目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下,業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:21
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這幾種存儲器的共同特點(diǎn)其實(shí)是掉電后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失,所以可以歸類為非易失性存儲器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特點(diǎn)是掉電后數(shù)據(jù)會丟失,所以也可稱為易失性
2012-01-06 22:58:43
第 4 章 存儲器4.1概述存儲器可分為那些類型現(xiàn)代存儲器的層次結(jié)構(gòu),為什么要分層一、存儲器分類1.按存儲介質(zhì)分類(1)半導(dǎo)體存儲器TTL、MOS易失(2)磁表面存儲器磁頭、載磁體(3)磁芯存儲器
2021-07-29 07:40:10
存儲器擴(kuò)展方式是什么?IO擴(kuò)展方式是什么?
2022-01-17 08:24:15
存儲器映射是什么意思?其映射過程是怎樣的?
2022-01-21 07:39:51
存儲器本身不具有地址信息,它的地址是由芯片廠商或用戶分配,給存儲器分配地址的過程稱為存儲器映射,如果再分配一個地址就叫重映射存儲器映射ARM 將這 4GB 的存儲器空間,平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
1. 存儲器理解存儲器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分,存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類,易失和非易
2021-07-16 07:55:26
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
存儲器的分類存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù),從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲器(又稱易失性存儲器):體積小,功耗低,存取時間短,電源消失的時候,所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器(...
2021-07-26 08:30:22
內(nèi)部程序,其特點(diǎn)是價格便宜?! ?、可編程的只讀存儲器(PROM): 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入,一旦寫入,只能讀出,而不能再進(jìn)行更改,這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP(Only Time
2017-10-24 14:31:49
更改內(nèi)部程序,其特點(diǎn)是價格便宜?! ?、可編程的只讀存儲器(PROM): 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入,一旦寫入,只能讀出,而不能再進(jìn)行更改,這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP(Only
2017-12-21 17:10:53
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器;所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電,存儲的信息自動清除,而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,SRAM存儲器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展中,靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
本篇文章介紹的是非易失性存儲器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。
2020-12-31 06:11:04
的RAM或常規(guī)的非易失性存儲。該存儲器真正是非易失性的,而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設(shè)備替代了多個零件?串行非易失性存儲器?帶鬧鐘的實(shí)時時鐘(RTC)?低VDD檢測驅(qū)動復(fù)位?看門狗窗口定時器
2023-04-07 16:23:11
存儲設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
非易失性存儲器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存儲器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
2012-08-20 12:54:28
的存儲器的位置。存儲器映射有兩種映射規(guī)則--大端映射和小端映射。存儲器映射是指把芯片中或芯片外的FLASH,RAM,外設(shè),BOOTBLOCK等進(jìn)行統(tǒng)一編址。即用地址來表示對象。這個地址絕大多數(shù)是由廠家
2014-03-24 11:57:18
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
問題一:位圖都存儲在哪了?都在程序存儲器里嗎問題二:能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中?問題三:F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大?
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲器分為哪幾類?Flash存儲器有什么特點(diǎn)?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制,因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
CorePac 的內(nèi)部存儲器架構(gòu)與此前 C6000™ DSP 系列產(chǎn)品相比,主要在四個方面實(shí)現(xiàn)了增強(qiáng),而這突出體現(xiàn)在性能指標(biāo)和實(shí)用性方面。這些改進(jìn)旨在實(shí)現(xiàn)如下優(yōu)勢:1) 無論多個內(nèi)核和數(shù)
2011-08-13 15:45:42
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個嵌入式實(shí)時操作系統(tǒng)時(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問儲存器),各種各樣的閃存以及串口EEPROM(電可擦的,可編程的只讀存儲器)。
2019-06-28 08:29:29
從三個層面認(rèn)識SRAM存儲器
2021-01-05 07:09:10
SST26VF064B存儲器IoT設(shè)備設(shè)計(jì)需要考慮哪些問題?非易失性存儲器怎么選擇?
2021-06-15 07:57:36
大家好,之前玩過51,知道程序存在ROM,數(shù)據(jù)存在RAM,現(xiàn)在接觸STM32,在讀STM32F103ZET6的數(shù)據(jù)手冊時看到,BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲器,手冊上寫STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲器 ?而有的用DDR存儲器呢?這兩者有什么區(qū)別嗎?
2021-06-18 06:13:25
題目是一個停車場計(jì)時系統(tǒng),用74系列之類的芯片。我們用6116存儲器來存地址信號,通過刷卡產(chǎn)生脈沖,經(jīng)過延時出現(xiàn)兩個相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號,用來讀取存儲器中對應(yīng)車的狀態(tài)(在不在車庫內(nèi)),再將
2016-07-23 00:01:59
。RM0008文檔中可以看出,STM32采用的是Cortex-M3內(nèi)核,因此,有必要了解Cortex-M3的存儲器結(jié)構(gòu)。圖中還可以看出,Cortex-M3是通過各個總線和Flash、SROM相連接的。2
2018-08-14 09:22:26
什么是EEPROM存儲器?
