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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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泛林集團(tuán)推出第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0
半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)泛林集團(tuán)(Lam Research)近日震撼發(fā)布其專(zhuān)為3D NAND Flash存儲(chǔ)器制造設(shè)計(jì)的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cr...
美光采用第九代TLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品量產(chǎn)
2024 年 7 月 31 日,美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的 SSD 產(chǎn)品已開(kāi)始出...
DRAM與NAND市場(chǎng)迎高增長(zhǎng),2024年收入飆升
據(jù)集邦咨詢(xún)最新報(bào)告,全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的繁榮期。受市場(chǎng)需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價(jià)格顯著上揚(yáng)以及HBM(高帶寬內(nèi)存)...
美光量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品
全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商美光科技今日宣布了一項(xiàng)重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段,標(biāo)志著...
美光第九代3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開(kāi)始出貨
知名存儲(chǔ)品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已然問(wèn)世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷...
2024-07-31 標(biāo)簽:NAND美光固態(tài)硬盤(pán) 1086 0
今日看點(diǎn)丨小米首發(fā)搭載,高通發(fā)布驍龍 4s Gen 2 芯片;美光宣布第九代 276 層 TLC NAND 閃存量產(chǎn)
1. 消息稱(chēng)明年京東方將成為iPhone SE 主要供應(yīng)商 LG 顯示為第二供應(yīng)商 ? 據(jù)報(bào)道,蘋(píng)果預(yù)計(jì)將與LG Display(LG顯示)合作,將后者...
SD NAND技術(shù)在穿戴醫(yī)療設(shè)備中的創(chuàng)新應(yīng)用及影響
隨著科技的不斷進(jìn)步,可穿戴醫(yī)療設(shè)備在個(gè)體健康監(jiān)測(cè)和健康管理中扮演著越來(lái)越關(guān)鍵的角色。這些設(shè)備不僅要求實(shí)時(shí)監(jiān)控用戶(hù)的生理參數(shù),如心率、血壓等,還需求能夠長(zhǎng)...
2024-07-31 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)芯片穿戴醫(yī)療設(shè)備 582 0
據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項(xiàng)重要財(cái)務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動(dòng)其N(xiāo)AND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國(guó)進(jìn)行首次公開(kāi)募股(IPO)。Solidigm作為...
我的eMMC啟動(dòng)不正常,問(wèn)題到底在哪里?
今天我們要分享的這個(gè)案例是關(guān)于eMMC啟動(dòng)不正常的問(wèn)題,感謝熱心網(wǎng)友“曬不”提供的案例素材,也謝謝他的分享。
2024-07-29 標(biāo)簽:NandNand flasheMMC 1453 0
蘋(píng)果計(jì)劃在2026年iPhone上啟用2TB存儲(chǔ),QLC NAND閃存成關(guān)鍵
隨著科技的飛速發(fā)展和用戶(hù)對(duì)智能手機(jī)功能需求的日益增長(zhǎng),蘋(píng)果再次在存儲(chǔ)技術(shù)上邁出了重要一步。據(jù)國(guó)外媒體最新報(bào)道,蘋(píng)果公司計(jì)劃在2026年的iPhone上...
預(yù)計(jì)2025年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將創(chuàng)新高
在全球科技產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展浪潮中,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)前所未有的繁榮期。據(jù)知名研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告顯示,受多重利好...
瀚海微SD NAND應(yīng)用存儲(chǔ)功能描述 3 總線信號(hào)電壓和時(shí)序
母線信號(hào)電壓切換順序: 初始化順序電壓切換命令順序如下方圖所示, 初始化命令順序如圖所示UHS-I主機(jī)流程圖。 紅色和黃色框是初始化UHS-I卡的新程序...
瀚海微SD NAND應(yīng)用之SD協(xié)議系統(tǒng)功能和概念 1 基礎(chǔ)知識(shí)
針對(duì)目前使用的SDNAND?、SD卡、TF卡,簡(jiǎn)單介紹一下系統(tǒng)信息 標(biāo)準(zhǔn)容量SD存儲(chǔ)卡(SDSC):不超過(guò)2GB 高容量SD存儲(chǔ)卡(SDHC): 2GB...
瀚海微SD NAND應(yīng)用之SD協(xié)議物理層的規(guī)范
本文中的數(shù)字規(guī)則 十六進(jìn)制數(shù)字以小寫(xiě)“h”后綴書(shū)寫(xiě),例如FFFFh和80h。 二進(jìn)制數(shù)用小寫(xiě)“b”后綴書(shū)寫(xiě)(例如,10b)。 大于四位數(shù)的二進(jìn)制數(shù)用一個(gè)...
三星電子存儲(chǔ)芯片價(jià)格大幅上調(diào),中國(guó)市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)與機(jī)遇
近日,三星電子宣布了一項(xiàng)重大市場(chǎng)決策,計(jì)劃在第三季度對(duì)其DRAM和NAND閃存存儲(chǔ)芯片進(jìn)行15%-20%的價(jià)格調(diào)整。這一舉措背后,是人工智能領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?..
三星和鎧俠持續(xù)加大對(duì)NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新
AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動(dòng)著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的飛躍,其中,海量數(shù)據(jù)的激增對(duì)存儲(chǔ)容量與性能提出了更高要求,使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益...
鎧俠產(chǎn)能利用率全面復(fù)蘇,218層NAND Flash即將量產(chǎn)
近期,日本NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)鎧俠(Kioxia)傳來(lái)振奮人心的消息。隨著全球AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展和市場(chǎng)需求的強(qiáng)勁反彈,該公司產(chǎn)能利用率在經(jīng)歷了一...
至訊創(chuàng)新量產(chǎn)業(yè)內(nèi)最小512Mb工業(yè)級(jí)NAND閃存芯片
近日,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片企業(yè)至訊創(chuàng)新科技(無(wú)錫)有限公司宣布了一項(xiàng)重要突破,成功量產(chǎn)了512Mb高可靠性工業(yè)級(jí)2D NAND閃存芯片。這款芯片的推出,不...
據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破,首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬(Mo)技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造...
SD NAND、SPI NAND和eMMC的區(qū)別對(duì)比分析
SPI NAND、SD NAND和eMMC是三種不同類(lèi)型的嵌入式存儲(chǔ)技術(shù),它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。以下是這三種存儲(chǔ)技術(shù)的主要區(qū)別:
2024-07-02 標(biāo)簽:mcuNAND存儲(chǔ)技術(shù) 2390 0
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