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標(biāo)簽 > sic mosfet
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貿(mào)澤開(kāi)售Microchip AgileSwitch相臂功率模塊 兼具SiC MOSFET與二極管之長(zhǎng)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MO...
2024年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3億美元,英飛凌擴(kuò)展SiC MOSFET產(chǎn)品線
根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告,2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元,該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率為29%,也就是說(shuō)到2024年...
超共源共柵與硅技術(shù)和SiC MOSFET技術(shù)對(duì)比分析
新應(yīng)用不斷涌現(xiàn),這就需要有高壓開(kāi)關(guān)技術(shù),而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比,該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣,從...
2020-02-24 標(biāo)簽:sic器件硅技術(shù)SiC MOSFET 3k 0
“助攻”電源設(shè)計(jì):900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低!
全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET:C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù),...
性價(jià)比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電...
2015-10-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC MOSFET 3.3k 0
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