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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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更快速、更安全且更智能的充電樁是如何打造的?

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為了解決電動(dòng)汽車的充電焦慮問(wèn)題,更快的充電速度成為快充站的明確要求,實(shí)現(xiàn)充電5分鐘,行駛200公里會(huì)成為行業(yè)的普遍要求。

2021-06-02 標(biāo)簽:微控制器電動(dòng)汽車SiC 1.1k 0

太陽(yáng)能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個(gè)重要方案

太陽(yáng)能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個(gè)重要方案。大多數(shù)人都知道,過(guò)去10年來(lái)太陽(yáng)能發(fā)電成本驚人地下降了82%。在太陽(yáng)能選址(太陽(yáng)能的位置)和共同土地使用...

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所有應(yīng)用都需要更多含量的的功率半導(dǎo)體

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2021-05-24 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC 1.5k 0

GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元

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2021-05-21 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 2.7k 0

碳化硅正在成為汽車領(lǐng)域冉冉升起的新星

作為第三代半導(dǎo)體的代表,碳化硅材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大...

2021-05-18 標(biāo)簽:新能源車半導(dǎo)體材料SiC 3.3k 0

火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我國(guó)SIC產(chǎn)業(yè)已完成基本布局

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隨著5G、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展,產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)紛紛跑步入場(chǎng)。在巨大的潛在市場(chǎng)需求增長(zhǎng)、火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我...

2021-05-11 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 4.7k 0

新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電失效分析

本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來(lái)定位漏電失效的SiC MOSFET芯片,并與OBIRCH對(duì)比定位效果,然后用FIB做定點(diǎn)截面切割,觀察到金屬化薄膜鋁...

2021-07-16 標(biāo)簽:芯片漏電SiC 2.3k 0

簡(jiǎn)述碳化硅外延技術(shù)突破或改變產(chǎn)業(yè)格局

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碳化硅外延領(lǐng)域捷報(bào)連連! 我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)或迎來(lái)史詩(shī)級(jí)利好 進(jìn)入2021年以來(lái),在碳化硅外延領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)外企業(yè)紛紛捷報(bào)連連。 ? 2021年3月1日,日本豐...

2021-05-07 標(biāo)簽:納米SiC晶片 1.4萬(wàn) 0

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5月7日消息 日前,據(jù)外媒報(bào)道,英飛凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)與日本晶圓制造商昭和電工(Showa Denk...

2021-05-07 標(biāo)簽:英飛凌晶圓SiC 1.8k 0

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CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊,以滿足其對(duì)自然冷卻的需求

CISSOID 實(shí)現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器的整體融合設(shè)計(jì),且可通過(guò)仔細(xì)調(diào)整dv/dt去實(shí)現(xiàn)控制,通過(guò)快速切換所固有的電壓過(guò)沖來(lái)優(yōu)化IPM,從而將開(kāi)關(guān)能量...

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過(guò)去的一年,作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,碳化硅(SiC)器件著實(shí)火了一把,其高工作溫度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高耐壓、高熱導(dǎo)率、高功率密度以及高可靠性,為設(shè)計(jì)師打...

2021-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美SiC 5.1k 0

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目前,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界電場(chǎng)高和電子飽和漂移速度快等優(yōu)勢(shì),突破了硅與傳統(tǒng)化合物材料(GaAs、InP等)技術(shù)發(fā)...

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過(guò)去的2020年,功率電子行業(yè)的明星莫過(guò)于SiC(碳化硅)開(kāi)始加快了進(jìn)入汽車行業(yè)的腳步。電動(dòng)汽車包括三種功率轉(zhuǎn)換器:主逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和OBC(...

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一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?(1)等效電路 (2)說(shuō)明: 功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變...

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高溫壓力傳感器研制的主要目的是解決高溫惡劣環(huán)境下的壓力測(cè)量問(wèn)題,SiC是制造高溫壓力傳感器的理想材料,結(jié)合

2021-04-06 標(biāo)簽:諧振電路SiC高溫壓力傳感器 6.3k 0

2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發(fā)元年

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2021-04-01 標(biāo)簽:封裝SiC碳化硅 2k 1

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碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體SiC 1.1萬(wàn) 0

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前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管...

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賦能未來(lái),勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章

在2011年,在經(jīng)過(guò)了將近二十年的研發(fā)之后,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業(yè)界先前曾十分懷疑這是否可能實(shí)現(xiàn)。

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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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