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nand

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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

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2024-08-02 標(biāo)簽:NAND3DLam 1262 0

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2024-08-02 標(biāo)簽:NAND美光科技閃存技術(shù) 720 0

DRAM與NAND市場(chǎng)迎高增長(zhǎng),2024年收入飆升

據(jù)集邦咨詢(xún)最新報(bào)告,全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的繁榮期。受市場(chǎng)需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價(jià)格顯著上揚(yáng)以及HBM(高帶寬內(nèi)存)...

2024-08-01 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND 1026 0

美光量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

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1. 消息稱(chēng)明年京東方將成為iPhone SE 主要供應(yīng)商 LG 顯示為第二供應(yīng)商 ? 據(jù)報(bào)道,蘋(píng)果預(yù)計(jì)將與LG Display(LG顯示)合作,將后者...

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SD NAND技術(shù)在穿戴醫(yī)療設(shè)備中的創(chuàng)新應(yīng)用及影響

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SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

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2024-07-30 標(biāo)簽:NANDSSDSK海力士 1507 0

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2024-07-29 標(biāo)簽:NandNand flasheMMC 1453 0

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母線信號(hào)電壓切換順序: 初始化順序電壓切換命令順序如下方圖所示, 初始化命令順序如圖所示UHS-I主機(jī)流程圖。 紅色和黃色框是初始化UHS-I卡的新程序...

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2024-07-05 標(biāo)簽:NANDFlaShqlc 1089 0

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至訊創(chuàng)新量產(chǎn)業(yè)內(nèi)最小512Mb工業(yè)級(jí)NAND閃存芯片

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2024-07-04 標(biāo)簽:NAND閃存芯片存儲(chǔ)芯片 877 0

三星第9代V-NAND采用鉬金屬布線技術(shù)

據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破,首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬(Mo)技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造...

2024-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NAND三星電子 1011 0

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2024-07-02 標(biāo)簽:mcuNAND存儲(chǔ)技術(shù) 2390 0

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