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最前沿的創(chuàng)新技術(shù)帶來了具備最高性能和晶圓密度的 TLC NAND，并全部采用業(yè)界最小封裝
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2022 年 7 月 27 日，上海 — Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，從而為存儲(chǔ)解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。
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美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過 200 層，可謂存儲(chǔ)創(chuàng)新的分水嶺。此項(xiàng)突破性技術(shù)得益于廣泛的創(chuàng)新，包括創(chuàng)建高深寬比結(jié)構(gòu)的先進(jìn)工藝能力、新型材料的進(jìn)步，以及基于美光市場(chǎng)領(lǐng)先的 176 層 NAND 技術(shù)所進(jìn)行的進(jìn)一步設(shè)計(jì)創(chuàng)新。”
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領(lǐng)先技術(shù)鑄就卓越性能
隨著全球數(shù)據(jù)量的增加，客戶必須擴(kuò)大存儲(chǔ)容量，提升性能，同時(shí)降低能耗，并滿足對(duì)環(huán)境可持續(xù)發(fā)展更為嚴(yán)格的要求。美光 232 層 NAND 技術(shù)提供了必要的高性能存儲(chǔ)，支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用所需的先進(jìn)解決方案和實(shí)時(shí)服務(wù)，同時(shí)還可在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品和 PC 上實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)和沉浸式體驗(yàn)。美光還在該技術(shù)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最快的 NAND 輸入/輸出（I/O）速度 （每秒2.4GB），以滿足低延遲和高吞吐量的需求，適用于人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)、非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)庫和實(shí)時(shí)分析，以及云計(jì)算等數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載。該 I/O 速度比美光在 176 層節(jié)點(diǎn)上所支持的最高速度還要快50%2。相比上一代產(chǎn)品，美光 232 層 NAND 的每顆裸片寫入帶寬提升至高100%，讀取帶寬提升至少 75%2。這些優(yōu)勢(shì)提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能效。
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此外，美光 232 層 NAND 還是全球首款六平面 TLC 量產(chǎn) NAND3。與其他 TLC 閃存相比，該產(chǎn)品在每顆裸片上擁有最多的平面數(shù)量3，且每個(gè)平面都具有獨(dú)立的數(shù)據(jù)讀取能力。高 I/O 速度和低讀寫延遲，以及美光的六平面架構(gòu)，使其可在多種配置中提供一流的數(shù)據(jù)傳輸能力。該結(jié)構(gòu)可確保減少寫入和讀取命令沖突，推動(dòng)系統(tǒng)級(jí)服務(wù)質(zhì)量的提升。
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美光 232 層 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的量產(chǎn)技術(shù)。NV-LPDDR4 是一種低壓接口，與此前的 I/O 接口相比，每比特傳輸能耗可降低至少 30%。因此，232 層 NAND 解決方案可實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗平衡，是移動(dòng)應(yīng)用以及數(shù)據(jù)中心和智能邊緣領(lǐng)域部署的理想之選。此外，該接口還可向后兼容，支持傳統(tǒng)控制器和系統(tǒng)。
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232 層 NAND 緊湊的外形規(guī)格還便于客戶進(jìn)行靈活設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)超越歷代產(chǎn)品的每平方毫米最高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm2)3。其面密度比當(dāng)今市場(chǎng)上的 TLC 競(jìng)品高 35% 到 100%3。它還采用全新的 11.5mm x 13.5mm 封裝規(guī)格，較前幾代產(chǎn)品的封裝尺寸小 28%2，使其成為目前市場(chǎng)上尺寸最小的高密度 NAND3。該產(chǎn)品兼具小體積和高密度，因此占用更小的電路板空間，適用于各類部署。
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下一代 NAND 助力整個(gè)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新
美光首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：“美光持續(xù)率先上市更高堆疊層數(shù)的 NAND，實(shí)現(xiàn)移動(dòng)設(shè)備更長的電池續(xù)航和更緊湊的存儲(chǔ)空間，提升云計(jì)算性能，加快 AI 模型的訓(xùn)練速度，從而能夠保持長期的技術(shù)領(lǐng)先地位。美光 232層 NAND 為端到端存儲(chǔ)創(chuàng)新確立了新基準(zhǔn)，助推多個(gè)行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型?！?br /> ?
