橋式電路的開關產(chǎn)生的電流和電壓

本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

2022-12-05 標簽：MOSFETSiCVDS 1304 0

碳化硅功率器件及其發(fā)展現(xiàn)狀！

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

2022-12-02 標簽：半導體功率器件SiC 1622 0

碳化硅功率器件市場前景！

在過去幾年中，半導體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關，并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅（SiC）的器件有望顯著降低開關損耗，并允許比目前使用純硅（Si）器件更高的...

2022-11-29 標簽：功率器件SiC碳化硅 510 0

當前碳化硅功率器件回顧！

硅功率器件已經(jīng)達到了它們的材料極限，已經(jīng)達到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟，為汽車行業(yè)提供快速開關、高效的器件性能。然而，它們距離充分發(fā)揮...

2022-11-28 標簽：功率器件SiC碳化硅 718 0

宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估

汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進，車載充電器（OBC）與DCDC轉換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發(fā)展，同應對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設計人員把目光投向...

2022-11-25 標簽：輻射SiCDCDC 955 0

IGBT和SiC柵極驅(qū)動器基礎知識（一）

大家好，看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動應用的文檔，雖然比較基礎，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學者，總體內(nèi)容如下。

2022-11-25 標簽：MOSFETIGBT功率器件 1749 0

SiC推動實現(xiàn)可再生的未來

隨著世界朝著更加綠色的可持續(xù)未來邁進，許多國家/地區(qū)正在減少化石燃料能源發(fā)電，轉而使用可再生能源。

2022-11-24 標簽：逆變器太陽能光伏SiC 927 0

碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用！

電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務、深...

2022-11-23 標簽：IGBT功率器件SiC 1204 0

SiC功率器件和模塊！

SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙...

2022-11-22 標簽：功率器件SiC碳化硅 2103 0

碳化硅MOSFET器件結構和特性！

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現(xiàn)器件結構所需的更廣泛的p型...

2022-11-21 標簽：MOSFETSiC碳化硅 1855 0

碳化硅技術在電源逆變器上的應用！

碳化硅(SiC)是化合物半導體材料之一，具有獨特的材料性能。例如，它具有高電擊穿強度(硅的十倍)和導熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...

2022-11-17 標簽：SiC電源逆變器碳化硅 2830 0

在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

比較SiC開關的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，...

2022-11-14 標簽：MOSFETFETSiC 1343 0

SiC FET的起源和發(fā)展

高頻開關等寬帶隙半導體是實現(xiàn)更高功率轉換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構成。

2022-11-11 標簽：FETSiC高頻開關 1374 0

SIC MOS驅(qū)動電壓15V和18V之辯

使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多，但驅(qū)動電壓到底選15V還是18V，每個人都有自己的理解，今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動技術，有些感悟分享給大家。

2022-11-07 標簽：MOSSiC驅(qū)動電壓 3790 0

詳解GaN和SiC器件測試的理想探頭

DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是Ga...

2022-11-03 標簽：SiCGaNMOSFET管 1668 0

碳化硅功率半導體器件是怎樣制造出來的

碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產(chǎn)線升...

2022-11-02 標簽：濾波器SiC碳化硅 2005 0

SiC FET器件的特征

寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。

2022-10-31 標簽：存儲服務器數(shù)據(jù)中心 1273 0

溝槽型SiC MOSFET工藝流程及SiC離子注入

在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...

2022-10-27 標簽：MOSFET功率器件SiC 8396 0

認識碳化硅晶錠切割

眾所周知單晶材料是SiC功率半導體技術和產(chǎn)業(yè)的基礎，依據(jù)器件的使用，還會要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量

2022-10-25 標簽：SiC碳化硅 7505 0