碳化硅（SiC）由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今，肖特基二極管，MOSFET和JFET是市場(chǎng)上最受歡迎的SiC功率器件。尤其是SiC肖特基二極管
2021-03-27 12:03:22
6679 功率二極管（Power Diode）是一種分立式電力半導(dǎo)體器件，它的電壓和電流應(yīng)用范圍遠(yuǎn)大于一般的小信號(hào)二極管，可用于整流、鉗位、瞬態(tài)電壓抑制、續(xù)游、吸收、調(diào)制、 轉(zhuǎn)換等。功率二極管分為 PiN
2024-01-10 15:59:075500 
海飛樂技術(shù)有限公司是一家以快速恢復(fù)二極管（FRD）、快恢復(fù)模塊、超結(jié)MOSFET等新型功率半導(dǎo)體芯片及器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為主營業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。公司快恢復(fù)二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)
2019-10-24 14:25:15
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢(shì)壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢(shì)壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
?當(dāng)輸入與輸出電壓之間有正電壓時(shí)，運(yùn)放肖特基二極管電路使MOSFET導(dǎo)通，如下式：VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)其中，肖特基二極管電路的VGATE是MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)
2021-04-08 11:37:38
整流二極管用于微波爐逆變電路和高壓電路。汽車高壓整流二極管用于燃油噴射系統(tǒng)的點(diǎn)火線圈。4、緩沖二極管緩沖二極管是專為緩沖電路設(shè)計(jì)的輔助開關(guān)二極管，用于反激式開關(guān)電源的一次側(cè)。 它們降低了功率 MOSFET
2021-09-20 07:00:00
的一次側(cè)。 它們降低了功率 MOSFET 關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的振鈴電壓，有助于提高開關(guān)電源的效率和降低噪聲。5、交流發(fā)電機(jī)二極管交流發(fā)電機(jī)二極管可以承受汽車發(fā)動(dòng)機(jī)室的惡劣環(huán)境。 它們采用表面貼裝和壓入式封裝
2022-04-12 15:53:31
功率二極管、晶閘管、mosfet、IGBT和功率IC的區(qū)別和應(yīng)用
2019-10-24 09:19:22
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點(diǎn)。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位。 源于硅基的肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
Si整流器與SiC二極管：誰會(huì)更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
TVS二極管，也叫瞬變二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、瞬變抑制二極管、瞬態(tài)抑制二極管、TVS、TVS二極管、TVS管、二極管TVS等等，叫法很多，不同的客戶叫法略有差異，但是東西都是一個(gè)東西，是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
三相超快恢復(fù)二極管整流橋開關(guān)模塊的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)是什么？三相超快恢復(fù)二極管整流橋開關(guān)模塊的主要技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用有哪些？
2021-06-08 08:09:38
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
SiC-SBD，藍(lán)色是第二代，可確認(rèn)VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對(duì)10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試，該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動(dòng)汽車充電
2023-02-21 16:27:41
、反向恢復(fù)時(shí)間短的半導(dǎo)體二極管）主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管，也稱為熱載流二極管，通過
2023-02-07 15:59:32
如何識(shí)別普通二極管？晶體二極管的參數(shù)有哪些？普通二極管怎么使用？
2021-06-08 06:38:05
1.整流二極管的代換整流二極管損壞后，可以用同型號(hào)的整流二極管或參數(shù)相販其它型號(hào)整流二極管代換。通常，高耐壓值（反向電壓）的整流二極管可以代換低耐壓值的整流二極管，而低耐壓值的整流二極管不能代換高
