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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。

2020-09-22 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2.9k 0

NOR閃存為什么會出現(xiàn)缺貨的情況

閃存市場上，盡管人們關(guān)注重點(diǎn)多集中于3D NAND等主流產(chǎn)品，但是隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車以及TWS耳機(jī)等消費(fèi)電子的發(fā)展，NOR閃存的需求量也在與日俱增，成...

2020-09-20 標(biāo)簽：傳感器 MCU NAND 3.3k 0

西數(shù)：下一代能量輔助技術(shù)的HDD硬盤使用NAND閃存作為緩存空間

HDD硬盤的市場空間目前正在日益受到SSD硬盤的侵蝕，除了超大容量的HDD硬盤之外，SSD在筆記本、電腦及數(shù)據(jù)中心市場幾乎可以完美取代HDD。

2020-09-19 標(biāo)簽：閃存 nand 硬盤 2.4k 0

華為禁令恐讓整體NAND Flash市場供應(yīng)過剩；鴻海威州高性能計(jì)算數(shù)據(jù)中心成型…

全球第2大NAND Flash廠商鎧俠在其最新公布的IPO文件中指出，美國對華為的禁令恐讓整體NAND Flash市場供應(yīng)過剩，價格下跌。鎧俠稱，現(xiàn)階段...

2020-09-19 標(biāo)簽：NAND 華為 3.2k 0

存儲芯片廠商的DRAM和NAND閃存庫存明顯增加，Q4將忙于調(diào)整庫存

據(jù)國外媒體報(bào)道，本月初，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士曾透露，受需求下滑影響，存儲芯片制造商的庫存明顯增加，平均庫存已接近4個月。

2020-09-17 標(biāo)簽：芯片 DRAM NAND 859 0

今年存儲半導(dǎo)體的NAND閃存市場將同比增長27％

隨著今年Corona 19的傳播，由于遠(yuǎn)程辦公，視頻會議和Internet使用的增加，對服務(wù)器的需求激增，進(jìn)入服務(wù)器的固態(tài)驅(qū)動器（SSD和輔助存儲設(shè)備）...

2020-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 1.8k 0

國內(nèi)SSD價格已下跌到最低水位，NAND閃存價格后續(xù)有較大上漲空間

內(nèi)存、SSD固態(tài)盤這兩年的價格可謂跌宕起伏，誰也無法準(zhǔn)確預(yù)料就接下來到底會怎么走，但總歸有些蛛絲馬跡的。

2020-08-27 標(biāo)簽：nand 電路板 ssd 2.1k 0

你知道未來的存儲技術(shù)會是什么樣子嘛？

多年來，供應(yīng)商一直在開發(fā)一種可以將非易失性內(nèi)存插入傳統(tǒng)DIMM插槽（易失性DRAM使用的插槽）的技術(shù)。存儲類內(nèi)存(Storage Class Memor...

2020-08-22 標(biāo)簽：NAND cpu 存儲技術(shù) 2.5k 0

海力士發(fā)布全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級SSD

SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產(chǎn)品已上架亞馬遜。

2020-08-19 標(biāo)簽：NAND SK海力士 3.9k 0

存儲芯片價格下滑的趨勢將持續(xù)到明年上半年？

如果存儲芯片價格下滑，DRAM與NAND閃存的銷售額，還能否達(dá)到預(yù)期就存在變數(shù)。研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年全球DRAM的銷售額，將達(dá)到645.55億美元，同比增長...

2020-08-17 標(biāo)簽：芯片 DRAM NAND 3.6k 0

存儲芯片商普冉股份沖刺科創(chuàng)板 NOR Flash爆發(fā)式增長

科創(chuàng)板芯版圖或再添一位新軍。近日，上交所受理了普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下稱普冉股份）的科創(chuàng)板申請。普冉股份主營業(yè)務(wù)為非易失性存儲器芯片的設(shè)計(jì)...

2020-08-13 標(biāo)簽：閃存 NAND EEPROM 1.6k 0

西安二期一階段NAND Flash項(xiàng)目預(yù)計(jì)9月滿產(chǎn)，產(chǎn)量將占三星總規(guī)模35%

據(jù)西安發(fā)布報(bào)道，西安于8月5日下午舉行企業(yè)家座談會，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基在會上談到，三星西安存儲芯片項(xiàng)目最新進(jìn)展。三星（中國）半導(dǎo)體...

2020-08-07 標(biāo)簽：Nand 三星電子 5.1k 0

DRAM和NAND預(yù)計(jì)2020年占所有IC銷售額三分之一，NAND閃存同比大增27%

IC Insights的最近發(fā)布最新報(bào)告，預(yù)測33個大IC產(chǎn)品類別銷售額和單位出貨量。33種IC產(chǎn)品類別是世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)（WSTS）組織定義的類別。...

2020-08-05 標(biāo)簽：DRAM NAND 6k 0

回顧聯(lián)蕓科技的NAND DSP研究成果

聯(lián)蕓科技 Self-Adaptive NAND DSP 的自適配技術(shù)，能快速提升 LDPC 硬解碼和軟解碼的數(shù)據(jù)錯誤恢復(fù)能力，收集讀取數(shù)據(jù)塊的更多信息，...

2020-08-04 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 1.7k 0

淺談3D NAND Flash技術(shù)未來的走向及發(fā)展趨勢

2020年5月17日-20日舉行了在線IMW（International Memory Workshop），筆者自2018年起已經(jīng)連續(xù)三年參加IMW會議...

2020-07-30 標(biāo)簽：NAND 3D FlaSh 7.6k 0

解析NAND閃存和NOR閃存

無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址...

2020-07-30 標(biāo)簽：閃存 NAND NOR 1.7萬 0

探討未來的存儲技術(shù)將會如何發(fā)展

未來的存儲技術(shù)會是什么樣子呢？對于基于NVMe的傳統(tǒng)Flash技術(shù)，我們應(yīng)該繼續(xù)期望更高的容量。例如，在QLC NAND技術(shù)之后會出現(xiàn)什么？只有時間才能...

2020-07-29 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 1.1k 0

閃迪宣布投產(chǎn)新工藝的NAND閃存芯片

SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。

2020-07-24 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片閃迪 2.3k 0

解析西部數(shù)據(jù)開發(fā)的第五代3D NAND技術(shù)

西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。Bi...

2020-07-24 標(biāo)簽：NAND 3D 西部數(shù)據(jù) 2.1k 0

長江存儲推出致鈦3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案

8月28日，長江存儲宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI，目前官方微博、官方微信公眾號均已上線。長江存儲表示，致，是格物致知，是精誠所致，更是寧靜致遠(yuǎn)。鈦...

2020-08-28 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 3.9k 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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