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標(biāo)簽 > sic器件
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SiC器件優(yōu)越性、發(fā)展以及在電源系統(tǒng)的應(yīng)用分析
經(jīng)研究者的努力,以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射,具有較高的擊穿電壓和工作頻率,適于在惡劣條件下工...
具體來(lái)說(shuō),在新能源發(fā)電系統(tǒng)中,采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量...
SiC FET基礎(chǔ)知識(shí)以及技術(shù)原理
對(duì)于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)而言,電機(jī)控制電子設(shè)備被視為對(duì)生命至關(guān)重要,因此設(shè)計(jì)人員必須遵守“安全第一”的原則,并需要采用經(jīng)過(guò)不斷試驗(yàn)和測(cè)試的技術(shù)。實(shí)際上,這也意味...
2019-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電機(jī)控制sic器件 7466 0
SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗解決方案解析
碳化硅(SiC)MOSFET的快速開關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。
通過(guò)物理氣相沉積法生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸的SiC單晶材料
聽多了虛擬貨幣、虛擬現(xiàn)實(shí)、虛擬主機(jī)……有沒有聽過(guò)虛擬生長(zhǎng)?
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...
2023-03-03 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 5236 0
可再生能源系統(tǒng)中的SiC實(shí)現(xiàn)更高效,更小且更具成本效益的電力方案
風(fēng)能和太陽(yáng)能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲(chǔ)結(jié)合使用,是該行業(yè)增長(zhǎng)最快的行業(yè)之一,寬帶隙碳化硅(SiC)技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)...
2021-03-12 標(biāo)簽:電容器升壓轉(zhuǎn)換器DCDC 5135 0
2018年model 3的數(shù)量是按照10多萬(wàn)的生產(chǎn)量,這個(gè)數(shù)據(jù)某種程度上快速在刺激SiC 的MOSFET市場(chǎng),而接下來(lái)高端車型都是往超快充能力的車型即將...
2019-01-18 標(biāo)簽:晶圓產(chǎn)業(yè)鏈sic器件 4511 0
電動(dòng)車 (EV) 的發(fā)貨量正在迅速增長(zhǎng),預(yù)計(jì) 21 世紀(jì) 20 年代還將加速發(fā)展。主要汽車制造商都已經(jīng)推出了電動(dòng)車或已制定了推出計(jì)劃,它們還積極與伙伴合...
2020-02-22 標(biāo)簽:sic器件電池系統(tǒng) 3402 0
使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路實(shí)用解決方案和指南
本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實(shí)用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)性雙脈沖測(cè)試(DPT)結(jié)果驗(yàn)證。
SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面?電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC器件Si器件 1.3萬(wàn) 1
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET,進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日,德國(guó)慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動(dòng)汽車等大趨勢(shì)的推動(dòng)下,電力消耗日益增加。與此同時(shí),提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)...
2022-03-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌sic器件 5456 0
SiC FET半導(dǎo)體器件的主要拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和器件功能解析
隨著5G網(wǎng)絡(luò)的部署,在世界范圍內(nèi)將有大規(guī)模的擴(kuò)建浪潮,并需要許多高質(zhì)量的電信整流器來(lái)提供所需的電力。為了滿足提高效率、降低運(yùn)營(yíng)成本和降低物料清單成本的需...
2020-02-24 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)sic器件 5286 0
小鵬、比亞迪擁抱800V高壓平臺(tái),電車普及超快充還在等什么?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)與遵循摩爾定律持續(xù)高速迭代的集成電路不同,電池技術(shù)在過(guò)去幾十年中進(jìn)展緩慢。因此當(dāng)前電動(dòng)汽車要解決續(xù)航問(wèn)題,主要有兩個(gè)發(fā)展方...
2021-10-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車充電樁sic器件 4087 0
SIC器件發(fā)展助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)技術(shù)革新
自2011年-2017年,我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)114%。根據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示,2017年新能源汽車產(chǎn)銷量分別為79.4萬(wàn)輛和...
眾所周知,封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征,如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA),...
眾所周知,封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征,如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA),...
如何量測(cè)SiC器件的結(jié)-殼熱阻和結(jié)溫等熱特性參數(shù)
以碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件,可在更高溫度、更高電壓、更高頻率環(huán)境下正常工作,同時(shí)功耗更小,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、...
汽車車載充電機(jī)使用SiC器件有哪些常見問(wèn)題
談一下之前所說(shuō)的SiC的器件使用問(wèn)題,在國(guó)內(nèi)發(fā)生了一個(gè)案例,筆者做過(guò)一番采訪和調(diào)研之后做了一些整理,涉及三方(車企、零部件廠商和器件廠家),具體可以參考...
超共源共柵與硅技術(shù)和SiC MOSFET技術(shù)對(duì)比分析
新應(yīng)用不斷涌現(xiàn),這就需要有高壓開關(guān)技術(shù),而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比,該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣,從...
2020-02-24 標(biāo)簽:sic器件硅技術(shù)SiC MOSFET 2720 0
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