232 層 NAND 的開發(fā)得益于美光領(lǐng)先業(yè)界的研發(fā)和制程技術(shù)進(jìn)步。這些突破性技術(shù)將幫助客戶在數(shù)據(jù)中心、輕薄筆記本電腦、新型移動(dòng)設(shè)備和智能邊緣等領(lǐng)域打造更多創(chuàng)新解決方案。
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2022 年 7 月 27 日，上海 — Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，從而為存儲(chǔ)解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。
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美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過 200 層，可謂存儲(chǔ)創(chuàng)新的分水嶺。此項(xiàng)突破性技術(shù)得益于廣泛的創(chuàng)新，包括創(chuàng)建高深寬比結(jié)構(gòu)的先進(jìn)工藝能力、新型材料的進(jìn)步，以及基于美光市場(chǎng)領(lǐng)先的 176 層 NAND 技術(shù)所進(jìn)行的進(jìn)一步設(shè)計(jì)創(chuàng)新。”
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領(lǐng)先技術(shù)鑄就卓越性能
隨著全球數(shù)據(jù)量的增加，客戶必須擴(kuò)大存儲(chǔ)容量，提升性能，同時(shí)降低能耗，并滿足對(duì)環(huán)境可持續(xù)發(fā)展更為嚴(yán)格的要求。美光 232 層 NAND 技術(shù)提供了必要的高性能存儲(chǔ)，支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用所需的先進(jìn)解決方案和實(shí)時(shí)服務(wù)，同時(shí)還可在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品和 PC 上實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)和沉浸式體驗(yàn)。美光還在該技術(shù)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最快的 NAND 輸入/輸出（I/O）速度 （每秒2.4GB），以滿足低延遲和高吞吐量的需求，適用于人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)、非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)庫和實(shí)時(shí)分析，以及云計(jì)算等數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載。該 I/O 速度比美光在 176 層節(jié)點(diǎn)上所支持的最高速度還要快50%2。相比上一代產(chǎn)品，美光 232 層 NAND 的每顆裸片寫入帶寬提升至高100%，讀取帶寬提升至少 75%2。這些優(yōu)勢(shì)提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能效。
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此外，美光 232 層 NAND 還是全球首款六平面 TLC 量產(chǎn) NAND3。與其他 TLC 閃存相比，該產(chǎn)品在每顆裸片上擁有最多的平面數(shù)量3，且每個(gè)平面都具有獨(dú)立的數(shù)據(jù)讀取能力。高 I/O 速度和低讀寫延遲，以及美光的六平面架構(gòu)，使其可在多種配置中提供一流的數(shù)據(jù)傳輸能力。該結(jié)構(gòu)可確保減少寫入和讀取命令沖突，推動(dòng)系統(tǒng)級(jí)服務(wù)質(zhì)量的提升。
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美光 232 層 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的量產(chǎn)技術(shù)。NV-LPDDR4 是一種低壓接口，與此前的 I/O 接口相比，每比特傳輸能耗可降低至少 30%。因此，232 層 NAND 解決方案可實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗平衡，是移動(dòng)應(yīng)用以及數(shù)據(jù)中心和智能邊緣領(lǐng)域部署的理想之選。此外，該接口還可向后兼容，支持傳統(tǒng)控制器和系統(tǒng)。
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232 層 NAND 緊湊的外形規(guī)格還便于客戶進(jìn)行靈活設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)超越歷代產(chǎn)品的每平方毫米最高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm2)3。其面密度比當(dāng)今市場(chǎng)上的 TLC 競(jìng)品高 35% 到 100%3。它還采用全新的 11.5mm x 13.5mm 封裝規(guī)格，較前幾代產(chǎn)品的封裝尺寸小 28%2，使其成為目前市場(chǎng)上尺寸最小的高密度 NAND3。該產(chǎn)品兼具小體積和高密度，因此占用更小的電路板空間，適用于各類部署。
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下一代 NAND 助力整個(gè)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新
美光首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：“美光持續(xù)率先上市更高堆疊層數(shù)的 NAND，實(shí)現(xiàn)移動(dòng)設(shè)備更長的電池續(xù)航和更緊湊的存儲(chǔ)空間，提升云計(jì)算性能，加快 AI 模型的訓(xùn)練速度，從而能夠保持長期的技術(shù)領(lǐng)先地位。美光 232層 NAND 為端到端存儲(chǔ)創(chuàng)新確立了新基準(zhǔn)，助推多個(gè)行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型?！?br /> ?
232 層 NAND 的開發(fā)得益于美光領(lǐng)先業(yè)界的研發(fā)和制程技術(shù)進(jìn)步。這些突破性技術(shù)將幫助客戶在數(shù)據(jù)中心、輕薄筆記本電腦、新型移動(dòng)設(shè)備和智能邊緣等領(lǐng)域打造更多創(chuàng)新解決方案。
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論