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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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在研究MOSFET的實(shí)際工作原理前我們來(lái)考慮這種器件的一個(gè)簡(jiǎn)化模型,以便對(duì)晶體管有一個(gè)感性認(rèn)識(shí):我們預(yù)期它有什么樣的特性以及特性的哪些方面是重要的。
24V系統(tǒng)中l(wèi)oaddunp保護(hù)電壓小于46V的器件的VBAT供電方案
Pspice仿真分析:模擬的是典型情況下的經(jīng)過(guò)TVS管抑制后的Load dump電壓曲線,可以明顯看出當(dāng)VB>36V時(shí),穩(wěn)壓管開始起作用,迅速關(guān)閉Q41...
以Xilinx V7芯片DDR2驅(qū)動(dòng)為例,在圖a的驅(qū)動(dòng)端中加入上升沿驅(qū)動(dòng)(PMOS導(dǎo)通),通過(guò)50ohm電阻下拉到地,通過(guò)電阻分壓的原理,即V_meas...
2021-04-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器傳輸線PMOS 5247 0
在電子電路設(shè)計(jì)中,防反接保護(hù)是一個(gè)重要的考慮因素,它的目的是防止因電源接線錯(cuò)誤而損壞電路。使用MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一功能是一個(gè)常見...
今天看到一張TI的一個(gè)40V~400V非隔離型的高端電流檢測(cè)方案的一個(gè)原理框圖,這個(gè)圖里,比較有意思的一點(diǎn)就是巧妙的利用了穩(wěn)壓二極管改變了運(yùn)算放大器的共...
2023-12-08 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器穩(wěn)壓二極管電流檢測(cè) 4954 0
上節(jié)我們認(rèn)識(shí)了開關(guān)管的第一種電壓尖峰的抑制手段,就是利用TVS或者穩(wěn)壓管工作時(shí)的電流再次對(duì)開關(guān)管的門極進(jìn)行充電,讓開關(guān)管的門極的變化不在劇烈,因此能讓開...
描述:采用二極管進(jìn)行保護(hù),電路簡(jiǎn)單,成本低,占用空間少,但是二極管PN結(jié)在導(dǎo)通時(shí),會(huì)存在一定的壓降,一般在0.5V左右(主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定)
為什么MOS管要并聯(lián)一個(gè)二極管?有什么用?
MOS管,是MOSFET的縮寫,全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,翻譯過(guò)來(lái)是金屬-...
一個(gè)運(yùn)放的STB仿真和AC仿真區(qū)別分析
以一個(gè)二級(jí)彌勒補(bǔ)償運(yùn)放為例,說(shuō)明stb仿真和ac仿真的區(qū)別,vdd=3.3,Vcm=1.25V,ibias=5uA,負(fù)載電容是5pF,負(fù)載電阻是100K。
都說(shuō)酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無(wú)與倫比的性能...
在探討PMOS開關(guān)電路的連接方式時(shí),我們需要考慮不同的應(yīng)用場(chǎng)景和具體需求。 一、PMOS開關(guān)電路的基本原理 PMOS(P-channel Metal O...
2024-10-06 標(biāo)簽:開關(guān)電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)電 4612 0
采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)
引言:無(wú)論是常規(guī)的低側(cè)NMOS防反接電路還是高側(cè)的PMOS防反接電路均有其局限性。本節(jié)簡(jiǎn)述采用驅(qū)動(dòng)IC加NMOS的方案做防反電路的設(shè)計(jì)及其優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOS驅(qū)動(dòng)IC 4539 0
開關(guān)機(jī)按鍵電路設(shè)計(jì)圖解
原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是通過(guò)控制PMOS Q2的通斷來(lái)實(shí)現(xiàn)的,當(dāng)按鍵KEY1按下的時(shí)候,PMOS Q2導(dǎo)通,之后控制Q1導(dǎo)通,就可以實(shí)現(xiàn)PMOS一直導(dǎo)通,實(shí)...
在接電源到板子的時(shí)候,如果一個(gè)疏忽接反了,極有可能燒毀芯片或器件,所以需要設(shè)計(jì)防反接的電路。本文就介紹如何用MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)電源防反接電路。
2023-03-22 標(biāo)簽:二極管電路設(shè)計(jì)MOS管 4417 0
HJ4308A是一款采用厚膜工藝制成的航電28V中功率SSPC(固態(tài)功率控制器),符合GJB2438規(guī)范。其內(nèi)部主要由PMOS功率驅(qū)動(dòng)電路、過(guò)流過(guò)溫及欠...
2022-12-13 標(biāo)簽:PMOS航電固態(tài)功率控制器 4334 0
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