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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性（參考閱讀：CoolSiCMOSFETGen2性能綜述，CoolSiCMOS...

2025-06-23 標(biāo)簽：MOSFET SiC 仿真電路 155 0

SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

為了安全使用SiC模塊，需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對(duì)IGBT，M...

2025-06-18 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 三菱電機(jī) 1268 0

方正微1200V Easy2B碳化硅模塊在135kW PCS中的應(yīng)用

隨著全球能源需求不斷上升，我國“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進(jìn)和新能源行業(yè)的快速發(fā)展，近年來光伏儲(chǔ)能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storage C...

2025-06-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC PCS 559 0

CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實(shí)際應(yīng)用中，G2如何進(jìn)行正確的...

2025-06-16 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 125 0

安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性

安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系...

2025-06-16 標(biāo)簽：安森美 JFET SiC 603 0

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源：Pixa...

2025-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 94 0

安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

2025-06-13 標(biāo)簽：MOSFET 安森美 JFET 723 0

碳化硅在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的影響

對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...

2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管 SiC 功率半導(dǎo)體 393 0

SiC MOSFET計(jì)算損耗的方法

本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對(duì)開關(guān)波形進(jìn)行分割，并使...

2025-06-12 標(biāo)簽：開關(guān)電路 MOSFET 波形 1145 0

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)...

2025-06-08 標(biāo)簽：SiC PCS 碳化硅 313 0

基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案

半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場(chǎng)景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...

2025-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源適配器 SiC 1224 0

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。

2025-06-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 452 0

功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析：以SiC與IGBT為例

隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...

2025-06-03 標(biāo)簽：IGBT SiC 芯片封裝 371 0

SiC功率器件在純電動(dòng)卡車中的應(yīng)用的秘密

-回答星友xuu的提問，關(guān)于SiC功率器件在純電動(dòng)卡車中的應(yīng)用解析-文字原創(chuàng)，素材來源：各廠商，網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選，完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布...

2025-06-01 標(biāo)簽：功率器件 SiC 純電動(dòng)車 140 0

SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)均流問題

在電力電子領(lǐng)域，當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí)，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MO...

2025-05-30 標(biāo)簽：并聯(lián)MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 955 0

ADuM4177具有擺率控制和BIST功能的40 A拉電流和30 A灌電流SiC隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

ADuM4177是一款高性能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，采用ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術(shù)，提供5.7 kV RMS隔離。ADuM4177采用28...

2025-05-29 標(biāo)簽：SiC 拉電流灌電流 149 0

柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用

碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能...

2025-05-26 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 700 0

SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)

通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和...

2025-05-23 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 507 0

UCC5390-Q1 汽車級(jí) 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC M...

2025-05-17 標(biāo)簽：電源 MOSFET SiC 404 0

UCC21739-Q1 汽車級(jí) 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 344 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營(yíng)銷人物”
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