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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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為了解決電動(dòng)汽車的充電焦慮問(wèn)題,更快的充電速度成為快充站的明確要求,實(shí)現(xiàn)充電5分鐘,行駛200公里會(huì)成為行業(yè)的普遍要求。
2021-06-02 標(biāo)簽:微控制器電動(dòng)汽車SiC 1.1k 0
太陽(yáng)能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個(gè)重要方案
太陽(yáng)能發(fā)電正迅速成為解決電力難題的一個(gè)重要方案。大多數(shù)人都知道,過(guò)去10年來(lái)太陽(yáng)能發(fā)電成本驚人地下降了82%。在太陽(yáng)能選址(太陽(yáng)能的位置)和共同土地使用...
2021-05-28 標(biāo)簽:集成太陽(yáng)能電池板IGBT 2.5k 0
隨著世界中產(chǎn)階級(jí)的增加以及汽車、暖通空調(diào)(HVAC)和工業(yè)驅(qū)動(dòng)更加電氣化,電力需求只會(huì)增加。在每個(gè)功率級(jí)(發(fā)電、配電、轉(zhuǎn)換和消耗)所能達(dá)到的能效將決定整...
GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元
全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年,GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美...
2021-05-21 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 2.7k 0
作為第三代半導(dǎo)體的代表,碳化硅材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大...
2021-05-18 標(biāo)簽:新能源車半導(dǎo)體材料SiC 3.3k 0
火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我國(guó)SIC產(chǎn)業(yè)已完成基本布局
隨著5G、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展,產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)紛紛跑步入場(chǎng)。在巨大的潛在市場(chǎng)需求增長(zhǎng)、火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我...
本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來(lái)定位漏電失效的SiC MOSFET芯片,并與OBIRCH對(duì)比定位效果,然后用FIB做定點(diǎn)截面切割,觀察到金屬化薄膜鋁...
簡(jiǎn)述碳化硅外延技術(shù)突破或改變產(chǎn)業(yè)格局
碳化硅外延領(lǐng)域捷報(bào)連連! 我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)或迎來(lái)史詩(shī)級(jí)利好 進(jìn)入2021年以來(lái),在碳化硅外延領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)外企業(yè)紛紛捷報(bào)連連。 ? 2021年3月1日,日本豐...
英飛凌與日本圓晶制造商簽供應(yīng)合同 確保芯片基材碳化硅供應(yīng)安全
5月7日消息 日前,據(jù)外媒報(bào)道,英飛凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)與日本晶圓制造商昭和電工(Showa Denk...
碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用
SiC肖特基勢(shì)壘二極管不使用反并聯(lián)硅二極管,可集成到系統(tǒng)中。硅基二極管有反向恢復(fù)電流,會(huì)造成開(kāi)關(guān)損耗(以及產(chǎn)生電磁干擾,或EMI),而SiC二極管的反向...
2021-04-27 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體SiC 1.9k 0
CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊,以滿足其對(duì)自然冷卻的需求
CISSOID 實(shí)現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器的整體融合設(shè)計(jì),且可通過(guò)仔細(xì)調(diào)整dv/dt去實(shí)現(xiàn)控制,通過(guò)快速切換所固有的電壓過(guò)沖來(lái)優(yōu)化IPM,從而將開(kāi)關(guān)能量...
2021-04-27 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器晶體管CISSOID 1.3k 0
過(guò)去的一年,作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,碳化硅(SiC)器件著實(shí)火了一把,其高工作溫度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高耐壓、高熱導(dǎo)率、高功率密度以及高可靠性,為設(shè)計(jì)師打...
目前,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界電場(chǎng)高和電子飽和漂移速度快等優(yōu)勢(shì),突破了硅與傳統(tǒng)化合物材料(GaAs、InP等)技術(shù)發(fā)...
我們將見(jiàn)證功率電子行業(yè)一個(gè)非凡SiC時(shí)代的開(kāi)啟!
過(guò)去的2020年,功率電子行業(yè)的明星莫過(guò)于SiC(碳化硅)開(kāi)始加快了進(jìn)入汽車行業(yè)的腳步。電動(dòng)汽車包括三種功率轉(zhuǎn)換器:主逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和OBC(...
一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?(1)等效電路 (2)說(shuō)明: 功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變...
簡(jiǎn)述4H-SiC無(wú)線無(wú)源高溫壓力傳感器設(shè)計(jì)
高溫壓力傳感器研制的主要目的是解決高溫惡劣環(huán)境下的壓力測(cè)量問(wèn)題,SiC是制造高溫壓力傳感器的理想材料,結(jié)合
氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國(guó)產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分,據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小,散熱更好,效率比超快恢復(fù)管提...
關(guān)于SiC的十個(gè)基礎(chǔ)小知識(shí)
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...
簡(jiǎn)述仿真看世界之650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性
前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管...
賦能未來(lái),勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章
在2011年,在經(jīng)過(guò)了將近二十年的研發(fā)之后,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業(yè)界先前曾十分懷疑這是否可能實(shí)現(xiàn)。
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