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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。

2023-12-12 標(biāo)簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2196 0

碳化硅的優(yōu)勢和難處

　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。

2023-12-11 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 4205 0

為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。

2023-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT SiC 1480 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化...

2023-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2748 0

芯動(dòng)半導(dǎo)體和博世汽車電子簽署長期訂單合作協(xié)議

功率半導(dǎo)體元件在新能源汽車中扮演關(guān)鍵角色，占據(jù)電機(jī)控制器價(jià)值量的30%-50%。因此，功率半導(dǎo)體元件的成本、性能和供貨能力對(duì)于車企在市場競爭中取得成功至關(guān)重要。

2023-12-08 標(biāo)簽：電機(jī)控制器 SiC 功率半導(dǎo)體 2364 0

碳化硅MOSFET在數(shù)據(jù)中心能源管理中的應(yīng)用

數(shù)據(jù)中心通常依靠高頻功率轉(zhuǎn)換來有效地分配和管理電力，而SiC MOSFET具有低開關(guān)損耗和快速開關(guān)速度，可實(shí)現(xiàn)高頻操作。

2023-12-06 標(biāo)簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器不間斷電源 1220 0

新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強(qiáng)度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...

2023-12-06 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT 功率器件 1600 0

碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 2074 0

如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？

有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 M...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 熱管理 977 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造電動(dòng)汽車（EV）、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體功率器件 1102 0

碳化硅功率器件在儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用示例

碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅(qū)動(dòng)的電池電動(dòng)汽車（BEV）電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及太陽能和風(fēng)力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)...

2023-12-03 標(biāo)簽：太陽能功率器件 SiC 1291 0

碳化硅的超強(qiáng)性能

電力半導(dǎo)體的進(jìn)步并不完全取決于節(jié)點(diǎn)尺寸的減小。硅電力開關(guān)，如MOSFETs和IGBTs，被設(shè)計(jì)用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開...

2023-12-02 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSEET 543 0

SiCMOSFET和IGBT在短路時(shí)的對(duì)比

基于溝道的硅碳功率金氧半場效應(yīng)晶體管（MOSFETs）為電力轉(zhuǎn)換開關(guān)設(shè)備的性能優(yōu)化系數(shù)（FOM）帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯，提高了多種應(yīng)用的效...

2023-12-01 標(biāo)簽：MOSFET FOM SiC 1020 0

金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品優(yōu)勢

基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢，半導(dǎo)體應(yīng)用市場持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IG...

2023-12-01 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1109 0

充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET方案可用隔離驅(qū)動(dòng)BTD25350

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-11-30 標(biāo)簽：SiC 充電樁 868 0

什么是外延工藝？什么是單晶與多晶？哪些地方會(huì)涉及到外延工藝？

外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 4766 0

與MOS不同，IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)？

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS PN結(jié) 1536 0

碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇

電動(dòng)化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢，對(duì)高速充電的需求持續(xù)提升，而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高，因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)...

2023-11-29 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)半導(dǎo)體材料 578 0

什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因?yàn)?，為了?yīng)對(duì)全球共通的“節(jié)...

2023-11-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料 SiC 1328 0

如何正確理解功率器件的FoM？

在電源應(yīng)用中，哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求，工程師短時(shí)間內(nèi)也很難判斷哪一種開關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”（Figure of Merit, ...

2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET FOM 功率器件 9413 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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