2021-07-07 14:58:27
最近用mosfet做PFC boost電路交流160V升到直流400v的時(shí)候，直流側(cè)升到375v的時(shí)候電路輸出二極管爆炸，直接炸成兩半，后來測(cè)電路mosfet也壞了，一直弄不懂是什么原因，望各位大神指點(diǎn)。二極管用的型號(hào)是mur1560，開關(guān)頻率50KHz。
2019-01-10 15:18:26
二極管時(shí)，看的是功率和封裝形式；在實(shí)際應(yīng)用中，二者通常相輔相成，緊密相連，各自發(fā)揮優(yōu)勢(shì)，更有效地為電路安全保駕護(hù)航！?TVS二極管規(guī)格書下載：
2020-12-24 14:55:58
二極管時(shí)，看的是功率和封裝形式；在實(shí)際應(yīng)用中，二者通常相輔相成，緊密相連，各自發(fā)揮優(yōu)勢(shì)，更有效地為電路安全保駕護(hù)航！ESD二極管規(guī)格書下載：
2021-12-30 17:52:36
高壓硅二極管具有低正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會(huì)在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動(dòng)態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計(jì)，但確實(shí)表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
250V左右。對(duì)于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因?yàn)樗軌蚰褪茌^高的電壓?！ 〕艘酝獾钠骷?shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
的開關(guān)速度、高結(jié)溫承受能力、高電流密度和更高的功率密度，SiC PiN二極管在電力設(shè)備、能量?jī)?chǔ)備、超高壓固態(tài)電源領(lǐng)域扮演更重要的角色。`
2019-10-24 14:21:23
，穩(wěn)壓二極管不討論響應(yīng)時(shí)間，而是更關(guān)注穩(wěn)壓值。但對(duì)于TVS二極管來說，其特性決定了其具有不同的功能。TVS二極管具有瞬態(tài)抑制高能的功能，所以需要在短時(shí)間內(nèi)吸收高能，所以這個(gè)時(shí)間非常短，達(dá)到納秒級(jí);4.功率大小
2021-12-21 11:16:32
值、溫度系數(shù)及耗散功率等等。所以肖特基二極管與穩(wěn)壓二極管兩個(gè)完全不一樣，肖特基二極管做開關(guān)用，特點(diǎn)是正向?qū)妷旱?，可工作與高頻開關(guān)的場(chǎng)合。穩(wěn)壓二極管起穩(wěn)壓作用，應(yīng)用場(chǎng)合大多為并聯(lián)在電源、IC器件兩端，防止過電壓，起保護(hù)作用。肖特基二極管規(guī)格書：
2020-09-25 15:38:08
請(qǐng)問貼片電阻，貼片電容，貼片二極管，穩(wěn)壓二極管，MOS管，MOSFET和封裝形式有那些呢？請(qǐng)一一說明，謝謝各們大師哦?。?！
2020-11-13 14:54:46
二極管模塊
2009-11-11 16:26:14
12
二極管和發(fā)光二極管
二極管的單向?qū)щ?
二極管是半
2006-09-19 15:22:402816 功率二極管的基本特性
1. 靜態(tài)伏安特性具有單向?qū)щ娦哉珪r(shí)：二極管導(dǎo)通，通態(tài)壓降1V左右。通態(tài)損耗：
2009-04-14 21:16:144929 
功率二極管基礎(chǔ)教程
二極管電流公式：注意的參數(shù)：
2009-11-21 11:41:322672 二極管,二極管是什么意思
目錄
1 二極管的基本結(jié)構(gòu)
2010-02-26 12:03:3812003 肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理
基本原理是：在肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理金屬（例如鉛）和半導(dǎo)
2010-02-26 13:38:584312 穩(wěn)壓二極管（齊納二極管）,穩(wěn)壓二極管是什么意思
這是利用了PN接合的反向特性的二極管。用于基準(zhǔn)電壓源和
2010-03-01 10:53:075246 變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管,變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管電路,變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管原理
變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部 "PN結(jié)” 的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變
2010-03-05 10:01:383612 關(guān)于功率二極管的15個(gè)小問題。。什么是二極管的正向額定電流?二極管的額定電流是二極管的主要標(biāo)稱值，比如5A/100V的二極管，5A就是額定電流。通常額定電流的定義是該二極管所能通
2011-12-06 17:04:244998 采用集成高壓MOSFET和Qspeed?二極管的高功率PFC控制器
