半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

摘 要：針對(duì)半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)介紹集成電路...

2023-05-23 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體工藝 1964 0

如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē) (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車(chē)單次充電后的行駛里程...

2023-05-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)德州儀器柵極 1060 0

柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送，比如電動(dòng)車(chē)快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 2197 0

借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間

相較于基于硅（Si）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）之類(lèi)的傳統(tǒng)技術(shù)，碳化硅（SiC）元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn)，因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標(biāo)簽：IGBT晶體管SiC 770 0

AC/DC 拓?fù)洌篠peedFit 示例

Wolfspeed SpeedFit 2.0 Design Simulator 是一款快速且實(shí)用的仿真工具，可快速比較不同的系統(tǒng)規(guī)格、拓?fù)?、器件甚至熱?..

2023-05-22 標(biāo)簽：二極管變換器PFC 1621 0

超共源共柵簡(jiǎn)史

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭...

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 457 0

解析適用于SiC柵極驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法

在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng)，更需認(rèn)真關(guān)...

2023-05-20 標(biāo)簽：MOSFETSiCPCB 2124 0

使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)底板封裝的碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)升級(jí)

本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無(wú)碳化硅無(wú)基板功率模塊，并展示了這種多功能且可擴(kuò)展的模塊方法如何實(shí)現(xiàn)當(dāng)前硅 （Si） 設(shè)計(jì)的...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC碳化硅 1118 0

現(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無(wú)線電需要氮化鎵

無(wú)線電技術(shù)不斷發(fā)展，以應(yīng)對(duì)通信挑戰(zhàn)。例如，UHF信號(hào)作現(xiàn)場(chǎng)的障礙物（例如墻壁和建筑物）衰減?，F(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無(wú)線電通過(guò)使用多進(jìn)多出（MIMO）方法克服了這一挑戰(zhàn)...

2023-05-20 標(biāo)簽：MIMO無(wú)線電SiC 1073 0

碳化硅MOSFET在6.6kW高頻高功率密度功率變換器中的應(yīng)用

本文介紹了碳化硅（SiC）器件在高頻LLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用，該轉(zhuǎn)換器可用于總線轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車(chē)充電器、服務(wù)器電源和儲(chǔ)能。在高開(kāi)關(guān)頻率下，LL...

2023-05-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器SiC 2745 1

為什么在新一代雙向OBC設(shè)計(jì)中選擇SiC而非Si？

硅 (Si) 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對(duì)容易的可獲性，長(zhǎng)期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導(dǎo)地位。然而，碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢(shì)能夠很好...

2023-05-20 標(biāo)簽：電源太陽(yáng)能逆變器 2927 0

集成的專(zhuān)業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無(wú)可爭(zhēng)議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 925 0

有效測(cè)量碳化硅信號(hào)

SiC器件市場(chǎng)涵蓋廣泛的功率和應(yīng)用（電動(dòng)汽車(chē)充電，太陽(yáng)能和風(fēng)能等能量收集，電源逆變器，工業(yè)電源，數(shù)據(jù)中心）。在低端 （1–50 kW），分立式 MOSF...

2023-05-20 標(biāo)簽：晶體管SiC碳化硅 1179 0

使用寄生建模軟件了解和優(yōu)化碳化硅功率PCB布局

高功率 PCB 布局是藝術(shù)、科學(xué)和工程的平衡，以實(shí)現(xiàn)高性能設(shè)計(jì)，同時(shí)考慮與電壓間隔相關(guān)的大量限制， 系統(tǒng)布局， 產(chǎn)品尺寸， 熱要求， 以及最重要的電氣性...

2023-05-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器SiCPCB 1880 0

碳化硅技術(shù)如何賦能離線式開(kāi)關(guān)模式電源

碳化硅（SiC）技術(shù)推動(dòng)多種應(yīng)用和功率系統(tǒng)的設(shè)計(jì)創(chuàng)新。與硅（Si）相比，SiC 憑借更快的開(kāi)關(guān)速度、在溫度范圍內(nèi)平穩(wěn)的導(dǎo)通電阻 RDS(on) 和更優(yōu)的...

2023-05-20 標(biāo)簽：電源smpsSiC 1686 0

碳化硅賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源模塊

功率密度和靈活性便是 Wolfspeed 和 Astrodyne TDI（ATDI）合作的原因，雙方一同挖掘 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，以滿(mǎn)足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造/...

2023-05-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 955 0

碳化硅功率模塊最大限度提高有源前端效率

本文解決了這些問(wèn)題，并通過(guò)并行比較，證明了碳化硅（SiC）是迄今為止在高功率應(yīng)用中優(yōu)于硅基器件的選擇。該演示使用 UPS 和充電器系統(tǒng)的一個(gè)重要部分，即...

2023-05-20 標(biāo)簽：UPSIGBTSiC 1363 0

采用先進(jìn)Wolfspeed SiC技術(shù)，滿(mǎn)足最新能效標(biāo)準(zhǔn)

對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)（其采用 90 kW 至 350 kW 以上的動(dòng)力總成逆變器）而言，提高效率、減小尺寸、減輕重量可最大限度提高車(chē)輛續(xù)航里程。Wolfspee...

2023-05-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器SiC 763 0