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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

詳解電力電子領(lǐng)域碳化硅(SiC)的熱行為

碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢(shì)。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 標(biāo)簽：SiC 碳化硅功率電子 5.3萬(wàn) 0

SiC的電力電子器件的主要優(yōu)勢(shì)

? 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)（ICE）汽車到電動(dòng)汽車（EV）的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到45年，電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷...

2023-09-18 標(biāo)簽：電流逆變器電力電子器件 3.4萬(wàn) 0

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過(guò)在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。

2023-02-02 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料 SiC 2.9萬(wàn) 0

為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片,需要考慮幾個(gè)方面?

SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...

2018-06-15 標(biāo)簽：MOSFET SiC 驅(qū)動(dòng)芯片 2.6萬(wàn) 0

淺談特斯拉TPAK（Tesla Pack）封裝那些事

從一開(kāi)始的TO-247封裝的IGBT單管并聯(lián)，到單管電流等級(jí)需求優(yōu)化的TO-247Plus封裝的IGBT并聯(lián)，到如今的TPAK封裝，可以說(shuō)將單管并聯(lián)方式...

2023-09-20 標(biāo)簽：IGBT 特斯拉 SiC 2.4萬(wàn) 0

SiC材料到底有多大的作用？

億緯鋰能采取多元化品類并存路線，包括鋰原電池、復(fù)合電源、消費(fèi)類鋰離子電池及動(dòng)力/儲(chǔ)能電源系統(tǒng)等。在動(dòng)力方面的主要產(chǎn)品類型包括：圓柱三元(18650/21...

2018-06-22 標(biāo)簽：SiC 2.0萬(wàn) 0

碳化硅介紹：三種SiC襯底制作方法對(duì)比

碳化硅的禁帶寬度是硅的2-3倍，在高溫下電子不易發(fā)生躍遷，可耐受更高的工作溫度，且碳化硅的熱導(dǎo)率是硅的4-5倍，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐...

2023-07-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.8萬(wàn) 0

碳化硅用途主要有哪些方面

碳化硅的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而現(xiàn)在科技市場(chǎng)的大力發(fā)展，碳化硅的功勞也是不容小覷，碳化硅在工業(yè)方面的應(yīng)用可以說(shuō)是比較廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種，那么碳化硅用途主要有哪些...

2023-02-05 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.6萬(wàn) 0

詳解硅片的研磨、拋光和清洗技術(shù)

在半導(dǎo)體和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度變薄，以及拋光以使表面成為鏡面。在半導(dǎo)體器件的制造中，半導(dǎo)體制造工藝包括:（1）從晶體生長(zhǎng)開(kāi)始切割和拋光...

2022-04-20 標(biāo)簽：SiC 硅片清洗 1.6萬(wàn) 0

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記：各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)

當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的，平面型和溝槽型。

2023-06-07 標(biāo)簽：芯片 MOSFET JFET 1.5萬(wàn) 0

何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模...

2018-05-17 標(biāo)簽：SiC 功率模塊 1.4萬(wàn) 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開(kāi)始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管 SiC 氮化鎵 1.4萬(wàn) 0

半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢(shì)及瓶頸分析

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 1.3萬(wàn) 0

Si、SiC和GaN這三種材料共存，到底該如何選擇

碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料，它已經(jīng)廣泛用于制造開(kāi)關(guān)器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力，...

2020-04-30 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體 sic 1.3萬(wàn) 1

使用LTspice估算SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗

為了正確利用這種能源，必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器，其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天，這些公司專注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積，以及提高...

2022-08-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 1.3萬(wàn) 0

三菱電機(jī)SiC功率模塊的發(fā)展里程碑

2015年4月，Bodo’s Power上報(bào)道了三菱電機(jī)1款800 A/1200 V的全SiC 2in1模塊（FMF800DX-24A）[3]。為了有效...

2018-05-26 標(biāo)簽：三菱電機(jī)SiC 功率模塊 1.3萬(wàn) 0

25 kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南：DC-DC級(jí)的設(shè)計(jì)考慮因素和仿真

作者：安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec ? 在“開(kāi)發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁” [1-3] ...

2022-05-10 標(biāo)簽：仿真 DC-DC SiC 1.2萬(wàn) 0

基于SiC技術(shù)的碳化硅襯底提升LED的發(fā)光度

大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵（InGaN）和藍(lán)寶石襯底組成。該架構(gòu)運(yùn)行良好，并使LED制造商能夠提供效率超過(guò)150流明/瓦的產(chǎn)品。然而，該架構(gòu)確實(shí)存在一些...

2019-01-17 標(biāo)簽：led 半導(dǎo)體 sic 1.2萬(wàn) 0

駐波效應(yīng)是什么？如何產(chǎn)生的？有什么危害？如何抑制駐波效應(yīng)？

駐波效應(yīng)，在先進(jìn)光刻制程中一個(gè)不可忽視的現(xiàn)象，能引發(fā)一系列的光刻質(zhì)量問(wèn)題，以至于嚴(yán)重影響著圖案的精度。

2023-10-13 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.2萬(wàn) 0

牽引逆變器：汽車創(chuàng)新與性能的相互交融

踩下電動(dòng)汽車 (EV) 的踏板，即可獲得快速、平穩(wěn)的加速。對(duì)此感到非常滿足？當(dāng)然不。您大可不必如此，因?yàn)樾滦碗妱?dòng)汽車將擁有更高的性能和更長(zhǎng)的續(xù)航里程。...

2023-02-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器電機(jī) 1.1萬(wàn) 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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