原理介紹、選型，我就不多說(shuō)了，參考上一編我發(fā)的文章，本實(shí)例重點(diǎn)看一下防反接電路，我通過(guò)軟件進(jìn)行模擬，加入電壓表，電流進(jìn)行測(cè)試，直觀的顯示結(jié)果，也不用我回復(fù)了。

NMOS管實(shí)例測(cè)試

圖1 正向電壓工作狀態(tài)

上圖1所示： JP1,JP2接通，JP3,JP4斷開(kāi)，正向24V，此時(shí)電路正常工作，流過(guò)假負(fù)載的電流是9.24A,24V,Q1的VGS電壓設(shè)定在10V,可以正常導(dǎo)通，但這個(gè)時(shí)候Q1的S-D的電壓為0.88V,P=UI= 9.24A * 0.88 =8.1312W,所在大電流工作時(shí)發(fā)熱會(huì)很大，U/I = R 0.88/9.24 = 95(毫歐)，但實(shí)際使用最好不要那么大進(jìn)行使用，我這里只是測(cè)試一下，然后我們?cè)诳匆幌翾1器件的IRF520N的手冊(cè)。

圖2

上圖2為IRF520N,標(biāo)示的，RDS導(dǎo)通電阻，200(毫歐)，我這個(gè)測(cè)試比他標(biāo)示的還小95(毫歐)，電流9.24A，說(shuō)明比較接近。

圖3 VGS 極限電壓10V,9.7A

上圖3極限電壓10V,9.7A，實(shí)際不可工作在極限值，這樣很快器件就壞了。

圖4 反向電壓工作狀態(tài)

上圖4所示： JP1,JP2斷開(kāi)，JP3,JP4接通，反向24V，此時(shí)電路不工作，流過(guò)假負(fù)載的電流是0,Q1的VGS電壓0V,Q1不導(dǎo)通,反向電壓直接加在 VDS 24V,(注意，VDSS不能超過(guò)100V，看上圖2有說(shuō)明)有效的保護(hù)了后級(jí)負(fù)載。

下一步我要做個(gè)VGS最小開(kāi)啟電壓測(cè)試，我分別設(shè)定2V,4V,12.4V測(cè)試。

圖5 開(kāi)啟電壓

圖6 飽和導(dǎo)通12.4V工作狀態(tài)

上圖6 VGS為12.4V接通JP5,此狀態(tài)飽和導(dǎo)通的，電流9A,假負(fù)載，R5為2.5R，沒(méi)有問(wèn)題。

圖7飽和導(dǎo)通12.4V工作狀態(tài)

上圖7 VGS為12.4V接通JP5,此狀態(tài)飽和導(dǎo)通的，電流0.24A,假負(fù)載R5改為100R，沒(méi)有問(wèn)題，但是注意到?jīng)]有VDS壓降變小了，說(shuō)明什么?負(fù)載越輕，Q2導(dǎo)通電阻更小，發(fā)熱就更小，負(fù)載越重，Q2導(dǎo)通電阻更大，發(fā)熱就更大。

圖8 4V開(kāi)啟電壓工作狀態(tài)

上圖8 VGS為4.01V，接通JP7,此狀也是正常導(dǎo)通的，電流0.24A,假負(fù)載R5為100R，說(shuō)明驗(yàn)證了手冊(cè)上的最大開(kāi)啟電壓沒(méi)有問(wèn)題。

圖9 2V開(kāi)啟電壓工作狀態(tài)

上圖9 VGS為2.16V接通JP6,此時(shí)Q2就不導(dǎo)通了，電流0A,假負(fù)載R5為100R，說(shuō)明驗(yàn)證了手冊(cè)上的最低開(kāi)啟電壓，我這里沒(méi)有試成功，另外也說(shuō)明了一個(gè)問(wèn)題，就是開(kāi)啟電壓要4V,重點(diǎn)說(shuō)明下,如果此時(shí)用3.3V的單片機(jī)是不能直接驅(qū)動(dòng)的，要加三極管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

PMOS管實(shí)例測(cè)試,反應(yīng)最多的就是這個(gè)電路說(shuō)畫(huà)反了，下面我的做個(gè)仿真測(cè)試。

圖10正向電壓工作狀態(tài)

上圖10 VGS為-21.8V(VSG為21.8V),接通JP8,JP9,此狀態(tài)Q3正向?qū)ǎ娏?.24A,假負(fù)載R14為100R，正常工作，VDS壓降為0V完全導(dǎo)通狀態(tài)。

圖11工作狀態(tài)

上圖11 VGS為-21.7V(VSG為21.7V),接通JP8,JP9 上正下負(fù)電壓24V,此狀態(tài)Q3正向?qū)?，電?.56A,假負(fù)載改為2.5R，正常工作，VDS壓降為0.09V也是完全導(dǎo)通狀態(tài)。

圖12反接工作狀態(tài)

上圖12 VGS為0V, JP8,JP9斷開(kāi), 接通JP10,JP11, 上負(fù)下正電壓24V,此狀態(tài)Q3反向不導(dǎo)通，電流0A,有效的保護(hù)有后級(jí)電路。

下面我們?cè)賮?lái)看一下IRF4435的參數(shù)，如下圖所示：

圖13 IRF4435

上圖13所示，VGS為-10V，和-4.5V，我的上圖(10 、11)我畫(huà)的VGS為-21.7V，說(shuō)明有點(diǎn)高了，下圖所示為極限電壓正負(fù)20V，所以設(shè)計(jì)電路時(shí)要注意，另外工作電壓VDS也不能超過(guò)-30V。

另外說(shuō)明一下，上面的所有電路只是作為測(cè)試，沒(méi)加任何的防護(hù)電路，只做開(kāi)關(guān)特性及電流電壓測(cè)試作為演示，電阻值也是非標(biāo)準(zhǔn)值(有些可能買(mǎi)不到的阻值參數(shù))正常設(shè)計(jì)還是要參考電阻E96的標(biāo)準(zhǔn)阻值來(lái)選擇。