2016-05-11 15:18:1421 二極管是電子設(shè)計(jì)中最常見的器件之一。根據(jù)應(yīng)用的場(chǎng)合，工程師們更關(guān)注二極管的類型、正向電流、反向耐壓和開關(guān)時(shí)間等。相對(duì)來說，耗散功率（Power Dissipation）也是同等重要。 眾所周知
2017-11-10 10:56:277 針對(duì)電流型逆變器橋臂并聯(lián)擴(kuò)容時(shí)開關(guān)損耗較大的問題，對(duì)SiC肖特基二極管和Si快恢復(fù)二極管的正反向恢復(fù)特性、MOS-FET并聯(lián)均流特性以及容性狀態(tài)下電流型逆變器工作過程進(jìn)行了研究。提出了在電流型逆變器
2018-03-05 15:36:481 本文主要介紹了普通硅二極管和肖特基二極管的相同和區(qū)別以及快恢復(fù)二極管和肖特基二極管的區(qū)別，并附上了普通硅二極管，肖特基二極管和快恢復(fù)二極管的圖片。
2019-08-09 15:24:309141 二極管的種類有很多，有發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管、貼片二極管、變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管等等，今天我們來講一講什么是穩(wěn)壓二極管，以及穩(wěn)壓二極管的作用。
2021-01-01 16:49:0041973 多路ESD保護(hù)器件。TVS二極管，亦稱為瞬態(tài)電壓抑制二極管，是在穩(wěn)壓二極管工藝上發(fā)展起來的一種新型高效電路保護(hù)元器件。 那么，關(guān)于ESD二極管和TVS二極管，這兩者之間有什么區(qū)別呢？接下來，從功率、封裝、應(yīng)用來談它們之間的差異。 一、功率 ESD二極
2021-04-08 13:27:5426172 和 MOSFET 功率模塊。含有各種電路配置的集成解決方案采用 PressFit 引腳壓合專利技術(shù)，將高效快速體二極管 MOSFET 和 SiC、FRED Pt 和 MOAT 二極管技術(shù)結(jié)合在小型 EMIPAK
2022-11-25 15:20:051895 SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:431293 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管：下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:171454 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:202300 
功率二極管是一種用于大電流、大功率、高頻率應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，其結(jié)構(gòu)類似于普通二極管，但其材料和工藝設(shè)計(jì)均不同于普通二極管，使其具有更高的承受電壓和電流能力。功率二極管常常用于開關(guān)電路、整流電路、電壓
2023-02-18 11:42:183206 ，它們的承受功率一般在幾十瓦到數(shù)百瓦之間。如果需要承受更大功率的電路，可以使用模塊化功率器件，如IGBT模塊、功率MOS管模塊等。 功率二極管的穩(wěn)定性主要取決于它的溫度特性和反向擊穿電壓特性。溫度對(duì)功率二極管的電阻、電容和漏電流等參數(shù)有很大影
2023-02-18 11:16:291699 功率二極管是一種半導(dǎo)體器件，它與普通二極管類似，但其能夠承受更大的功率和電流，因此被廣泛應(yīng)用于各種功率電子電路中。功率二極管通常用于轉(zhuǎn)換或控制高電壓、大電流或高功率的電路，如直流電源、開關(guān)電源、交流
2023-02-18 11:24:473561 功率二極管是一種高電流和電壓的二極管承受能力是用于交流電源轉(zhuǎn)換成直流電源，或用于控制高壓電路的電流。功率二極管的主要特性是能夠承受大電流和電壓，因此通常用于高功率應(yīng)用，如電源和電動(dòng)機(jī)控制。 功率
2023-02-18 11:26:591753 和碳化硅MOSFET。第三代半導(dǎo)體涵蓋SiC碳化硅二極管，SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊，SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:473720 功率二極管作為最基本的電力電子器件，在電力電子系統(tǒng)中有著最廣泛的應(yīng)用，其主要結(jié)構(gòu)——PN結(jié)是其他功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。深刻理解二極管的工作特性，有助于學(xué)習(xí)MOSFET和IGBT等其他功率器件
2023-02-21 18:11:571124 功率二極管是什么 器件功率二極管是電力電子線路最基本的組成單元，它的單向?qū)щ娦钥捎糜陔娐返恼鳌Ⅲ槲?、續(xù)流。合理應(yīng)用功率二極管的性能是電力電子電路的重要內(nèi)容。功率二極管是以PN結(jié)為基礎(chǔ)的，實(shí)際上就是
2023-02-22 14:15:571550 
電力二極管的特點(diǎn)是具有較大的電流和功率，而普通二極管的特點(diǎn)是具有較小的電流和功率。此外，電力二極管的極性可以反轉(zhuǎn)，而普通二極管的極性不能反轉(zhuǎn)。
2023-02-22 16:59:436038 
功率二極管，也叫做肖特基勢(shì)壘二極管，是一種常見的半導(dǎo)體器件。它的主要作用是在電路中起到電流的整流、穩(wěn)壓和開關(guān)控制等功能。
