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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

2月11日上午，在合肥市經(jīng)開(kāi)區(qū)領(lǐng)導(dǎo)、戰(zhàn)略投資方代表及數(shù)十家新能源汽車和eVTOL航空器頭部企業(yè)百余位嘉賓的共同見(jiàn)證下，鈞聯(lián)電子安徽省首條先進(jìn)工藝SiC車...

2025-02-14 標(biāo)簽：SiC 功率模塊 810 0

BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場(chǎng)景適配性等方面的綜合優(yōu)勢(shì)，使其成為電力電子應(yīng)用中的首選，推動(dòng)了IGBT模塊向SiC模塊...

2025-02-13 標(biāo)簽：IGBT SiC 驅(qū)動(dòng)電壓 722 0

導(dǎo)通電阻驟降21%！Wolfspeed第4代SiC技術(shù)平臺(tái)解析

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2月12日，Wolfspeed宣布推出全新的第4代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)從設(shè)計(jì)端就考慮耐久性和高效性，同時(shí)還能降低系...

2025-02-13 標(biāo)簽：SiC 1.3k 0

125KW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器SiC模塊取代老舊IGBT模塊方案的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

傾佳電子楊茜分析在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器（PCS）應(yīng)用中，國(guó)產(chǎn)SiC（碳化硅）模塊全面取代傳統(tǒng)老舊IGBT模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下方面： ? 傾...

2025-02-11 標(biāo)簽：IGBT SiC 儲(chǔ)能變流器 684 0

易星新材料獲Pre-A輪融資，精進(jìn)SiC研磨減薄技術(shù)

近日，西安易星新材料有限公司（簡(jiǎn)稱“易星新材料”）成功宣布完成數(shù)千萬(wàn)元的Pre-A輪融資。本輪融資由西高投旗下基金獨(dú)家出資，為公司未來(lái)的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。

2025-02-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 新材料 733 0

逆變焊機(jī)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計(jì)算

傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機(jī)應(yīng)用為例做國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...

2025-02-10 標(biāo)簽：仿真 IGBT SiC 593 0

高頻感應(yīng)電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比

傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例，分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳...

2025-02-10 標(biāo)簽：SiC 感應(yīng)電源碳化硅 690 0

英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng)，CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的...

2025-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 698 0

新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMO...

2025-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 分立器件 SiC 770 0

英飛凌科技：看好新能源汽車和AIoT市場(chǎng)增長(zhǎng)潛力，打造創(chuàng)新產(chǎn)品為客戶增加價(jià)值

英飛凌科技表示：“2024 財(cái)年，英飛凌表現(xiàn)良好，業(yè)績(jī)符合預(yù)期。回顧近幾年，電子行業(yè)既承載了低碳化數(shù)字化轉(zhuǎn)型帶來(lái)的機(jī)遇，也面臨著由市場(chǎng)波動(dòng)和不確定性帶來(lái)...

2025-02-10 標(biāo)簽：英飛凌 SiC AI服務(wù)器 1.9萬(wàn) 0

國(guó)產(chǎn)首款！成功驗(yàn)證

來(lái)源：新華網(wǎng) 我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。...

2025-02-05 標(biāo)簽：功率器件 SiC 439 0

AMAZINGIC晶焱科技技術(shù)應(yīng)用：典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.

2025-02-05 標(biāo)簽：電動(dòng)車 CAN SiC 822 0

中國(guó)電力電子系統(tǒng)制造商的未來(lái)事業(yè)發(fā)展藍(lán)圖

超高壓與高頻化：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商（比如BASiC基本股份）研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET，適配海上風(fēng)電、軌道交通需求；突破MHz...

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 517 0

碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述

碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述，傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1k 0

傾佳電子楊茜向您拜年：以SiC革新電力電子 · 2025與您智啟零碳未來(lái)！

新春賀辭尊敬的電力電子行業(yè)伙伴與客戶朋友們：祥龍回首辭舊歲，金蛇起舞迎新年！在這萬(wàn)象更新的美好時(shí)刻，我謹(jǐn)代表傾佳電子及團(tuán)隊(duì)，向廣大客戶、合作伙伴致以...

2025-01-28 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體 672 0

碳化硅（SiC）MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場(chǎng)的核心邏輯

碳化硅（SiC）MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場(chǎng)的核心邏輯:低價(jià)SiC器件的“致命性”在于性價(jià)比的絕對(duì)碾壓

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1k 0

為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案

BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H（即車輛到家庭）使用智能電動(dòng)汽車充電和雙向（雙向）...

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.7k 0

為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動(dòng)芯片及驅(qū)動(dòng)供電解決方案

BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動(dòng)芯片及驅(qū)動(dòng)供電解決方案 BASiC基本公司針對(duì)多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門極驅(qū)動(dòng)芯...

2025-02-06 標(biāo)簽：IGBT 功率器件 SiC 797 0

為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管

?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管在科技政策與法規(guī)的推動(dòng)下，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的變革。隨著對(duì)高效能、低...

2025-02-06 標(biāo)簽：二極管 SiC 824 0

25個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目達(dá)成簽約、開(kāi)工、封頂及投產(chǎn)等重要進(jìn)展

? ? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，華天盤古半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目、百立新半導(dǎo)體6英寸MEMS晶圓制造線項(xiàng)目、...

2025-01-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 封測(cè) 2.9k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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放大器	運(yùn)算放大器	差動(dòng)放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變?cè)鲆娣糯笃?	隔離放大器
時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
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開(kāi)關(guān)電源	步進(jìn)電機(jī)	無(wú)線充電	LabVIEW	EMC	PLC	OLED	單片機(jī)
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