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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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芯力特是國內(nèi)首個量產(chǎn)CAN收發(fā)器和CAN FD收發(fā)器的公司,SIT1462Q作為芯力特全新一代收發(fā)器產(chǎn)品搭載了芯力特多年來在CAN收發(fā)器接口產(chǎn)品研發(fā)的經(jīng)...
2025-03-25 標(biāo)簽:接口SiCCAN收發(fā)器 745 0
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度,逐漸成為高...
隨著汽車電氣化的蓬勃發(fā)展,特別是SiC等器件在能量變換環(huán)節(jié)的大量使用,因高壓、高頻功率變換給車內(nèi)環(huán)境造成了大量雜散磁場干擾,主機(jī)廠和Tier 1 提出了...
SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能
使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFE...
UCC38C52 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應(yīng)用中驅(qū)動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
UCC28C56L 工業(yè)級 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應(yīng)用中驅(qū)動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
UCC38C53 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應(yīng)用中驅(qū)動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
UCC28C56H-Q1 汽車類 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可用于驅(qū)動各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...
UCC28C58-Q1 汽車類 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可用于驅(qū)動各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...
UCC38C55 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應(yīng)用中驅(qū)動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
2 kV SiC功率模塊:推動1500 V系統(tǒng)的革命
由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升,具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...
碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢
為減緩氣候變化的步伐,人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進(jìn)展,并且交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率,對電源的要...
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng),在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐...
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中,由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基(Si)制成的Si IGBT。
SiC模塊解決儲能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點
碳化硅(SiC) MOSFET的雙極性退化(Bipolar Degradation)是其在實際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問題,尤其在儲能變流器(PCS)等高...
SiC JFET并聯(lián)設(shè)計和測試中的最佳實踐
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。在第一篇文章和第二篇文章中我們重點介紹了SiCJFET并聯(lián)...
碳化硅SiC芯片封裝:銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘
隨著碳化硅(SiC)功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而,要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢,封裝技術(shù)起著...
瑞能半導(dǎo)體最新WeenPACK-B系列SiC功率模塊產(chǎn)品介紹
WeenPACK-B產(chǎn)品系列是一款專為逆變器與變流器設(shè)計的高效功率模塊,高可靠、靈活集成的電力電子模塊化平臺,可覆蓋最大功率100kW的應(yīng)用場景。包括工...
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