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pmos管技術(shù)

一種簡單有趣的單鍵電子開關(guān)電路原理分析

最近從網(wǎng)上看到一個(gè)單鍵電子開關(guān)電路，覺得還挺有意思的，比較適合DIY。雖然之前也分析過一個(gè)單鍵電子開關(guān)電路，但是相對來說，當(dāng)時(shí)的電路還是比較繁瑣的，用的...

2023-06-30 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路元器件 1729 0

為什么時(shí)鐘樹上要用clock inverter(min pulse width check)？

最小脈沖寬度檢查可確保時(shí)鐘信號的寬度足夠?qū)?，以便采集到正確的數(shù)據(jù)，保證設(shè)計(jì)功能。

2023-06-29 標(biāo)簽：寄存器 SDC VDD 2091 0

淺析芯片功耗的控制方法與驗(yàn)證方式

隨著移動(dòng)設(shè)備的興起和芯片工藝的提升，功耗成為近年來芯片設(shè)計(jì)越來越關(guān)注的話題。對功耗關(guān)注度的提升大致可以從兩方面進(jìn)行分析，用戶角度和芯片設(shè)計(jì)者角度。

2023-06-29 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)CMOS電路預(yù)分頻器 6764 0

回顧下功耗的定義及其組成部分并總結(jié)降低功耗的常用方案

隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷發(fā)展（現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越來越高，規(guī)模也越來越大

2023-06-29 標(biāo)簽：CMOS 寄存器 IC設(shè)計(jì) 3370 0

MOS管的最常見應(yīng)用—開關(guān)

如下圖所示：當(dāng)PQ27控制腳G為低電平時(shí)，PQ27截止，此時(shí)PQ26的控制腳G為高電平，PQ26導(dǎo)通。

2023-06-27 標(biāo)簽：MOS管 NMOS管 PMOS管 940 0

自助脈搏波血壓計(jì)檢查結(jié)果不能?打印的問題分析

由于測量該電路元器件都正常，因此懷疑打印機(jī)的打印功能是否是由軟件可以控制其開關(guān)？因此，懷疑打印機(jī)功能應(yīng)該是被軟件關(guān)閉了。

2023-06-27 標(biāo)簽：電路元器件血壓計(jì)PMOS管 1168 0

從一個(gè)反相器開始說時(shí)序

看到文章的標(biāo)題，我猜您也許會(huì)覺得反相器很簡單，但其實(shí)反相器是所有數(shù)字設(shè)計(jì)的基本核心單元。

2023-06-27 標(biāo)簽：反相器晶體管電容充放電 2241 0

一文告訴你如何驅(qū)動(dòng)MOS管

MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛，包括邏輯控制，電源切換，負(fù)載開關(guān)等，在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。

2023-06-20 標(biāo)簽：電容器 MOSFET MOS管 7522 0

CLASS-AB輸出級及偏置設(shè)計(jì)淺析

采用Class-AB輸出級設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對軌輸出，推挽的輸出方式使得其在大信號建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制，可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率。

2023-06-18 標(biāo)簽：NMOS 電流鏡偏置電壓 4118 0

電壓轉(zhuǎn)電流電路的工作原理與設(shè)計(jì)示例

這種高壓側(cè)電壓電流轉(zhuǎn)換電路可以為接地負(fù)載提供良好可調(diào)電流。此電路結(jié)構(gòu)采用兩級結(jié)構(gòu)，一級為OPA+NMOS，將V~IN~轉(zhuǎn)化為電源參考信號來驅(qū)動(dòng)第二級OP...

2023-06-13 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器驅(qū)動(dòng)電源 OPA 7986 0

淺談Latch-up（二）

目前通用的Latch-up測試標(biāo)準(zhǔn)是JESD78E。該標(biāo)準(zhǔn)中將Latch-up測試分為兩種：1.電流測試 I-test，用于測試非電源管腳；2.電壓測試...

2023-06-12 標(biāo)簽：三極管 SCR VDD 1.0萬 0

如何用單PMOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)？

在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前，我們先來看看不同類型的負(fù)載開關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)將負(fù)載與電源連接或斷開，由外部啟用信號控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路負(fù)載電源 3423 0

低功耗技術(shù)（一）動(dòng)態(tài)功耗與靜態(tài)功耗

翻轉(zhuǎn)功耗是由充放電電容引起的動(dòng)態(tài)功耗，其推導(dǎo)過程很簡單，但是這個(gè)最終的結(jié)果卻十分重要。

2023-06-05 標(biāo)簽：反相器晶體管 VDD 4575 0

MOS管的三個(gè)二級效應(yīng)

前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu)，符號，閾值電壓，四種工作狀態(tài)分別對應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式，相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解，這篇給大家...

2023-04-25 標(biāo)簽：模擬電路 MOSFET MOS管 5554 0

芯片功耗的IR分析

低功耗設(shè)計(jì)的重要性，從下圖可窺一斑，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化，45nm工藝的動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。

2023-04-04 標(biāo)簽：NMOS 低功耗設(shè)計(jì)漏電流 4413 0

MOS管的基礎(chǔ)知識(二)

前面解決了MOS管的接法問題，接下來談?wù)凪OS管的開關(guān)條件。

2023-03-31 標(biāo)簽：MOS管電平 N溝道 4648 0

NMOS管和PMOS管的原理、選型及應(yīng)用

如上圖MOS管符號，要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個(gè)會(huì)覺得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。

2023-03-28 標(biāo)簽：二極管單片機(jī)MOS管 5133 0

NMOS管和PMOS管的原理介紹及應(yīng)用實(shí)例

　如上圖MOS管符號，要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個(gè)會(huì)覺得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。

2023-03-10 標(biāo)簽：二極管 MOS管 NMOS管 2.6萬 0

NMOS和PMOS管的實(shí)例測試

　　原理介紹、選型，我就不多說了，參考上一編我發(fā)的文章，本實(shí)例重點(diǎn)看一下防反接電路，我通過軟件進(jìn)行模擬，加入電壓表，電流進(jìn)行測試，直觀的顯示結(jié)果，也不用...

2023-03-10 標(biāo)簽：測試電壓 NMOS管 4257 0

常用的電壓反接保護(hù)電路分享

電壓反接保護(hù)（Reverse Voltage Protect, RVP）電路主要用在需要直流電壓供電電源的輸入端，用于防止輸入電壓極性反接而造成電路系統(tǒng)...

2023-03-08 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路電壓 4170 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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