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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

第三代半導體器件的機會在哪里

與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強等特...

2023-05-18 標簽：半導體 SiC GaN 983 0

激光與碳化硅相互作用的機理及應用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標簽：半導體激光晶圓 2646 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

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2023-05-17 標簽：驅(qū)動器 SiC 碳化硅 551 0

微電網(wǎng) - 脫離公共電網(wǎng)的高效選擇

我們中許多擁有電動汽車的人不得不考慮充電問題 — 重點在于節(jié)約能源，所以微電網(wǎng)從當?shù)乜稍偕茉粗蝎@取電能絕對符合時代精神。電動車電池是一種大型充電負載，...

2023-05-16 標簽：電動汽車 SiC 可再生能源 1151 0

基于國產(chǎn)單晶襯底的150mm 4H-SiC同質(zhì)外延技術進展

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2023-05-14 標簽：MOSFET 半導體天線 1219 0

SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢

SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現(xiàn)在是Littelfuse公...

2023-05-12 標簽：MOSFET 封裝功率器件 2901 0

基于SIC功率模塊的200kW車載逆變控制器介紹

在電動汽車驅(qū)動控制器中，逆變控制器是實現(xiàn)能量交直流轉化的關鍵部件，用于電機的驅(qū)動或制動時的能量回收或是提供交流電源。市場對于逆變控制器的能量傳輸效率、功...

2023-05-11 標簽：電動汽車控制器晶體管 2480 0

半導體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學氣相反應法(CVR)和化學氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標簽：SiC GaN 碳化硅 5112 0

小心彎曲：為什么不應通過元件腳端彎曲來走捷徑

許多電力工程師都知道如何使用其手工原型獲得可行的成果，但在生產(chǎn)環(huán)境中，我們需要更好地控制腳端彎曲。否則，可能會引起數(shù)不盡的問題。本博客文章討論了獲得可靠...

2023-05-10 標簽：電路板封裝元件 635 0

碳化硅功率器件及應用

碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作...

2023-05-10 標簽：半導體功率器件 SiC 2429 0

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？

隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的...

2023-05-09 標簽：電動汽車安森美 IGBT 8969 0

簡述碳化硅襯底類型及應用

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

2023-05-09 標簽：SiC 碳化硅 5494 0

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-05-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1288 0

碳化硅（SiC）技術取代舊的硅FET和IGBT

所有類型的電動汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術來取代舊的硅FET和IGBT。安全高...

2023-05-06 標簽：電動汽車 IGBT SiC 2849 0

什么是寬禁帶半導體？

半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

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功率器件封裝結構散熱設計原則

針對功率器件的封裝結構，國內(nèi)外研究機構和企業(yè)在結構設計方面進行了大量的理論研究和開發(fā)實踐，多種結構封裝設計理念被國內(nèi)外研究機構提出并研究，一些結構設...

2023-05-04 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 1840 0

淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓SiC MOSFET的結構和技術存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導通電阻隨電壓等級相應增加，其他結構（溝道、JFET區(qū)等）的存在進一步提高了總導通電阻。

2023-05-04 標簽：二極管 MOSFET 導通電阻 3645 0

SiC MOSFET：是平面柵還是溝槽柵？

溝槽柵結構是一種改進的技術，指在芯片表面形成的凹槽的側壁上形成MOSFET柵極的一種結構。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET...

2023-04-27 標簽：電阻 MOSFET SiC 7535 0

陶瓷封裝工藝介紹

陶瓷封裝工藝是指采用陶瓷外殼 (Ceramic Packaging Shell, CPS)或陶瓷基板作為封裝載體，在陶瓷外殼的芯腔或陶瓷基板芯片安裝區(qū)黏...

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SiC半導體如何成為比舊有技術更具成本競爭力的解決方案

隨著電動汽車、可再生能源和 5G 等領域的創(chuàng)新步伐不斷加快，為滿足消費者和行業(yè)的需求，越來越多的工程師也在尋求全新解決方案，并對技術提出了更高的要求。

2023-04-27 標簽：半導體 IGBT FET 813 0

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