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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭三星2018年計(jì)劃提升目前64層3D NAND堆疊層數(shù)達(dá)50%以上

未來(lái)NAND Flash產(chǎn)品若采用可儲(chǔ)存4位元資料的QLC技術(shù)，可望較TLC技術(shù)多儲(chǔ)存約33%的資料量，不過(guò)，隨著每一儲(chǔ)存單元的儲(chǔ)存資料量增加，壽命亦將...

2018-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 9k 0

一日看點(diǎn)：聯(lián)發(fā)科出貨潮來(lái)臨、NAND明年恐過(guò)剩、富士康發(fā)行估值存變數(shù)

1.網(wǎng)曝小米新機(jī)搭載MT6765 聯(lián)發(fā)科下半年或迎出貨潮； 2.矽力杰Q2工業(yè)類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)入旺季五大類(lèi)產(chǎn)品同步增長(zhǎng)； 3.國(guó)巨陳泰銘：全球4大不確...

2018-05-23 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科 dram nand 1.6k 0

蘋(píng)果預(yù)測(cè)NAND/DRAM價(jià)格有望走低，第2季度頹勢(shì)預(yù)估將延續(xù)至第3季度

美光科技（Micron Technology Inc.， MU.US）股價(jià)在5月1日盤(pán)后因蘋(píng)果（ Apple Inc. ）財(cái)務(wù)長(zhǎng)Luca Maest...

2018-07-04 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光 808 0

你了解SSD的結(jié)構(gòu)嗎？國(guó)產(chǎn)主控芯片何時(shí)才會(huì)真正來(lái)臨

SSD硬盤(pán)逐漸取代HDD機(jī)械硬盤(pán)已經(jīng)是大勢(shì)所趨，2016年全球SSD硬盤(pán)出貨1.5億個(gè)，到2021年還將進(jìn)一步增長(zhǎng)到2.5億個(gè)，市場(chǎng)價(jià)值高達(dá)300億美元...

2018-05-22 標(biāo)簽：閃存 nand ssd 1.6萬(wàn) 0

有哪些應(yīng)用領(lǐng)域推動(dòng)了3D NAND/SSD的需求增長(zhǎng)？

物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展導(dǎo)致無(wú)論消費(fèi)性電子、企業(yè)、工業(yè)、汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)SSD的需求都急速攀升，為NAND Flash內(nèi)存、控制芯片、SSD模塊等供應(yīng)鏈業(yè)者帶來(lái)絕佳的成...

2018-07-06 標(biāo)簽：NAND SSD 2.2k 0

雖然DRAM及NAND Flash 因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì)，但美光繼續(xù)看好

雖然近期DRAM及NAND Flash價(jià)格走勢(shì)因淡季效應(yīng)而略顯弱勢(shì)，但是并不影響記內(nèi)存廠(chǎng)商的獲利表現(xiàn)。美國(guó)存儲(chǔ)廠(chǎng)商美光（Micron）昨日宣布調(diào)升20...

2018-07-06 標(biāo)簽：DRAM NAND 712 0

DRAM價(jià)格持續(xù)上漲，NAND Flash跌價(jià)壓力增加

根據(jù)CINNO Research從存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈業(yè)者所掌握到的消息，除了DRAM供給端產(chǎn)出成長(zhǎng)持續(xù)有限外，主要受惠于第二季智能型手機(jī)備貨需求開(kāi)始增溫以及服...

2018-05-05 標(biāo)簽：DRAM NAND 5.5k 0

兆易創(chuàng)新一季營(yíng)收歷史新高達(dá)5.42億 MCU可維持60%年復(fù)合增長(zhǎng)率

我們看到了一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)低于預(yù)期的情況（營(yíng)收，經(jīng)營(yíng)性業(yè)績(jī)強(qiáng)勁），也看到了一些有趣的地方，但仍然給予樂(lè)觀(guān)的預(yù)期。在于公司基本面堅(jiān)挺以及合肥項(xiàng)目的高度可期。...