2023-02-22 18:22:312517 EN-1230A可對(duì)各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)
2023-02-23 09:20:464 功率二極管是二極管的一類，是一種簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件。與普通二極管一樣，功率二極管具有兩個(gè)端子并沿一個(gè)方向傳導(dǎo)電流。但功率二極管與普通二極管的區(qū)別還是有很大的。
2023-02-23 14:18:541667 
最大電壓和電流：功率二極管應(yīng)該具有足夠的額定最大電壓和電流，以滿足電路需求。選擇功率二極管時(shí)，應(yīng)該考慮電路的最大電壓和電流，并選擇具有比電路額定最大電壓和電流更高的功率二極管。
2023-02-23 15:27:162236 正向特性：功率二極管正向特性曲線描述的是二極管在正向電壓下的電流和電壓之間的關(guān)系，通常為一條下凸曲線，斜率為正向動(dòng)態(tài)電阻。
2023-02-23 15:47:033149 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對(duì)于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時(shí)，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:404750 
功率二極管是二極管的一類，是一種簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件。與普通二極管一樣，功率二極管具有兩個(gè)端子并沿一個(gè)方向傳導(dǎo)電流
2023-02-24 17:45:582556 功率二極管是一種特殊的二極管，它具有承受大電流和高電壓的能力。與普通的信號(hào)二極管相比，功率二極管在結(jié)構(gòu)上有所不同，其結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，能夠承受更高的功率。因此，功率二極管被廣泛應(yīng)用于高功率電子設(shè)備和電路中
2023-02-27 18:21:001491 SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 
探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:033281 功率二極管與肖特基二極管的區(qū)別是什么？ 功率二極管和肖特基二極管是兩種常見的半導(dǎo)體器件，它們都具有二極管的特性，但在實(shí)際應(yīng)用中，它們的性能差異較大，下面將詳細(xì)介紹功率二極管和肖特基二極管的區(qū)別。 1
2023-08-28 16:41:252343 二極管選型要求 二極管功率大小選擇有什么規(guī)則？? 二極管，是一種半導(dǎo)體元件，廣泛應(yīng)用于數(shù)碼電路、模擬電路、電源和照明器材中。在進(jìn)行二極管選型時(shí)，一般需要關(guān)注以下幾個(gè)方面的因素：前向電壓VF、反向
2023-08-28 17:22:285094 功率二極管主要參數(shù)有哪些？ 功率二極管是一種電子元器件，通常用于控制高電壓和高電流的開關(guān)電路和放大電路中。功率二極管的主要參數(shù)與其使用環(huán)境和應(yīng)用目的有關(guān)。在本文中，我們將詳細(xì)討論功率二極管的主要參數(shù)
2023-08-28 17:22:414155 功率二極管有哪些類型？? 功率二極管是一種特殊類型的半導(dǎo)體器件，它能夠承載高功率電流并控制電源電壓，是各種電路中不可或缺的重要元器件之一。通常，功率二極管可分為三類：普通整流二極管、肖特基二極管
2023-08-29 15:46:482666 功率二極管和普通二極管的不同? 功率二極管和普通二極管是兩種不同的二極管，它們有著不同的結(jié)構(gòu)和特性。在本文中，我們將介紹功率二極管和普通二極管的不同之處，包括它們的結(jié)構(gòu)、性能和用途。 一、結(jié)構(gòu)
2023-09-02 11:08:312613 功率二極管是什么器件？功率二極管的類型主要有哪些？功率二極管分為哪幾類？ 功率二極管是一種高壓、高電流、高功率的半導(dǎo)體器件，也叫高功率晶體管（High Power Transistor）。它是一種
2023-09-02 11:13:533295 功率二極管有哪些？二極管是功率器件嗎? 功率二極管是一種功率電子器件，它與普通的二極管的不同之處在于其能夠承受更大的電流和電壓，用于控制和轉(zhuǎn)換電能。功率二極管是一種關(guān)鍵的電子器件，廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域
2023-09-02 11:13:572413 工藝、測(cè)試技術(shù)和損壞機(jī)理分析。本書內(nèi)除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外，還重點(diǎn)介紹了MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率器件，頗為難得的是收入了近年來有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的OO成果，如SiC，GaN器件，以及場(chǎng)控寬禁帶器件等。
2023-09-14 09:53:33760 
