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三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

BN7C_zengshouji ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-10-10 16:13 ? 次閱讀
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集微網(wǎng)消息,據(jù)日媒報道指出,因市場預(yù)期DRAM價格將在2019年之后呈現(xiàn)下跌趨勢,三星恐將采取更為保守的策略。2019年,三星恐將減少在半導(dǎo)體設(shè)備上的投資額,其中DRAM的投資額預(yù)估減少20%以上,而在NAND Flash上的投資仍將持續(xù)增加。

DRAM增長趨勢或?qū)⒎啪?/p>

今年1-8月,DRAM的均價不斷上揚(yáng),對此,半導(dǎo)體調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為,DRAM的平均售價(以及隨后的市場增長)已達(dá)到頂峰,隨著DRAM市場的產(chǎn)能擴(kuò)充和資本支出增長,2019年DRAM市場的上升趨勢或?qū)⑼V埂?/p>

IC Insights指出,去年DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出增加81%,今年持續(xù)攀升40%,預(yù)計未來會出現(xiàn)供給過剩的情況。但是與以往歷史記錄稍有不同的是,雖然DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出過高,但預(yù)期產(chǎn)能過剩的情況可能沒有以往嚴(yán)重。因?yàn)?,目前各大存儲器大廠都在升級20nm制程,成本的增加意味著資本投入后的增加的產(chǎn)能比前幾代制程少。

值得一提的是,隨著合肥長鑫和福建晉華等兩家大陸存儲器廠商今年釋出產(chǎn)能,或?qū)槿騼?nèi)存市場帶來些許未知變數(shù)。

不過,作為全球DRAM龍頭廠商,三星電子設(shè)備解決方案部門總裁金奇南 (Kim Ki-nam)稍早接受韓國聯(lián)合通訊社采訪時表示,今年底前DRAM芯片需求不會發(fā)生重大變化,似乎對今年DRAM價格持穩(wěn)深具信心。

至于DRAM連續(xù)數(shù)季搶貨的情況是否會在明年止步,金奇南則強(qiáng)調(diào)明年DRAM需求仍持續(xù)強(qiáng)勁,也暗示對明年DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長維持樂觀態(tài)度。

三星或大幅減少DRAM投資

三星電子近日公布的第3季財報顯示,其第3季營收達(dá)17.5兆韓元(約154.7億美元),較2017年同期大漲20%以上,創(chuàng)下單季歷史新高紀(jì)錄。由于移動業(yè)務(wù)不斷下滑,三星第3季度的主要獲利依然來源于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的大幅增長。

根據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》 采訪業(yè)內(nèi)5位分析師的看法,其中4位都認(rèn)為三星2019年會下調(diào)半導(dǎo)體設(shè)備投資,另外1位則認(rèn)為三星會持續(xù)增加投資,其中增加的投資主要針對于晶圓代工業(yè)務(wù),而存儲器的投資還是會減少。

報道進(jìn)一步指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。

除此之外,SK證券指出,三星2019年的半導(dǎo)體策略主要是重視DRAM的價格,以及NAND閃存的市占率。為了避免獲利率較高的DRAM陷入極端供應(yīng)過剩局面,三星將藉由抑制投資,借此舒緩2019年DRAM價格的下跌速度。

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原文標(biāo)題:三星采取保守策略?明年DRAM投資大減20%,NAND閃存投資持續(xù)增加

文章出處:【微信號:zengshouji,微信公眾號:MCA手機(jī)聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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