納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤(rùn)，因此相較于應(yīng)用處理器（AP）和快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash），DRAM的微細(xì)制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:42
1340 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 25年來，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)一直在等待更好的技術(shù)出現(xiàn)。目前市場(chǎng)上的主流存儲(chǔ)器是DRAM和NAND Flash，有可能席卷目前兩種主流存儲(chǔ)器的NRAM近日有了最新消息。有業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為遲到總比缺席好，那么這種技術(shù)的發(fā)展有何特點(diǎn)？能否挑戰(zhàn)目前根深蒂固的存儲(chǔ)技術(shù)呢？
2017-01-27 03:08:001226 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 和非易失性存儲(chǔ)器。其中，“易失性存儲(chǔ)器”是指斷電以后，內(nèi)存信息流失的存儲(chǔ)器，例如DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），包括電腦中的內(nèi)存條。而“非失性存儲(chǔ)器”是指斷電之后，內(nèi)存信息仍然存在的存儲(chǔ)器，主要有NOR Flash和NAND
2020-12-16 14:57:452227 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM兩種。我們經(jīng)常說的“內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。問題4：為什么使用DRAM比較多、而使用SRAM卻很少？答：1）因?yàn)橹圃煜嗤萘康腟RAM比DRAM的成本高的多
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
的速度還存有巨大落差，這是目前存儲(chǔ)器體制(memory hierarchy)的現(xiàn)況。所以合理的情境是已有新興存儲(chǔ)器(emergent memories)的技術(shù)已接近成熟，可以填補(bǔ)這個(gè)區(qū)位，所以兩家大廠
2018-10-12 14:46:09
FLASH存儲(chǔ)器可以快速訪問并且每位成本相對(duì)較低，但它有兩個(gè)問題使其無法用作CPU RAM。Flash。圖片由Cyferz提供[ 知識(shí)共享署名2.5通用 ]第一個(gè)問題是NAND FLASH使用的內(nèi)存
2020-09-25 08:01:20
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲(chǔ)器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲(chǔ)器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，又導(dǎo)致FRAM與SRAM、DRAM分家，大家都有RAM嘛，憑什么分開是吧。我的建議是，存儲(chǔ)器分成隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和非隨機(jī)存取存儲(chǔ)器兩大類比較合適。于是，存儲(chǔ)器的分類如下(按
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
Programmable）。 3、可改寫的只讀存儲(chǔ)器EPROM： 前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因?yàn)樗膬?nèi)容可以通過紫外線照射而徹底擦除
2017-10-24 14:31:49
Time Programmable）。 3、可改寫的只讀存儲(chǔ)器EPROM： 前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因?yàn)樗膬?nèi)容可以通過紫外線照射而徹底
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中，初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開始的，但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長(zhǎng)，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲(chǔ)器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
NAND FIash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計(jì)
2021-04-25 09:18:53
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。以上主要用于系統(tǒng)內(nèi)存儲(chǔ)器，容量大，不需要斷電后仍保存數(shù)據(jù)的。PSRAMPSRAM ，假靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。具有一個(gè)單晶體管的DRAM儲(chǔ)存格
2015-11-04 10:09:56
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
計(jì)算機(jī)等級(jí)三級(jí)嵌入式知識(shí)點(diǎn)總結(jié)二這個(gè)是一個(gè)計(jì)算機(jī)三級(jí)嵌入式的復(fù)習(xí)重點(diǎn)，個(gè)人總結(jié)，希望對(duì)考前幾天復(fù)習(xí)的老鐵們有用。但記得，刷題才是根本，看了重點(diǎn)需要配套刷題?。?！凡是和存儲(chǔ)器有關(guān)的指令只有兩類：LDR
2021-12-23 07:10:59
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）。可以得出存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
減少存儲(chǔ)器占用的系統(tǒng)空間，因此必須要對(duì)DRAM進(jìn)行新的改進(jìn)。目前可以采用兩種截然不同的產(chǎn)品線策略，將基于DRAM的存儲(chǔ)器引入無線電話，分別是：CellularRAM對(duì)應(yīng)于本地執(zhí)行(XIP)存儲(chǔ)器架構(gòu)
2009-10-08 15:53:49
1.靜態(tài)數(shù)碼管原理圖LED數(shù)碼管根據(jù)LED的不同接法分為兩類：共陰和共陽
2021-11-18 08:15:52
?過去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
2018-12-24 14:28:00
未來DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
系統(tǒng)設(shè)計(jì)存在設(shè)計(jì)基于閃存的可靠的嵌入式和存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)仍然面對(duì)重大挑戰(zhàn)。隨著每代新產(chǎn)品的出現(xiàn)，目前存儲(chǔ)器技術(shù)要求尺寸越來越小，但耑要較大系統(tǒng)級(jí)變化來維持系統(tǒng)級(jí)討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲(chǔ)器架構(gòu)
2018-05-17 09:45:35
具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類。易失性存儲(chǔ)器斷電后，里面存儲(chǔ)
2022-02-11 07:51:30
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
（DRAM）與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲(chǔ)電荷數(shù)的多少來代表所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，電路結(jié)構(gòu)十分簡(jiǎn)單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因?yàn)殡娙萆系碾姾蓵?huì)泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
關(guān)于cpu訪問GPIO、UART、I2C等接口，與cpu訪問FLASH、ROM、SDRAM的區(qū)別？cpu訪問GPIO、UART等外設(shè)，是通過特殊功能的寄存器，不也是在訪問內(nèi)存上的某一地址嗎？而cpu訪問FLASH、ROM也是訪問內(nèi)存中對(duì)應(yīng)的某一地址。請(qǐng)問，訪問兩類，有何區(qū)別？
2019-09-10 05:45:16
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
