eMCP/ePOP系列高效能集成存儲解決方案

佰維eMCP整合高性能主控和NANDFlash晶片，增強了NAND Flash、DRAM與SoC之間的通信能力，提高芯片整體性能，同時最大可提供256G...

2022-09-26 標(biāo)簽：NAND 存儲器存儲芯片 1.3k 0

iPhone14系列拆解用上長江存儲NAND閃存芯片

　　9月8日，蘋果舉行了新產(chǎn)品發(fā)布會，并正式發(fā)布了iPhone14系列，起價為5999元。隨著蘋果iPhone 14的推出，一些客戶獲得了首批產(chǎn)品，一些...

2022-09-20 標(biāo)簽：NAND 長江存儲 iPhone14 4.6k 0

從Open-Channel到ZNS

主機端可以根據(jù)自身的業(yè)務(wù)來控制盤的行為，包括寫入順序，寫在哪個NAND的Block上，什么時候擦除和寫入，取代傳統(tǒng)的SSD firmware控制權(quán)?；?..

2022-09-20 標(biāo)簽：NAND 數(shù)據(jù)SSD 1.4k 0

蘋果欲與長江存儲合作來降低NAND閃存的價格

蘋果公司將長江存儲（YTMC）納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過使供應(yīng)商多樣化來降低NAND閃存的價格。

2022-09-08 標(biāo)簽：NAND 三星電子 NAND閃存 979 0

僅使用與非門的基本邏輯門

　　邏輯門是數(shù)字世界中的基本元素，之前已經(jīng)介紹過基本的邏輯門。這些基本的邏輯門可以由通用門構(gòu)成。數(shù)字邏輯中有兩個通用門，即與非門(NAND Gate)和...

2022-09-12 標(biāo)簽：NAND 邏輯門等效電路 1.3萬 0

FORESEE 512Mb SPI NAND Flash實現(xiàn)全面量產(chǎn)

江波龍(股票代碼：301308)近期發(fā)布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。

2022-08-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲 1.1k 0

NAND Flash未來既柳暗，又花明？

今年8月初，SK海力士旗下NAND閃存解決方案提供商Solidigm在閃存峰會上展示了全球首款正在研發(fā)的PLC（五層單元）SSD。與QLC（四層單元）S...

2022-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲技術(shù) 1.4k 0

用于嵌入式系統(tǒng)引導(dǎo)的閃存設(shè)備比較

　　總之，雖然 SLC NAND、eMMC 和 UFS 的每比特成本較低，但 NOR 閃存器件仍然是嵌入式系統(tǒng)啟動設(shè)備的最佳選擇，尤其是在需要非?？斓南?..

2022-08-17 標(biāo)簽：控制器嵌入式 NAND 1.1k 0

一種用于3D TLC NAND的彈性糾錯方案

　　通過實施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來基于 3D TLC NAND 的設(shè)備可...

2022-08-17 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 2.7k 0

逐步走向工業(yè)存儲解決方案

　　因此，高級數(shù)據(jù)護理管理搜索獨立于應(yīng)用程序?qū)撛阱e誤的請求（圖 3）。為此，所有寫入的頁面，包括固件和 FTL 的分配表，都在后臺讀取并根據(jù)需要刷新。...

2022-08-17 標(biāo)簽：NAND SSD 2.1k 0

消費級和工業(yè)級閃存之間的巨大鴻溝

　　最后，必須了解設(shè)備的物理構(gòu)造方式。外殼最好采用壓鑄金屬底盤制成，必須足夠堅固，以抵御極端環(huán)境。它必須在工業(yè)溫度范圍內(nèi)進行額定并經(jīng)過溫度篩選。PCB ...

2022-08-17 標(biāo)簽：驅(qū)動器 NAND SSD 1.7k 0

為什么可靠的NAND閃存對工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要

　　要達到 IIoT 應(yīng)用所需的可靠性，對 NAND IC 組件的一般測試方法是不夠的。針對高/低溫的高級 RDT 可以提高可靠性、延長產(chǎn)品壽命并降低總...

2022-08-17 標(biāo)簽：驅(qū)動器 NAND 1.7k 0

成功的工業(yè)級SSD設(shè)計要素

　　從質(zhì)量、產(chǎn)品壽命和更換的角度來看，許多計劃都涉及到組件的選擇。為了支持需要較長產(chǎn)品生命周期的工業(yè)客戶，在選擇 SSD 組件時需要考慮負載額定值和公差...

2022-08-17 標(biāo)簽：驅(qū)動器 NAND SSD 1.7k 0

存儲器芯片類別有哪些?

存儲器芯片屬于通用集成電路，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用。其原理是通過在單一芯片中嵌入軟件，實現(xiàn)多功能和高性能，以及對多種協(xié)議、多種硬件和...

2022-08-09 標(biāo)簽：芯片 NAND 存儲 5.1k 0

一文解析HPC存儲系統(tǒng)的挑戰(zhàn)

功率：超級計算機已接近100千瓦/架，其中大部分被數(shù)據(jù)移動所消耗隨著HPC應(yīng)用數(shù)據(jù)集的增長，在數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備接口上需要越來越多的帶寬，以便在計算和存儲...

2022-08-08 標(biāo)簽：NAND 存儲系統(tǒng)應(yīng)用處理器 1.5k 0

【Zynq-7000 SoC 設(shè)計咨詢】：BootROM NAND 驅(qū)動中發(fā)生緩沖器上溢

從 NAND 閃存啟動 Zynq-7000 SoC 器件時，BootROM 中的 NAND 驅(qū)動在 NAND 參數(shù)頁面 (Parameter Page)...

2022-08-02 標(biāo)簽：NAND Zynq-7000 bootrom 1.3k 0

美光出貨全球首款232層NAND，進一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位

最前沿的創(chuàng)新技術(shù)帶來了具備最高性能和晶圓密度的 TLC NAND，并全部采用業(yè)界最小封裝 ? 2022 年 7 月 27 日，上海 — Micron T...

2022-07-28 標(biāo)簽：NAND 美光 1.2k 0

美光宣布已量產(chǎn)全球首款232層NAND 帶來前所未有的性能

美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴展到超過 200 層，可...

2022-07-28 標(biāo)簽：NAND 存儲美光 2.3萬 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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