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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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SD NAND性能測試工具

H2 testw檢測工具是一款能夠為用戶們提供全面的U盤讀寫性能的U盤工具，H2testwU盤檢測工具能夠準(zhǔn)確的檢測出U盤的參數(shù)信息，提高用戶的使用效率...

2024-09-23 標(biāo)簽：NAND 測試工具轉(zhuǎn)接板 943 0

三星調(diào)整晶圓代工策略，聚焦NAND Flash與HBM

三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴充計劃，決定暫緩平澤P4工廠的進一步擴建，轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器（HBM）的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略...

2024-09-19 標(biāo)簽：NAND 三星電子晶圓代工 1.6k 0

三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND

三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在...

2024-09-12 標(biāo)簽：NAND 三星電子存儲技術(shù) 1.1k 0

第二季度全球NAND閃存平均漲價15％

2024年第二季度，全球NAND閃存市場迎來價格顯著上漲的行情，平均售價攀升了15%，反映出市場需求持續(xù)旺盛與供應(yīng)端的緊張態(tài)勢。然而，與此同時，NAND...

2024-09-11 標(biāo)簽：閃存 NAND 1.2k 0

江波龍發(fā)布2xnm SLC NAND Flash

在近期于深圳舉行的ELEXCON 2024國際電子展上，江波龍電子以創(chuàng)新姿態(tài)亮相，首次提出了PTM（存儲產(chǎn)品技術(shù)制造）這一前沿商業(yè)模式。該模式深度融合了...

2024-09-10 標(biāo)簽：NAND FlaSh 江波龍 1.8k 0

三星平澤P4/P5芯片工廠建設(shè)延期至2026年

三星電子近日宣布，其位于韓國平澤的P4/P5芯片工廠建設(shè)計劃將發(fā)生重大調(diào)整，原定于加速推進的項目現(xiàn)已決定推遲至2026年。這一變動旨在優(yōu)先保障位于美國得...

2024-09-04 標(biāo)簽：芯片 NAND 三星電子 1.3k 0

江波龍FORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先進制程工藝迎接WiFi7時代

深圳2024年9月4日?/美通社/ -- 隨著消費者對電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長，市場上對元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中，NAN...

2024-09-04 標(biāo)簽：NAND slc 先進制程 913 0

MK米客方德SD NAND：STM32平臺上的存儲方案

在STM32平臺上，SD卡的重要性不言而喻，它為嵌入式系統(tǒng)提供了必要的數(shù)據(jù)存儲和讀寫能力。MK米客方德SD作為市場上的一種選擇，因其耐用性、較小的體積以...

2024-08-26 標(biāo)簽：單片機 NAND STM32 1.4k 0

Solidigm發(fā)布高性能PCIe 5.0 SSD，引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲新紀(jì)元

全球知名的創(chuàng)新NAND閃存解決方案巨頭Solidigm，近期隆重推出了兩款專為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心設(shè)計的旗艦級固態(tài)存儲硬盤（SSD）——Solidigm D7-...

2024-08-16 標(biāo)簽：NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 1.6k 0

卓越存儲方案：杰理AC7916搭配MK米客方德SD NAND

通過與MK米客方德SD NAND的適配，AC7916為市場提供了一個高效、可靠的存儲解決方案，并已經(jīng)在單詞機等產(chǎn)品上實現(xiàn)了成功的應(yīng)用和量產(chǎn)。

2024-08-13 標(biāo)簽：芯片 mcu NAND 2.2k 0

鎧俠NAND Flash業(yè)績飆升，營收創(chuàng)新高

日本NAND Flash巨頭鎧俠近日發(fā)布了其2024財年第一財季（對應(yīng)2024年第二季度）的財務(wù)報告，展現(xiàn)出了強勁的增長勢頭。該季度內(nèi)，鎧俠的合并營收同...

2024-08-10 標(biāo)簽：NAND FlaSh 鎧俠 1.8k 0

SK海力士FMS 2024峰會揭秘:UFS 4.1存儲新品引領(lǐng)未來性能飛躍

在近日舉行的FMS 2024峰會上，SK海力士震撼發(fā)布了其存儲技術(shù)的最新成果，其中最為引人注目的便是尚未正式公布標(biāo)準(zhǔn)的UFS 4.1通用閃存技術(shù)預(yù)覽。這...

2024-08-09 標(biāo)簽：NAND 存儲 SK海力士 3.2k 0

【MK米客方德SD NAND】嵌入式高效存儲

作為全球首家推出基于SLC開發(fā)SD NAND產(chǎn)品的原廠，MK米客方德推動了存儲技術(shù)的創(chuàng)新，為廣大用戶提供了高性能的存儲解決方案。

2024-08-07 標(biāo)簽：mcu 嵌入式 NAND 1.2k 0

江波龍SLC NANDFlash存儲芯片出貨量超5000萬顆

江波龍電子近期公布的投資者關(guān)系活動數(shù)據(jù)顯示，公司在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)加大研發(fā)投入，2024年上半年研發(fā)費用較去年同期實現(xiàn)顯著增長，彰顯了其在企業(yè)級、工...

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存儲卡參考設(shè)計——MK品牌 SD NAND

為了確保芯片能正常上電初始化，電壓要在0.5V以下至少1ms；電源上升的時候需要保持電源是穩(wěn)定的、持續(xù)上升的，上升到正常工作電壓的時間是0.1ms-35...

2024-08-05 標(biāo)簽：單片機 NAND 存儲卡 1.5k 0

泛林集團推出第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cryo 3.0，助力3D NAND邁向千層新紀(jì)元

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，美國領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林集團（Lam Research）再次引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，正式推出其經(jīng)過嚴格生產(chǎn)驗證的第三代低溫電介質(zhì)...

2024-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 泛林集團 1.8k 0

SK海力士加速NAND研發(fā)，400+層閃存量產(chǎn)在即

韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并預(yù)...

2024-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存 NAND 1.7k 0

泛林集團推出第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0

半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)泛林集團（Lam Research）近日震撼發(fā)布其專為3D NAND Flash存儲器制造設(shè)計的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cr...

2024-08-02 標(biāo)簽：NAND 3D Lam 1.7k 0

美光采用第九代TLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品量產(chǎn)

2024 年 7 月 31 日，美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的 SSD 產(chǎn)品已開始出...

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DRAM與NAND市場迎高增長，2024年收入飆升

據(jù)集邦咨詢最新報告，全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場正迎來前所未有的繁榮期。受市場需求強勁增長、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價格顯著上揚以及HBM（高帶寬內(nèi)存）...

2024-08-01 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.3k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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