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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個(gè)PN結(jié),這個(gè)PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
負(fù)載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛,主要用來(lái)控制后級(jí)負(fù)載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建,分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論...
2023-03-10 標(biāo)簽:電路分析開關(guān)電路電源開關(guān) 1.2萬(wàn) 0
一文講透MOS管,從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2023-03-28 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.2萬(wàn) 0
上周討論了MOS管的Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關(guān)系?,這個(gè)屬于比較細(xì)節(jié)的問(wèn)題,在面試中基本不會(huì)遇到,但是今天討論的這個(gè)問(wèn)題還是很有可能碰到的。
對(duì)于磚塊電源來(lái)說(shuō),150瓦以下有源鉗位正激是常用的拓?fù)?,分析它的文章也很多,我這里就不濫竽充數(shù),關(guān)公面前耍大刀了。我說(shuō)些我看過(guò)的文獻(xiàn)里沒(méi)提到過(guò)的對(duì)性能又...
NMOS/PMOS防反接電路原理圖 基于MOS管的防反接電路設(shè)計(jì)
電子元件大都是使用直流工作,電源線反接就有可能就會(huì)燒壞,那電路如何防反接?首當(dāng)其沖我們想到的就是二極管了,運(yùn)用其單向?qū)ㄌ匦钥捎行Х乐闺娫捶唇佣鴵p壞電路...
Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù),它往往用于輔助的ESD保護(hù),如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5,當(dāng)ESD電流過(guò)大,...
MOS管的種類、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性詳解
一般情況下,普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比...
NMOS低邊開關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通,PMOS作為高邊開關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。
2023-08-14 標(biāo)簽:led開關(guān)電路NMOS 1.1萬(wàn) 0
???上文和大家討論了PMOS的負(fù)載開關(guān)電路,使用PMOS來(lái)控制后繼電路的開關(guān)。然而在日常應(yīng)用中PMOS可供選擇的類型較少,價(jià)格也相對(duì)昂貴。因此選用NM...
2023-03-10 標(biāo)簽:電路分析負(fù)載開關(guān)電路 1.1萬(wàn) 1
PMOS中的空穴遷移率比NMOS中電子的遷移率低,所以為了實(shí)現(xiàn)相同的電流輸出,我們需要將PMOS的寬度做的是NMOS寬度的2~3倍。
一個(gè)電池供電切換電路的詳細(xì)資料說(shuō)明
特點(diǎn):1、支持輕觸開關(guān)、自鎖開關(guān)2、支持外接電源自動(dòng)上電(焊接上D17即可實(shí)現(xiàn))3、支持待機(jī)常電輸出4、外接電源、鋰電供電自動(dòng)切換,由于PMOS內(nèi)續(xù)流二...
通過(guò)圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長(zhǎng),可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長(zhǎng)外延層。這個(gè)過(guò)程稱為選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)。
LDO(Low Dropout Regulator),是一種低壓差線性穩(wěn)壓器,所謂低壓差是一個(gè)相對(duì)的概念,相對(duì)于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來(lái)說(shuō)輸入輸出壓差小。傳統(tǒng)...
PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。它具有許多優(yōu)點(diǎn),如低功耗、高輸入阻抗、易于集成等。本文我們將討論P(yáng)M...
在常規(guī)使用中,似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng),但實(shí)際情況是,MOS的電流流向和BJT不一樣,BJT的電流流向已經(jīng)固定,但是MOS并沒(méi)有。
在Buck開關(guān)中,常使用N-MOS管作為功率開關(guān)管。相比于P-MOS,N-MOS具有導(dǎo)通電阻低價(jià)格便宜且流過(guò)電流較大等優(yōu)勢(shì)。在同步結(jié)構(gòu)中對(duì)于開關(guān)管的使用...
2023-03-02 標(biāo)簽:二極管BUCK開關(guān)穩(wěn)壓器 9.1k 0
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