2018-04-30 標(biāo)簽：MCU 半導(dǎo)體 NAND 5.4k 0

美光Q2業(yè)績(jī)揭露存儲(chǔ)市場(chǎng)現(xiàn)狀如何

2 018 年Q 2 現(xiàn)金流達(dá)到2 2.34 億美元，同比增2 85 %。盡管美光資本支出正在增加，但預(yù)計(jì)公司自由現(xiàn)金流將從201 6 年的負(fù)值轉(zhuǎn)為2...

2018-05-29 標(biāo)簽：DRAM nand 美光 3.4k 0

2018年底開(kāi)始向市場(chǎng)供應(yīng)尖端產(chǎn)品三維NAND型閃存芯片

那么前景如何呢？英國(guó)調(diào)查公司IHS Markit首席分析師南川明表示“2020年以后的NAND供需取決于長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技”。如果將該公司的計(jì)劃全部計(jì)算進(jìn)去，...

2018-04-25 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片 5.6k 0

中國(guó)進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第一梯隊(duì)指日可待

位于湖北武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)4月11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠(chǎng)房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自...

2018-04-27 標(biāo)簽：nand 存儲(chǔ)芯片紫光集團(tuán) 5.2k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)提上日程光谷是希望之地

按照計(jì)劃，今年四季度，設(shè)備有望點(diǎn)亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品，是去年成功研發(fā)的中國(guó)首顆32層三維NAN...

2018-04-23 標(biāo)簽：nand 紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.7k 0

中國(guó)存儲(chǔ)芯片即將起飛，有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面

2018-04-18 標(biāo)簽：集成電路 NAND 存儲(chǔ)芯片 6.9k 0

一文看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對(duì)DRAM、邏輯器件、NAND的影響

本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品來(lái)進(jìn)行詳細(xì)介紹。

2018-04-21 標(biāo)簽：dram nand 邏輯器件 1.4萬(wàn) 0

中國(guó)力推半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化,2018年底或?qū)㈤_(kāi)始提供三維NAND閃存芯片

據(jù)報(bào)道，由于智能手機(jī)需求下降，NAND目前行情疲軟。不過(guò)，年初向來(lái)是需求下降的時(shí)期。很多人認(rèn)為，為迎接年底促銷(xiāo)，各公司2018年夏季將開(kāi)始采購(gòu)智能手機(jī)零...

2018-04-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 閃存芯片 1.5萬(wàn) 0

“中國(guó)芯”國(guó)際地位要提高長(zhǎng)江存儲(chǔ)要用5年時(shí)間達(dá)到世界水平

目前，全球存儲(chǔ)器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國(guó)企業(yè)手中，屬于相對(duì)壟斷市場(chǎng)。去年6月，三星宣布64層NAND閃存開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。這些技術(shù)和產(chǎn)品，將推動(dòng)以...

2018-04-17 標(biāo)簽：nand 閃存芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.6k 0

解說(shuō)DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品

影響DRAM工藝縮減的主要問(wèn)題是電容。為了可靠地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要大于一定的閾值。要繼續(xù)制造出占用面積更小的電容，可以把電容做得更高，薄膜更薄，或者增加...

2018-04-16 標(biāo)簽：DRAM NAND 邏輯器件 1.0萬(wàn) 0

內(nèi)存價(jià)格降了？ 2018年NAND市場(chǎng)將再創(chuàng)新高

IHS表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的銷(xiāo)售總額增長(zhǎng)了77％，而閃存芯片的銷(xiāo)售額增長(zhǎng)了47％。隨著全年供應(yīng)日益緊張，市場(chǎng)也受到明顯影響，隨著需求增加，201...

2018-05-13 標(biāo)簽：高通英特爾 nand 1.1k 0

在春節(jié)長(zhǎng)假期，國(guó)人歡慶佳節(jié)的時(shí)候，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠(chǎng)依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)，中國(guó)可望打破當(dāng)前三星在NA...

2018-07-02 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)長(zhǎng)江 5.7k 0

2018年DRAM市場(chǎng)整體規(guī)模將會(huì)達(dá)到996億美元

DRAM市場(chǎng)整體規(guī)模將會(huì)達(dá)到996億美元，比NAND閃存市場(chǎng)621億美元還高出375億美元，將成為IC行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類(lèi)別。從圖表中就可以看出，在過(guò)去...

2018-03-23 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 9.9k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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東芝公司

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快閃存儲(chǔ)器

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
V-NAND

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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