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比,具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
你好,作為NVSRAM的一部分,非易失性存儲器的耐力E/P周期是多少?最好的問候,井上 以上來自于百度翻譯 以下為原文Hi, How much are endurance E/P cycles
2018-10-19 15:57:30
外存儲器 外儲存器是指除計(jì)算機(jī)內(nèi)存及CPU緩存以外的儲存器,此類儲存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)。 外存儲器有哪些 外存儲器有哪些 1、軟盤存儲器 讀寫數(shù)據(jù)的最小單位是扇區(qū),存取速度慢
2019-06-05 23:54:02
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器,而
2019-06-26 07:11:05
EVAL-AD5232SDZ,用于AD5232雙通道,256位,非易失性存儲器數(shù)字電位器的評估板。 AD5232具有多種可編程性,允許多種工作模式,包括RDAC和EEMEM寄存器中的讀/寫訪問,電阻的遞增/遞減
2020-04-01 09:01:26
的載體。因此各種IC卡的應(yīng)用特 點(diǎn)主要體現(xiàn)在IC卡存儲器的類型,存儲器容量的大小和卡片電路的附加控制功能等幾個方面?! ≡贗C卡中使用的存儲器類型主要分為兩大類:易失性存儲器和非易失性存儲器。 易失
2020-12-25 14:50:34
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中,外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash,都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址,頁(Page),塊(Block)??梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲器
2021-12-10 08:26:49
的測試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),對各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口?
2021-05-06 07:23:59
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器?如何去設(shè)計(jì)Flash存儲器?
2021-04-27 06:20:01
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲器的設(shè)計(jì)?
2021-10-28 08:08:51
擴(kuò)展存儲器讀寫實(shí)驗(yàn)的目的是什么?怎樣去設(shè)計(jì)一種擴(kuò)展存儲器讀寫的電路?擴(kuò)展存儲器讀寫實(shí)驗(yàn)的流程有哪些?
2021-07-14 07:04:49
,并且它還表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706/07能夠讀取來自非易失性存儲器。問題:你能幫助我理解如何將XTAL頻率信息存儲到
2018-11-15 15:55:17
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長,其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器: 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器:掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機(jī)械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
影響存儲器訪問性能的因素有哪些?DSP核訪問內(nèi)部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同?
2021-04-19 08:32:10
您好,我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM(非易失性存儲器)。我已經(jīng)設(shè)法寫和讀,但是現(xiàn)在我面臨的問題是,我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲器的最后一頁是NVM的一頁。謝謝,問候,
2019-09-18 10:31:51
STM32的存儲器由哪些組成?怎樣去啟動STM32存儲器?
2021-09-24 07:03:23
存儲器可分為哪幾類?存儲器有哪些特點(diǎn)?存儲器有哪些功能?
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助:數(shù)據(jù)存儲器6116和程序存儲器2817怎么搜,在altium designer。貌似不太會用搜索功能。我總是搜不出來不知道為什么,求解答。單片機(jī)存儲電路里的數(shù)據(jù)存儲器6116和程序存儲器
2014-07-22 23:10:03
、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性靜態(tài)存儲器)等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢:存儲器
2019-07-23 06:15:10
方便移動設(shè)備應(yīng)用.存儲器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比,被證實(shí)可以減少功耗。存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
程序存儲器(ROM)作用:存放程序、表格或常數(shù),具有非易失性特點(diǎn):片內(nèi)ROM與片外ROM可有2種組合方案方案1 : 4 KB以內(nèi)的地址在片內(nèi)ROM,大于4KB的地址在片外ROM中(圖中折線),兩者
2021-12-13 06:08:21
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲器片內(nèi)的地址是00--7FH,程序存儲器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH,請問這兩部分是不是有重疊?請具體詳解!~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。易失性存儲器斷電后,里面存儲
2022-02-11 07:51:30
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸?
2024-01-15 07:43:09
存儲器芯片是什么?存儲器可分為哪幾類?存儲器術(shù)語的定義有哪些?如何去測試存儲器芯片的功能?測試向量是什么?它的執(zhí)行方式以及測試目的分別是什么?
2021-04-15 06:18:54
”。 鐵電存儲器就是利用了這種非易失性。 雖然EEPROM或閃存也會根據(jù)元件內(nèi)的存儲區(qū)域是否有電荷來記憶數(shù)據(jù),但FRAM是根據(jù)極化的方向來記憶數(shù)據(jù)的,所以兩者具有不同的記憶方式。 FRAM的特長FRAM
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度(允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)多多:非易失性,寫入速度快,無限次寫入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM存儲數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個每秒累加的方法。問題:非易失性內(nèi)存有寫入限制,所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器,每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
S25FS128SDSNFI100,MirrorBit?閃存非易失性存儲器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口 
2023-02-07 14:23:17
摘 要: 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機(jī)存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進(jìn)展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:18
2412 
面向納電子時代的非易失性存儲器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28
636 本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:59
1942 
非易失性存儲器是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:00
10224 非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:41
17003 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是EEPROM存儲器數(shù)據(jù)的詳細(xì)資料說明。
2019-02-14 08:00:00
10 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是PCB的常用存儲器設(shè)計(jì)的詳細(xì)資料說明包括了:? SDRAM ? FLASH ? SRAM ? DDR ? DDR2 ? DDR3 ? QDR
2019-07-29 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是存儲器及接口設(shè)計(jì)的詳細(xì)資料說明。
2020-03-18 14:25:00
17 新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM),相變存儲器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:31
1840 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16
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對于存儲器,大家都有所了解,比如我們每天使用的手機(jī)內(nèi)就具備存儲器。為增進(jìn)大家對存儲器的認(rèn)識,本文將對只讀存儲器的種類予以介紹,并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對比。如果你對存儲器相關(guān)內(nèi)容具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:00
7265 所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器;所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電,存儲的信息自動清除,而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指RAM,而RAM分為動態(tài)RAM(
2021-11-26 19:36:04
37 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:54
0 DRAM屬于易失性存儲器,也就是大家常說的內(nèi)存。今天,我們再來看看半導(dǎo)體存儲的另一個重要領(lǐng)域,也就是非易失性存儲器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等)。
2022-10-13 09:24:13
1348 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
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