功率二極管的重要性在現(xiàn)代電子技術(shù)和電力電子領(lǐng)域愈發(fā)顯著。兩種主要類型的功率二極管，即PN結(jié)二極管和肖特基二極管，都在不同應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，滿足了不同領(lǐng)域的需求。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，功率二極管仍將繼續(xù)演化，以適應(yīng)不斷變化的電子市場(chǎng)需求。
2023-11-05 11:30:001401 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告
2023-12-05 14:34:461464 
MOSFET為什么有“體二極管”
2023-12-14 11:26:483272 
SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅（SiC）材料制造的電子元件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯的區(qū)別。 首先，讓我們來了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:241734 什么是紅外二極管？發(fā)光二極管又是什么呢？紅外二極管與發(fā)光二極管的區(qū)別? 紅外二極管和發(fā)光二極管都是基于半導(dǎo)體材料制造的二極管。它們?cè)陔娮釉O(shè)備中廣泛使用，具有各自獨(dú)特的特點(diǎn)和應(yīng)用。 首先來看紅外二極管
2024-01-26 15:42:573730 的。在功率MOSFET中，這種體二極管尤為重要，因?yàn)樗鼘?duì)器件的性能和可靠性有很大影響。 要了解MOS管體二極管的作用，首先需要了解MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。一個(gè)典型的MOSFET包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。在功率MOSFET中，通常還有一個(gè)額外的區(qū)域，
2024-01-31 16:28:228929 
)、電動(dòng)汽車(EV)充電站在內(nèi)的多種高要求應(yīng)用場(chǎng)景在尺寸和功率上的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。這款新推出的SiC肖特基二極管技術(shù)亮點(diǎn)在于其無反向恢復(fù)電流的特性，這意味著開關(guān)過程中的損耗極低
2024-06-14 11:36:491351 
SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢(shì)壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用范疇。SiC作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一，其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨(dú)特的重要性。以下將詳細(xì)闡述SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)，同時(shí)結(jié)合其技術(shù)特性和應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行深入分析。
2024-09-10 15:09:393508 PiN二極管（P-I-N Diode）和SiC二極管（Silicon Carbide Diode）在多個(gè)方面存在顯著差異，這些差異主要體現(xiàn)在材料特性、工作性能、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方面。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)分析。
2024-09-10 15:40:481592 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN029：了解SiC功率肖特基二極管的數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 16:40:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN028：SiC功率二極管的可靠性.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 16:38:360 使用反向并聯(lián)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC
2025-03-20 11:16:591046 
和高溫環(huán)境的電子器件中。SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET（絕緣柵雙極晶體管）便是其典型代表。本文將探討這兩種器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。
2025-04-17 16:20:38998 在功率電子領(lǐng)域，碳化硅(SiC)技術(shù)正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件。作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表，SiC二極管憑借其物理特性在多方面實(shí)現(xiàn)了性能突破。寬禁帶半導(dǎo)體材料碳禁帶寬度(SiC：3.2eVvsSi
2025-07-21 09:57:571246 
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