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標(biāo)簽 > nmos管
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固體中電子的能量是不可以連續(xù)取值的,而是一些不連續(xù)的能帶,要導(dǎo)電就要有自由電子或者空穴存在,自由電子存在的能帶稱為導(dǎo)帶(能導(dǎo)電)。被束縛的電子要成為自由...
2023-10-26 標(biāo)簽:三極管二極管半導(dǎo)體材料 1521 0
最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)處理器制造商正在經(jīng)歷十年來器件架構(gòu)的第一次重大變革,即從鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)轉(zhuǎn)變到納米片(nanosheet)。
在數(shù)字的世界里,無處不需要時(shí)鐘,各種振蕩電路的設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)片內(nèi)的集成,但是要實(shí)現(xiàn)高精度的時(shí)鐘頻率,晶體振蕩器是很好的選擇,時(shí)鐘頻率精度可以達(dá)到ppm級(jí)別。
2023-10-12 標(biāo)簽:晶體振蕩器溫度補(bǔ)償電路負(fù)載電容 7685 0
PMOS管與NMOS管控制電路設(shè)計(jì)對(duì)比
如果讓大家舉個(gè)PMOS管實(shí)際應(yīng)用電路,恐怕大多數(shù)讀者除了下圖所示的電源開關(guān)控制電路外,實(shí)在是想不出更多其它實(shí)用電路了。
2023-10-11 標(biāo)簽:芯片開關(guān)電路整流器 2995 0
介紹一個(gè)使用單個(gè)MOS管來實(shí)現(xiàn)雙向電平轉(zhuǎn)換的電路
我們?nèi)粘9ぷ髦袝?huì)經(jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場景,尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換,或者隔離芯片的兩端的不同電壓需求
MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級(jí)效應(yīng)
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性,并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng),如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等,之后介紹了MOS管的寄生電容,...
NMOS LDO和PMOS LDO的Dropout Voltage簡析
LDO規(guī)格書中標(biāo)注Dropout Voltage 這個(gè)指標(biāo)一般都是有特定條件的,一般有負(fù)載電流、輸出電壓條件,在備注或者測試條件中還有溫度范圍,以及輸入...
VOOC閃充是OPPO獨(dú)立自主研發(fā)的快速充電技術(shù),并申請(qǐng)18項(xiàng)專利,將最快充電速度提升了4倍以上,并有無懈可擊的智能全端式五級(jí)防護(hù),是全世界較快較安全的...
2023-10-02 標(biāo)簽:適配器智能充電器STM8S003F3 1650 0
LDO(低壓降穩(wěn)壓器) 的典型特性便是壓降。因?yàn)樗拿Q以及其縮寫由此而來。
2023-09-22 標(biāo)簽:線性穩(wěn)壓器誤差放大器低壓降穩(wěn)壓器 2322 0
單極運(yùn)算放大器的輸出轉(zhuǎn)移特性曲線仿真
打開virtuoso和library manage,我使用前幾天我添加的tsmc018的庫來完成仿真
2023-09-11 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器仿真器GND 2607 0
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
3.6A刷式直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器-GC8871介紹
GC8871 是一款帶內(nèi)部電流感測功能的刷式直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片, 適用于打印機(jī)、電器、工業(yè)設(shè)備以及其他小型機(jī)器。
2023-08-31 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器直流電機(jī)電源供電 861 0
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