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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。在電流開始流過的瞬間,電容充電...
MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)
上一期中提到 當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí),溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng),溝道的長(zhǎng)度對(duì)略微減小。很多場(chǎng)景我們可以忽略這個(gè)長(zhǎng)度的變化,但是當(dāng)精度要求比較高...
CMOS第一層互聯(lián)的結(jié)構(gòu)與作用
芯片中的晶體管(如NMOS和PMOS)需要通過金屬線連接才能形成完整電路。 第一層互聯(lián) (通常稱為M0或Local Interconnect)是直接連接...
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。
2023-06-08 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.2k 0
1.5A超低壓差LDO DIO7939F產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
隨著互聯(lián)網(wǎng)的不斷發(fā)展,在社交媒體上分享日常生活和旅游風(fēng)景的精彩照片更加即時(shí)和便捷。而這些照片的來源往往是通過手機(jī)、運(yùn)動(dòng)相機(jī)、無人機(jī)等攝影設(shè)備拍攝。
不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的: 要么都由S指向D,要么都有D指向S。
2023-03-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 1.2k 0
本文來自:ADI投稿 引言 處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)...
2023-02-01 標(biāo)簽:保護(hù)電路電池充電器電路設(shè)計(jì) 1.2k 0
英特爾、三星和臺(tái)積電公布下一代晶體管進(jìn)展
英特爾是三者中最早演示 CFET 的,早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次,英特爾報(bào)告了圍繞 CFET 制造的最簡(jiǎn)單電路(inve...
MOS管選型需考慮溝道類型(NMOS或PMOS)、電壓、電流、熱要求、開關(guān)性能及封裝,同時(shí)需結(jié)合電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境及成本,避免混淆NMOS和PMOS?!?..
一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
看了一眼這個(gè)電路,我感覺有問題,MOS管應(yīng)該不會(huì)導(dǎo)通,就跟同事講了,同事說這個(gè)電路是之前用過的,認(rèn)為沒有問題,于是就上電了。
簡(jiǎn)單電路實(shí)現(xiàn)電源防接反設(shè)計(jì)
我們?cè)谑褂猛饨与娫搭惍a(chǎn)品時(shí),可能會(huì)因一時(shí)疏忽將將電源線接反,導(dǎo)致產(chǎn)品被燒壞。從產(chǎn)品的設(shè)計(jì)角度來講,如果把電源做成防反接的,那就大大提高了產(chǎn)品的人性化設(shè)計(jì)...
LM25116 6-42V 寬輸入、電流模式同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM25116 是一款同步降壓控制器,適用于采用高壓或變化較大的輸入電源的降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用。該控制方法基于使用仿真電流斜坡的 current mode c...
2025-04-01 標(biāo)簽:電源NMOS脈寬調(diào)制電路 971 0
可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求,因?yàn)樗梢蕴岣呦到y(tǒng)可靠性,并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。
為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料?
擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好,但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢(shì),但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力:缺乏 P -類型。
2024-02-29 標(biāo)簽:CMOSNMOS半導(dǎo)體材料 880 0
LM5116WG 100V 寬輸入電壓同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5116WG 是一款同步降壓控制器,適用于采用高壓或變化較大的輸入電源的降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用。該控制方法基于利用仿真電流斜坡的電流模式控制。電流模式控制提...
2025-03-31 標(biāo)簽:NMOS電源開關(guān)降壓穩(wěn)壓器 879 0
TPS4H160-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、160mΩ、4 通道汽車智能高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS4H160-Q1 器件是具有四個(gè)集成 160mΩ NMOS 功率 FET 的全面保護(hù)四通道智能高側(cè)開關(guān)。 全面的診斷和高精度電流感應(yīng)可實(shí)現(xiàn)對(duì)...
2025-05-10 標(biāo)簽:NMOSFET電流感應(yīng) 840 0
LP8865W-Q1 汽車級(jí) 65V 2A 降壓 LED 驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
LP8865-Q1 系列是一款非同步多拓?fù)浣鉀Q方案,具有 4.5V 至 65V 寬輸入范圍。通過集成低側(cè)NMOS開關(guān),該器件能夠驅(qū)動(dòng)高功率密度和高效率的...
2025-08-20 標(biāo)簽:LEDNMOSPCB設(shè)計(jì) 820 0
TPS922053 65V、2A 降壓 LED 驅(qū)動(dòng)器,具有電感式快速調(diào)光和擴(kuò)頻功能技術(shù)手冊(cè)
TPS92205x 系列是一款 2A / 4A 非同步降壓 LED 驅(qū)動(dòng)器,具有 4.5V 至 65V 寬輸入范圍。通過集成低側(cè)NMOS開關(guān),該器件能夠...
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