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標(biāo)簽 > SiC模塊
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傾佳電子技術(shù)報告:基本半導(dǎo)體34mm碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)潛力評估
傾佳電子技術(shù)報告:基本半導(dǎo)體34mm碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)潛力評估 傾佳電子(Changer Tech)是一家專...
車規(guī)級 | 功率半導(dǎo)體模塊封裝可靠性試驗-熱阻測試
在因為功率器件相關(guān)原因所引起電子系統(tǒng)失效的原因中,有超過50%是因為溫度過高導(dǎo)致的熱失效。結(jié)溫過高會導(dǎo)致電子系統(tǒng)性能降低、可靠性降低、壽命降低、引發(fā)器件...
傾佳電子SiC功率模塊的必然崛起:市場動態(tài)、技術(shù)演進(jìn)與未來軌跡的戰(zhàn)略分析
傾佳電子SiC功率模塊的必然崛起:市場動態(tài)、技術(shù)演進(jìn)與未來軌跡的戰(zhàn)略分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的...
2025-10-14 標(biāo)簽:SiC模塊 10 0
傾佳電子針對高性能電力變換的基本半導(dǎo)體34mm封裝SiC模塊平臺戰(zhàn)略分析
傾佳電子針對高性能電力變換的基本半導(dǎo)體34mm封裝SiC模塊平臺戰(zhàn)略分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的...
傾佳電子SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)產(chǎn)品介紹及市場應(yīng)用前景深度解析
傾佳電子SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)產(chǎn)品介紹及市場應(yīng)用前景深度解析 前言 隨著“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)推動和新一輪能源革命浪潮席卷全球,功率半導(dǎo)體技...
傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體SiC模塊等碳化硅功率器件全線產(chǎn)品概述
當(dāng)前,全球能源結(jié)構(gòu)加速向清潔化、電動化與智能化升級,功率半導(dǎo)體器件成為能源變革與電力電子創(chuàng)新的核心基石。以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,憑借...
2025-09-06 標(biāo)簽:碳化硅SiC模塊基本半導(dǎo)體 444 0
作者:ROHM半導(dǎo)體(ROHM Semiconductor)應(yīng)用營銷經(jīng)理 Imane Fouaide和應(yīng)用工程高級經(jīng)理 Christian Felgem...
從SiC模塊到AI芯片,低溫?zé)Y(jié)銀膠卡位半導(dǎo)體黃金賽道
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 所謂低溫?zé)Y(jié)銀膠是一種以銀粉為主要成分、通過低溫?zé)Y(jié)工藝實現(xiàn)芯片與基板高強(qiáng)度連接的高性能封裝材料。其核心成分為納米級與微米級銀粉復(fù)...
ROHM推出高功率密度的新型SiC模塊,將實現(xiàn)車載充電器小型化!
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出4in1及6in1結(jié)構(gòu)的SiC塑封型模塊“HSDIP20”。該系列產(chǎn)品非常適用于xEV(...
中國電力電子客戶逐漸擺脫對國外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴,轉(zhuǎn)向國產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊和SiC模塊,這一轉(zhuǎn)變是技術(shù)、...
國產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價格絞殺戰(zhàn)
進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價超過30%來絞殺國產(chǎn)功率模塊,面對外資功率模的瘋狂價格絞殺,國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊...
國產(chǎn)SiC模塊賦能充電樁電源模塊功率等級跳躍和智能電網(wǎng)融合
綜合分析充電樁電源模塊的功率等級發(fā)展趨勢及國產(chǎn)SiC模塊的關(guān)鍵作用,國產(chǎn)SiC模塊賦能充電樁電源模塊功率等級跳躍和智能電網(wǎng)融合 1. 未來充電樁模塊的功...
2025-03-05 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)電源模塊充電樁 700 0
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