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NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。

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MPS | DCDC 高端 NMOS 的自舉秘訣

NMOS管的主回路電流方向為D極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向為S極到G極，導(dǎo)通條件為VSG有一...

2024-01-05 標(biāo)簽：NMOS DCDC MPS 1739 0

閾值電壓對傳播延遲和躍遷延遲的影響

如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需...

2023-09-07 標(biāo)簽：NMOS 導(dǎo)通電阻 PMOS 1724 0

Buck電源芯片輸出有問題如何檢查

　　檢查電感取值是否正確，飽和電流，溫升電流是否留有余量，如若飽和電流和溫升電流不夠，可能存在電感飽和的風(fēng)險。

2023-10-01 標(biāo)簽：二極管 NMOS 電源芯片 1706 0

DCDC 高端 NMOS 的自舉秘訣

NMOS管的主回路電流方向為D極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向為S極到G極，導(dǎo)通條件為VSG有一...

2024-06-24 標(biāo)簽：NMOS 自舉 DCDC 1693 0

正確使用三極管和MOS管

三極管是電流控制器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極管和PNP型三極管兩種。

2023-03-14 標(biāo)簽：三極管 MOS管 NMOS 1689 0

MOS學(xué)習(xí)筆記-模型及工作原理

最近在公司做電動車控制器壞機解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機子。在以前的工作中雖然對MOS有一些應(yīng)用，但是其中的工作原理還沒有仔細(xì)的學(xué)習(xí)過，希望能通...

2023-10-16 標(biāo)簽：放大電路 MOS管 NMOS 1531 0

干貨分享：Air700ECQ的硬件設(shè)計，第一部分

?# 一、緒論 Air700ECQ是一款基于移芯EC716E平臺設(shè)計的LTE Cat 1無線通信模組。支持移動雙模FDD-LTE/TDD-LTE的4G遠(yuǎn)...

2024-10-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸 NMOS LTE 1441 0

源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡介

源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料，利用硅和碳晶格常數(shù)...

2024-07-25 標(biāo)簽：NMOS SiC 晶格 1430 0

從實用的角度聊聊MOS管

大家好，當(dāng)我說到MOS管的時候呢，你的腦子里可能是一團糨糊的。

2022-11-18 標(biāo)簽：MOS管 NMOS 晶體管 1425 0

PMOS與NMOS的防反保護電路差異探討

簡單的柵極驅(qū)動電路設(shè)計，我們會使用NMOS來作防反電路，原因是成本較低。 PMOS一般會放置在電路的高邊，NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過，...

2024-11-19 標(biāo)簽：保護電路 NMOS PMOS 1384 0

介紹幾種防反接電路設(shè)計

我們會在電源電路的輸入側(cè)看到防反電路，在不同的電路中防反接用的器件不一樣，他們存在以下的區(qū)別。

2023-11-14 標(biāo)簽：二極管 NMOS 電源電路 1380 0

防反保護電路的設(shè)計（下篇）

設(shè)計具有 NMOS 和驅(qū)動IC 的防反保護電路時，NMOS 需放置在高邊，驅(qū)動IC也從高邊取電，這里將產(chǎn)生一個大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓，給 ...

2022-10-24 標(biāo)簽：保護電路電路設(shè)計 NMOS 1342 0

基于0.18μm CMOS工藝的高響應(yīng)度太赫茲探測器線陣

探測器陣列由3個太赫茲像素線性排列，每個像素由帶交叉耦合電容的源極差分驅(qū)動自混頻功率探測電路、高增益片上環(huán)形差分天線和集成電壓放大器組成。各像素單元的輸...

2023-12-07 標(biāo)簽：探測器電壓放大器 NMOS 1311 0

簡述分立式整流器的整流原理

引言：和上一節(jié)不同的逆變器（傳送門：FCD-6：逆變器）不同的是，本節(jié)簡述的整流器是和逆變器相反的一個過程，即將交流電AC轉(zhuǎn)換為直流電DC。小功率輸入的...

2023-06-14 標(biāo)簽：整流器 NMOS 逆變器 1286 0

其利天下技術(shù)·Nmos和Pmos的區(qū)別及實際應(yīng)用·無刷電機驅(qū)動方案開發(fā)

NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）和PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種常見的場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型。它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個方面：其利天...

2024-12-30 標(biāo)簽：電路 NMOS 無刷電機 1255 0

使用耗盡型MOSFET簡化PD3.1快充設(shè)計(上)

盡管說如今的充電器，集成度越來越高，外圍器件的數(shù)量越來越少。但是PD3.1的推出，支持28V及以上的輸出電壓，更寬的輸出電壓范圍，超出了高耐壓的原邊控制...

2023-11-08 標(biāo)簽：MOSFET 充電器控制器 1141 0

從平面晶體管到FinFET的演變

在90納米制程之前，每一代集成電路技術(shù)節(jié)點的縮放不僅帶來了更高的器件密度，還提升了器件性能。然而，當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點時，縮放并...

2024-12-04 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 晶體管 1137 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)

上一期中提到當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時，溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng)，溝道的長度對略微減小。很多場景我們可以忽略這個長度的變化，但是當(dāng)精度要求比較高...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 NMOS 1128 0

使用4200A-SCS軟件和矩陣開關(guān)搭建可靠性評估平臺

在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...

2024-12-11 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 矩陣開關(guān) 1119 0

電源防反接電路圖電源防反接電路設(shè)計方案

在實際應(yīng)用中，G極一般串聯(lián)一個電阻，防止MOS管被擊穿，也可以加上穩(wěn)壓二極管，并聯(lián)在分壓電阻上的電容，有一個軟啟動的作用。在電流開始流過的瞬間，電容充電...

2023-08-28 標(biāo)簽：二極管 MOS管 NMOS 1099 0

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　　永磁無刷電動機是通過電子電路換相或電流控制的永磁電動機。永磁無刷電動機有正弦波驅(qū)動和方波驅(qū)動兩種型式；驅(qū)動電流為矩形波的通常稱為永磁無刷直流電動機，驅(qū)動電流為正弦波的通常稱為永磁交流伺服電動機，接傳感類型可分為有傳感器電動機和正傳感器電動機。
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新松機器人自動化股份有限公司（以下簡稱“新松”）成立于2000年，隸屬中國科學(xué)院，是一家以機器人技術(shù)為核心的高科技上市公司。作為國家機器人產(chǎn)業(yè)化基地，新松擁有完整的機器人產(chǎn)品線及工業(yè)4.0整體解決方案。

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