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標(biāo)簽 > rram
RRAM一般指阻變式存儲器,阻變式存儲器(RRAM)是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器。
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存內(nèi)計算原理分類——數(shù)字存內(nèi)計算與模擬存內(nèi)計算
數(shù)字存內(nèi)計算與模擬存內(nèi)計算各有優(yōu)劣,都是存算一體發(fā)展進(jìn)程中的重點(diǎn)發(fā)展路徑,數(shù)字存內(nèi)計算由于其高速、高精度、抗噪性強(qiáng)、工藝技術(shù)成熟、能效比高等特點(diǎn),更適用...
RRAM機(jī)制、材料及其在神經(jīng)形態(tài)計算中的應(yīng)用
近年來,RRAM 因其結(jié)構(gòu)簡單、保持時間長、運(yùn)行速度快、超低功耗運(yùn)行能力、能夠在不影響器件性能的情況下擴(kuò)展到更低的尺寸以及可進(jìn)行三維集成的可能性而日益受...
全面解讀電阻式內(nèi)存的技術(shù)架構(gòu)及其應(yīng)用
電阻式內(nèi)存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結(jié)構(gòu)為簡單的金屬-絕緣層-金屬 (Metal-Insulato...
2023-12-07 標(biāo)簽:電阻存儲器物聯(lián)網(wǎng) 1780 0
新型存儲技術(shù):新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹
Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存,該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢,但是遠(yuǎn)快于NAND類介質(zhì)。本文對該類介質(zhì)的特性及使用方...
需要設(shè)計一些算法使得能對整個存儲器做均衡的訪問,而不是僅僅去對幾個特定的區(qū)域持續(xù)寫入,將對某些塊的操作分布到整片存儲器上,實現(xiàn)各塊寫入的平衡,這類算法就...
NAND閃存面臨的挑戰(zhàn),是什么阻礙了NAND閃存?
在過去的幾十年里,NAND 對固態(tài)存儲設(shè)備中的系統(tǒng)控制器提出了苛刻的任務(wù)。這些管理任務(wù)增加了系統(tǒng)復(fù)雜性、功耗、晶體管門數(shù)和整體存儲系統(tǒng)開發(fā)成本。
非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計算機(jī)的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字...
Crossbar新型RRAM芯片 郵票大小存儲1TB數(shù)據(jù)
8月6日消息,美國加州創(chuàng)業(yè)公司Crossbar發(fā)布了一種新型芯片,能以郵票大小存儲1TB的數(shù)據(jù)。該芯片采用RRAM技術(shù),顛覆傳統(tǒng)的閃速存儲器,數(shù)據(jù)存儲速...
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