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富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享（二）：碳化硅器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題探討

作者：富昌電子星空 ??校稿：富昌電子蕭峰 ? 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方...

2022-06-16 標(biāo)簽：富昌電子 SiC 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 11.0萬 0

數(shù)明半導(dǎo)體發(fā)布高UVLO系列隔離門極驅(qū)動(dòng)器：SiLM8260Ax/ SiLM5350x/ SiLM825x，提升系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠性

SiC MOSFET 功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車和能源行業(yè)，如變頻器、光伏逆變器、車載充電器、牽引逆變器等。為實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率，SiC MOSFE...

2025-09-26 標(biāo)簽：功率器件 SiC MOSFET 門極驅(qū)動(dòng)器 2.9萬 0

2024年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3億美元，英飛凌擴(kuò)展SiC MOSFET產(chǎn)品線

根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告，2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率為29%，也就是說到2024年...

2020-04-03 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 1.6萬 0

SiC MOSFET的特性及使用的好處

電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢(shì)之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中，SiC器件優(yōu)勢(shì)明顯，這就使得SiC MOSFE...

2021-08-13 標(biāo)簽：電荷硅材料 SiC MOSFET 8.2k 0

加速落地主驅(qū)逆變器，三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗(yàn)證

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近日，三安光電在投資者平臺(tái)上表示，其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國(guó)內(nèi)頭...

2025-08-10 標(biāo)簽：SiC 三安光電 SiC MOSFET 7.7k 0

東芝SiC MOSFET電動(dòng)汽車電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)

環(huán)境和能源問題是一個(gè)重要的全球性問題。同時(shí)，隨著電力需求持續(xù)升高，對(duì)節(jié)能的呼聲以及對(duì)高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中，功率半導(dǎo)體扮演...

2021-08-02 標(biāo)簽：SiC MOSFET 5.3k 0

Nexperia發(fā)布增強(qiáng)型電熱模型羅姆開發(fā)8英寸新一代SiC MOSFET

基本半導(dǎo)體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常...

2022-03-28 標(biāo)簽：模型羅姆 Nexperia 4.9k 0

SiC需求爆發(fā)！賽道正式開啟，國(guó)內(nèi)企業(yè)迅速就位

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型，成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個(gè)縮影，對(duì)整個(gè)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 ? 碳化...

2021-11-12 標(biāo)簽：SiC二極管 SiC MOSFET 基本半導(dǎo)體 4.8k 0

瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的

相比于硅基高壓器件，碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動(dòng)功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1...

2022-08-01 標(biāo)簽：變換器電壓碳化硅 4.5k 0

研華DeviceOn/BI通過工業(yè)案例審核羅姆SiC MOSFET發(fā)揮性能優(yōu)勢(shì)

近日，上汽大眾與臻驅(qū)科技聯(lián)合開發(fā)的首款基于SiC技術(shù)的 “三合一”電橋完成試制。

2022-03-28 標(biāo)簽：研華羅姆 SiC MOSFET 3.6k 0

性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電...

2015-10-14 標(biāo)簽：MOSFET SiC MOSFET 3.3k 0

超共源共柵與硅技術(shù)和SiC MOSFET技術(shù)對(duì)比分析

新應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，這就需要有高壓開關(guān)技術(shù)，而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比，該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣，從...

2020-02-24 標(biāo)簽：sic器件硅技術(shù)SiC MOSFET 3k 0

華潤(rùn)微發(fā)布SiC MOSFET新品 NVIDIA推科學(xué)數(shù)字孿生平臺(tái)

近期，華潤(rùn)微重磅發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)的SiC MOSFET產(chǎn)品，這是華潤(rùn)微繼去年SiC二極管產(chǎn)品上市后的又一大作，進(jìn)一步豐富了公司的SiC產(chǎn)品系列，是公司在...

2022-03-28 標(biāo)簽：NVIDIA SiC MOSFET 數(shù)字孿生 2.5k 0

具有集成3相SiC MOSFET的液冷模塊

CISSOID 最近發(fā)布了專為降低開關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅（SiC） MOSFET 智能功率模塊（IPM）產(chǎn)品系列。

2022-08-04 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器碳化硅 SiC MOSFET 2.4k 0

三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底，國(guó)內(nèi)8英寸加速布局！

從產(chǎn)能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/...

2023-09-14 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵碳化硅 2.2k 0

“助攻”電源設(shè)計(jì)：900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低！

全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，...

2016-01-04 標(biāo)簽：電源管理電池充電器 SiC功率器件 2.2k 0

瑞能半導(dǎo)體最新推出1700V SiC MOSFET產(chǎn)品

作為全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)之一，CISES聚焦行業(yè)發(fā)展新動(dòng)態(tài)、新趨勢(shì)、新產(chǎn)品，致力于為業(yè)界高端決策者提供國(guó)際性合作交流平臺(tái)。

2022-09-07 標(biāo)簽：碳化硅 SiC MOSFET 瑞能半導(dǎo)體 2.1k 0

派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

2021-12-08 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件 SiC 2.1k 0

小米SU7碳化硅應(yīng)用情況如何？

小米SU7單電機(jī)版，400V電壓平臺(tái)的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據(jù)調(diào)研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。

2024-04-11 標(biāo)簽：永磁電機(jī)碳化硅 SiC MOSFET 2k 0

傾佳電子SiC MOSFET串?dāng)_Crosstalk效應(yīng)深度解析與綜合抑制策略研究報(bào)告

傾佳電子SiC MOSFET串?dāng)_Crosstalk效應(yīng)深度解析與綜合抑制策略研究報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...

2025-09-01 標(biāo)簽：串?dāng)_碳化硅 SiC MOSFET 1.8k 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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