由于市場持續(xù)供過于求，DRAM與NAND Flash第四季價格開始走跌

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，雖然下半年是產(chǎn)業(yè)旺季，但市場持續(xù)供過于求，DRAM第三季合約價格季漲幅縮小到僅1~2%，...

2018-10-11 標簽：DRAMNAND內(nèi)存 1056 0

DRAM和NAND Flash價格呈現(xiàn)疲軟的態(tài)勢，內(nèi)存和SSD產(chǎn)品有望迎來降價浪潮

據(jù)TrendForce旗下的DRAMeXchange發(fā)布的最新報告顯示，本應該是購物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合約采購價均呈現(xiàn)...

2018-10-11 標簽：DRAMNAND內(nèi)存 989 0

三星采取保守策略，DRAM投資大減，NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支...

2018-10-10 標簽：DRAMNAND三星電子 3667 1

東芝TR200SSD240G性能測試 東芝的64層3DNANDSSD有多厲害

傳說中的64層3D NAND的故事，延續(xù)了1年時間。這次巧合的機會體驗到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術。是東芝首款6...

2018-10-09 標簽：東芝NANDSSD 1.1萬 0

價格周期性漲跌，NAND Flash產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生新變化

目前，NAND Flash的價格下行趨勢已經(jīng)確立。根據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket近日發(fā)布的數(shù)據(jù)，截止至2018年8月27日，NAND ...

2018-10-09 標簽：閃存NAND存儲 1518 0

東芝推出基于單層存儲單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時間為...

2018-10-08 標簽：東芝閃存NAND 2289 0

英特爾96層3D NAND二期項目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行

9月21日，英特爾大連非易失性存儲二期項目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行。省委副書記、省長唐一軍出席啟動儀式。

2018-09-30 標簽：英特爾NAND 4096 0

3D NAND芯片市場發(fā)展空間巨大，三星電子很難單獨吞下這一片市場

8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求?！笨墒牵?..

2018-10-01 標簽：NAND三星電子 3212 0

DRAM、NAND flash和NOR flash三者牢牢控制著內(nèi)存市場

你如果問當前內(nèi)存市場是誰的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場，當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過...

2018-09-29 標簽：DRAMNAND內(nèi)存 5804 0

英特爾70%的3D NAND快閃存儲器來自大連晶圓廠

英特爾2006年與大連市政府達成合作協(xié)定，2007年起在大連投資25億美元，建設12英寸晶圓廠，主要負責處理器封裝測試，2010年大連晶圓廠正式落成。

2018-09-29 標簽：英特爾NAND 4193 0

NAND的生產(chǎn)工藝提升或將推動智能手機很快進入TB時代

2018年全球半導體市場規(guī)模達到1500億美金，其中NAND Flash將超過570億美金，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%，這意味著中國目前已經(jīng)是全球存儲...

2018-09-28 標簽：智能手機NAND 3895 0

鑒于預期需求放緩，三星電子明年計劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅

鑒于預期需求放緩，三星電子明年計劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅，以確保供應緊縮。

2018-09-28 標簽：NAND三星電子內(nèi)存 1048 0

3D NAND TB時代或指日可待，Xtacking會是中國閃存的王牌嗎？

近日，備受業(yè)界關注的“2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）”在深圳開幕，來自三星、美光、西部數(shù)據(jù)、長江存儲、慧榮科技、群聯(lián)電子以及江波龍等全球...

2018-09-27 標簽：閃存NAND存儲 2061 0

有了大連工廠的支撐，Intel能在消費市場上再次開辟一天新天地嗎？

據(jù)媒體報道，近日，Intel大連非易失性存儲二期項目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行。

2018-09-26 標簽：閃存NANDIntel 1386 0

長江存儲計劃在明年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片

據(jù)報道，紫光投資的長江存儲傳來新動態(tài)。

2018-09-26 標簽：閃存NAND長江存儲 2839 0

NAND存儲器跌破兩年前價位，國內(nèi)廠商能否決勝于新一輪周期回轉？

內(nèi)存市場和閃存市場有一定的關聯(lián)性，不管是存儲介質(zhì)或是存儲主控芯片，它的成敗不在一年兩年，而是一個長期的過程，一個企業(yè)要好這個事情，不可能是做好一款爆品之...

2018-09-25 標簽：NAND存儲器 4855 0

96層QLC技術的升級，NAND Flash成本下滑

東芝內(nèi)存CEO毛康雄(Yasuo Naruke)在東芝內(nèi)存及其合資伙伴西部數(shù)據(jù)舉辦的新聞發(fā)布會上表示：“短期內(nèi)的價格波動是供需平衡的體現(xiàn)，但我們正在解決...

2018-09-25 標簽：東芝閃存NAND 5143 0

IC設計門檻墊高　NAND Flash控制晶片進入1X奈米時代

全球快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián)電子(8299)董事長潘健成表示，由于NAND Flash控制晶片的設計愈加復雜、所需人力及銀彈越來...

2018-09-21 標簽：ICNand 4469 0

東芝無懼芯片價格下跌，將量產(chǎn)96層3D NAND Flash

日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導體設施Fab 6 (6號晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片...

2018-09-20 標簽：東芝Nand 5403 0

旺宏預計2019年量產(chǎn)3D NAND，并進軍SSD市場

非揮發(fā)性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預計2018年或2019年量產(chǎn)，并進軍固態(tài)硬盤（SSD）市場。

2018-09-17 標簽：NANDSSD旺宏 2057 0