單元物理結(jié)構(gòu)上的改善等，使低電壓?jiǎn)我浑娫搭愋偷拈W速存儲(chǔ)器也形成產(chǎn)品。以文件為使用目的的AND及NAND兩種類型的閃速存儲(chǔ)器目前已在市場(chǎng)上流通，應(yīng)用于大容量的Flash ATA卡等方面。海洋儀器http://www.hyxyyq.com
2018-04-09 09:29:07
。RAM中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在掉電是會(huì)丟失，因而只能在開機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。ROMROM又稱只讀存儲(chǔ)器，只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:06909 基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21499 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 主攻個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）近期呈現(xiàn)強(qiáng)勁的拉貨力道，本月價(jià)格可望強(qiáng)彈；應(yīng)用行動(dòng)裝置的儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）因補(bǔ)貨需求落空，價(jià)格看跌。
2012-05-07 10:47:51689 
FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 三星電子、NAND型快閃存儲(chǔ)器商今(2018)年紛紛延遲投產(chǎn)，分析師擔(dān)憂這恐怕會(huì)沖擊明年的半導(dǎo)體設(shè)備市況。
2018-07-20 12:55:00927 紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 ，Gartner預(yù)估今年增幅為4%。 這236億美元的上調(diào)金額中，有195億美元來自存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)。他認(rèn)為，DRAM、NAND Flash存儲(chǔ)器漲價(jià)拉高了整體半導(dǎo)體市場(chǎng)的展望。與此同時(shí)，智能手機(jī)、個(gè)人電腦以及服務(wù)器等關(guān)鍵半導(dǎo)體買家的利潤(rùn)將面臨壓縮。
2018-01-16 12:09:01512 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:00912 根據(jù)韓國(guó)媒體的報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會(huì)在韓國(guó)平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。 之前，韓國(guó)媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:114712 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場(chǎng)的角度，就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860 
NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122130 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 2018年上半年，世界存儲(chǔ)器市場(chǎng)營(yíng)銷額為808.03億美元，其中：DRAM營(yíng)收額為487.67億美元，占到存儲(chǔ)器市場(chǎng)總值的60.4%；NAND Flash營(yíng)收額320.36億美元，占存儲(chǔ)器市場(chǎng)總值的39.6%的份額。
2018-08-21 17:09:288956 
目前在技術(shù)上，聲音的存儲(chǔ)大都使用大容量的NAND Flash，但一般按照文件系統(tǒng)的方式存儲(chǔ)，這對(duì)學(xué)生有一定的難度。本聲音播放器的聲音文件采用非文件方式存儲(chǔ)在NAND Flash中，這樣在不需要太多
2018-12-31 11:29:002879 
據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278 由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器和DRAM價(jià)格已經(jīng)持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場(chǎng)供應(yīng)緊俏狀況。
2018-10-27 08:59:143740 在經(jīng)歷了兩年的瘋狂上漲之后，存儲(chǔ)器市場(chǎng)要進(jìn)行深度的調(diào)整了。美國(guó)花旗銀行預(yù)計(jì)明年存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)大幅下降，NAND價(jià)格會(huì)跌45%，DRAM價(jià)格會(huì)下跌30%，而且明年Q2季度之前不會(huì)見底。
2019-01-02 14:23:40895 存儲(chǔ)器市況需求冷淡，受到庫(kù)存水位偏高，首季價(jià)格跌幅達(dá)到雙位數(shù)，由于預(yù)期市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下探，模塊廠及終端拉貨動(dòng)能
2019-02-18 16:32:192530 2月27日，南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，去年大幅成長(zhǎng)的服務(wù)器存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)過兩季的調(diào)整，3月起市況開始好轉(zhuǎn)，第二季DRAM 市況可望較第一季略為回溫。
2019-02-28 17:36:58690 存儲(chǔ)器市況不明，針對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)趨勢(shì)，存儲(chǔ)器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）價(jià)格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個(gè)位數(shù)百分比；而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48538 雖然日本限制關(guān)鍵科技原料出口至韓國(guó)，對(duì)業(yè)界投下震撼彈，但三星電子（Samsung Electronics Co.）表明，目前并無減產(chǎn)DRAM等存儲(chǔ)器芯片的打算，還說日本出口限制令的沖擊難以估算，只能盡量把傷害降到最低。
2019-08-03 11:55:384040 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 目前在全球的消費(fèi)電子市場(chǎng)上，存儲(chǔ)器是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲(chǔ)器細(xì)分，又可分為 DRAM、NAND Flash 與 Nor Flash 三種。
2019-11-19 10:53:081122 ReRAM，目前暫無商用產(chǎn)品，其代表公司是美國(guó)的Crossbar。 上述新型存儲(chǔ)器已被研究了近數(shù)十年，只是相對(duì)于早已產(chǎn)業(yè)化的隨機(jī)存儲(chǔ)sram、DRAM存儲(chǔ)器、和NAND Flash，還未能大規(guī)模商用
2020-04-25 11:05:572584 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537 獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲(chǔ)器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 、NAND產(chǎn)品合約價(jià)格開始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢(shì)，預(yù)計(jì)持續(xù)至明年上半年。 今年Q4開始，DRAM、NAND出貨下滑、價(jià)格下跌 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)紛紛表示存儲(chǔ)價(jià)格在今年Q4已經(jīng)出現(xiàn)下跌。根據(jù)閃存市場(chǎng)，因?yàn)镼3加大了對(duì)DRAM的供應(yīng)，目前DRAM市場(chǎng)已經(jīng)恢復(fù)平穩(wěn)，而NAND市場(chǎng)近期的供應(yīng)
2021-10-27 09:44:071771 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50503 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921
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