SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟性以及應(yīng)用場景適配性等方面的綜合優(yōu)勢，使其成為電力電子應(yīng)用中的首選，推動了IGBT模塊向SiC模塊的升級趨勢。國產(chǎn)SiC模塊（如BASiC基本股份）在成本上逐漸與進口IGBT模塊持平。這推動了國產(chǎn)SiC模塊在國內(nèi)市場的廣泛應(yīng)用，加速了對進口IGBT模塊的替代進程。

通過優(yōu)化驅(qū)動電壓和電路設(shè)計，可以充分發(fā)揮SiC模塊的優(yōu)勢，同時避免因驅(qū)動問題導(dǎo)致的性能下降或可靠性問題。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)特色芯片BTP1521P為碳化硅MOSFET正負(fù)驅(qū)動電壓（如典型應(yīng)用中的+18V和-4V）提供解決方案

1. 高頻性能優(yōu)勢

最高工作頻率1.3MHz：BTP1521P支持可編程工作頻率，最高可達(dá)1.3MHz，完美適配碳化硅（SiC）MOSFET的高頻開關(guān)需求。高頻驅(qū)動可顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率，尤其適用于充電樁、光伏逆變器等高頻應(yīng)用場景。

頻率靈活設(shè)定：通過OSC腳外接電阻（如R=62kΩ時典型頻率330kHz），用戶可根據(jù)實際需求調(diào)整工作頻率，優(yōu)化EMI表現(xiàn)和效率平衡。

2. 穩(wěn)定的正負(fù)電壓生成能力

全橋/推挽拓?fù)渲С?/strong>：BTP1521P可直接驅(qū)動變壓器原邊，通過副邊全橋整流生成正負(fù)電壓（如典型應(yīng)用中的+18V和-4V）。其輸出功率達(dá)6W，可滿足多通道隔離驅(qū)動芯片的供電需求（如BTD5350MCWR）。