隨著NAND Flash價(jià)格的下滑，如何加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力成為各大原廠共同的難題

近兩年來(lái)DIY市場(chǎng)可謂是風(fēng)起云涌，從2016年下半年開始SSD、內(nèi)存和顯卡陸續(xù)漲價(jià)，2017年8GB內(nèi)存價(jià)格甚至一度破千元，顯卡一度賣脫銷。本以為201...

2018-09-12 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)SSD 1.2k 0

三星豪賭260億美元計(jì)劃壟斷DRAM和NAND市場(chǎng)，5G實(shí)現(xiàn)里程碑式的突破

1引言 目前，國(guó)產(chǎn)的勵(lì)磁功率柜普遍存在檢測(cè)功能不全、信息傳送技術(shù)、控制和檢測(cè)技術(shù)落后等問(wèn)題。為了解決這一問(wèn)題，本文給出了通過(guò)采用高集成度單片機(jī)C8051...

2018-07-03 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 1.2k 0

鎧俠NAND閃存生產(chǎn)恢復(fù)

近日，據(jù)日本媒體報(bào)道，知名半導(dǎo)體企業(yè)鎧俠（Kioxia）已成功將其位于日本三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND閃存工廠的生產(chǎn)線開工率提升至100%。...

2024-06-18 標(biāo)簽：閃存NAND鎧俠 1.2k 0

存儲(chǔ)卡作為物聯(lián)網(wǎng)中的安全產(chǎn)品

　　3D-NAND閃存技術(shù)，其中閃存單元垂直分層，正在成為用于強(qiáng)大和安全工業(yè)用途的存儲(chǔ)卡的最佳解決方案。雖然2D-SLC-NAND（SLC是最快，最可靠...

2022-10-24 標(biāo)簽：嵌入式NAND物聯(lián)網(wǎng) 1.2k 0

以存儲(chǔ)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)未來(lái)計(jì)算，西部數(shù)據(jù)有哪些實(shí)力？

隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的深入，數(shù)據(jù)呈現(xiàn)出指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)量未來(lái)5年內(nèi)將超過(guò)之前所有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的兩倍。海量數(shù)據(jù)的誕生和數(shù)據(jù)的全生命周期的增...

2022-11-11 標(biāo)簽：NAND西部數(shù)據(jù) 1.2k 0

iPhone8臨近上市恐令全球記憶芯片供應(yīng)趨緊

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：據(jù)路透社報(bào)道， 美國(guó)蘋果公司將在今年晚些時(shí)候推出新款iPhone，這或?qū)⒘钊蛴洃浶酒?yīng)進(jìn)一步趨緊?；谶@種情況，全球電子產(chǎn)品制造...

2017-06-22 標(biāo)簽：nand蘋果iphone8 1.2k 6

Apacer開發(fā)3D NAND閃存的優(yōu)化 為客戶提供最適合其應(yīng)用的P / E周期

NAND閃存已經(jīng)成為一種成熟的技術(shù)，并且現(xiàn)在可用的各種格式已經(jīng)在許多工業(yè)應(yīng)用中采用。

2019-11-15 標(biāo)簽：閃存NAND 1.2k 0

三星、NAND先后延遲投產(chǎn)，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備市況是個(gè)很大的沖擊

三星電子、NAND型快閃存儲(chǔ)器商今(2018)年紛紛延遲投產(chǎn)，分析師擔(dān)憂這恐怕會(huì)沖擊明年的半導(dǎo)體設(shè)備市況。

2018-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND三星電子 1.2k 0

NAND進(jìn)入美日韓壟斷局面 3D NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇

3D NAND的出現(xiàn)也是因?yàn)?D NAND無(wú)法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的...

2019-11-14 標(biāo)簽：NAND 1.2k 0

NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用 　0 引言 　　計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過(guò)去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來(lái)...

2009-11-07 標(biāo)簽：NANDFLASH 1.2k 0

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)加緊布局，力求在全球競(jìng)爭(zhēng)中占有一席之地

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中，它根...

2018-10-26 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)器 1.2k 0

英特爾和美光將投入2bit單元25nm MLC NAND閃存

目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價(jià)格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來(lái)更具性價(jià)比的產(chǎn)品。顯然，英...

2011-01-02 標(biāo)簽：NAND 1.2k 0

存儲(chǔ)器市況目前呈現(xiàn)兩類，DRAM歡喜NAND憂

目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而...

2018-06-22 標(biāo)簽：DRAMNAND 1.2k 0

DRAM與NAND閃存價(jià)格大幅下跌

近期，DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊，導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，...

2024-10-09 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1.2k 0

“神仙打架”的車企背后，智能汽車產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了什么？

2024 年伊始，汽車市場(chǎng)就開始彌漫著濃濃的硝煙味道，年味還沒散盡，比亞迪就用“電比油低”揭開了新一輪“戰(zhàn)爭(zhēng)”序幕。

2024-04-17 標(biāo)簽：DRAMNAND智能汽車 1.1k 0